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新媒网跨境获悉，在公布创纪录的第三季度利润后不久，韩国SK海力士公司于2025年11月3日在其“SK AI Summit 2025”峰会上，公布了其面向未来的存储发展路线图。据外媒报道，该公司重点强调了其在定制化存储解决方案方面的推进，这包括高带宽存储器（HBM）、AI优化型动态随机存取存储器（AI-DRAM）以及下一代NAND闪存技术。为实现这一目标，外媒指出，SK海力士正深化与多家巨头的合作，其中包括与美国英伟达公司在人工智能制造领域的合作、与中国台湾台积电在下一代HBM基底芯片方面的携手，以及与美国西部数据旗下闪迪（SanDisk）公司合作，共同推动新兴高带宽闪存（HBF）市场的国际标准化。

SK海力士的AI-DRAM与AI-NAND发展蓝图

据外媒援引SK海力士首席执行官郭鲁正（Kwak No-jung）的表述，详细阐述了该公司未来的产品规划。报道指出，SK海力士的新存储产品组合将包含定制化HBM、AI-D（AI DRAM）和AI-N（AI NAND）。其中，定制化HBM旨在通过将部分功能从现有系统半导体转移到HBM基底芯片，从而根据客户需求优化数据处理效率。

在外媒的报道中，SK海力士正在开发一系列AI DRAM解决方案。该产品线包括：AI-D O（Optimization），这是一种低功耗、高性能的DRAM，旨在降低总拥有成本并提升运营效率；AI-D B（Breakthrough），提供具备灵活分配能力的超大容量存储；以及AI-D E（Expansion），其目标是将存储应用扩展到机器人、移动出行和工业自动化等新兴领域。

另有外媒援引郭鲁正的说法指出，针对DRAM，SK海力士正在准备诸如SOCAMM和高能效LPDDR5等针对AI服务器优化的内存模块。

另一方面，据外媒报道，SK海力士的AI-N计划旨在通过三种途径推动下一代存储技术发展。AI-N P（Performance）致力于实现超高速性能；AI-N B（Bandwidth）则通过先进的堆叠技术提升带宽，以克服HBM的容量限制。同时，AI-N D（Density）旨在提供超大容量解决方案，从而在大型AI存储环境中提升成本竞争力。

为AI时代加大资本支出

值得关注的是，为了满足不断增长的AI需求，SK集团正在加大对先进设施和技术的投资力度。据外媒报道，SK海力士已开始为其新的M15X晶圆厂配备生产线，该工厂将专注于高带宽HBM的大规模生产。此外，该公司计划通过即将于2027年投入运营的龙仁半导体集群，进一步提升产能。

据外媒报道，在2025年11月3日举行的“SK AI Summit 2025”峰会上，SK集团董事长崔再源（Choi Tae-won）强调了该项目的巨大规模。他指出，一旦建成，龙仁集群的产出能力将与24个M15X晶圆厂同时运行的产出能力相当，这标志着SK海力士生产能力的一次重大飞跃。

据韩国外媒报道，随着财务状况的改善和市场需求的增长，SK海力士计划在2026年增加投资。该报道称，SK海力士遵循一项原则，即其资本支出（CAPEX）保持在销售额三年移动平均值的30%左右水平。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/sk-hynix-ai-memory-24-fab-scale.html