SK海力士2026 HBM3E主导2/3。HBM4加速 AI记忆体新局！

随着全球记忆体价格的普遍上涨以及高带宽存储（HBM）技术的持续演进，2026年对全球记忆体产业而言，正迎来一个充满变数与发展的关键时期。在此背景下，全球领先的记忆体制造商SK海力士于今年1月5日发布了其对2026年的展望。

新媒网跨境获悉，SK海力士指出，在2026年，HBM3E产品将继续占据主导地位，即使HBM4技术已开始逐步量产。据公司预计，到2026年，HBM3E将占据其HBM总出货量的约三分之二，而新一代的HBM4则将在此基础上逐渐扩大市场份额。

高带宽存储（HBM）作为一种先进的动态随机存取记忆体（DRAM）技术，通过垂直堆叠多个DRAM芯片并通过硅通孔（TSV）技术进行互连，极大地提升了记忆体带宽和能效，使其成为人工智能（AI）计算、高性能数据中心等对数据吞吐量有严苛要求的应用场景的首选。

SK海力士强调，随着英伟达（NVIDIA）推出其“Blackwell Ultra”加速器，以及谷歌（Google）、亚马逊云科技（AWS）等大型科技公司不断拓展其内部专用集成电路（ASIC） 기반의 AI芯片开发，HBM3E正日益成为这些AI解决方案的关键记忆体选择。据投资银行瑞银集团（UBS）的说法，SK海力士有望成为谷歌最新一代张量处理单元（TPU）——v7p和v7e的首批HBM3E供应商。这进一步巩固了SK海力士在高性能AI记忆体市场的领先地位。

HBM3E与HBM4：SK海力士的双世代战略布局

面对快速迭代的市场需求，SK海力士正在推行一项“双世代”发展策略，即在保持HBM3E市场领先地位的同时，积极布局和推进HBM4的量产准备。这一策略旨在确保公司能够灵活应对不同客户和应用场景的需求，从而在竞争激烈的记忆体市场中保持优势。

据SK海力士透露，为实现这一目标，公司已采取一系列战略举措。早在去年9月，SK海力士便已成功建立了全球首个HBM4量产体系，这标志着其在下一代HBM技术商业化道路上迈出了关键一步。与此同时，公司还进一步深化了与全球领先的晶圆代工厂台积电（TSMC）的封装技术合作，以优化HBM的生产流程和性能。

在产能建设方面，SK海力士位于韩国清州的M15X晶圆厂扮演着举足轻重的角色。新媒网跨境了解到，该工厂不仅是公司未来HBM产能扩张的关键枢纽，更是其技术创新和市场布局的重要支撑。为了更高效地聚焦HBM业务，SK海力士还专门成立了HBM部门，并设立了全球AI研究中心，旨在集中资源，加速HBM技术的研发与创新。通过这些全球范围内的生产基础设施建设和战略部署，SK海力士的目标是到2026年实现HBM3E和HBM4的大规模量产和供货能力。

关于清州M15X晶圆厂的建设进展，外媒报道指出，该工厂的首个洁净室预计将在2026年5月竣工，并随即启动试运行。这座耗资超过20万亿韩元（约合145亿美元）的工厂，定位为SK海力士核心的生产基地，未来将同时制造HBM3E和HBM4。该报道还援引消息人士的话称，M15X晶圆厂还将引入10纳米级第六代（1c）DRAM生产线，为未来更先进的HBM4E产品奠定基础。这表明SK海力士不仅着眼于当前和下一代HBM，更已在为未来的HBM技术路线进行前瞻性布局。

2026年记忆体市场面临的三重挑战

尽管记忆体行业正在经历一个景气周期，但SK海力士依然对2026年市场所面临的三项关键挑战保持警惕，这包括定价压力、供应风险以及地缘政治不确定性。一些分析师和外媒已经发出警告，指出随着市场竞争的加剧和HBM产能的持续扩张，HBM价格可能会在2026年后进入一个调整期。这种价格修正的风险，是记忆体制造商在规划未来策略时必须审慎考虑的因素。

市场研究机构集邦咨询（TrendForce）的最新研究报告也印证了记忆体市场的这种复杂性。报告指出，近期记忆体市场供应紧张的状况确实推动了传统DRAM价格的急剧上涨。与此同时，HBM3E也受益于图形处理器（GPU）和ASIC订单的上调，其价格同样有所提升。然而，集邦咨询预测，HBM3E与DDR5（双倍数据速率5）之间的平均销售价格（ASP）差距预计将在2026年显著缩小。这表明市场对HBM的投资回报率将更加敏感，对成本控制提出更高要求。

在此背景下，SK海力士指出，对HBM的持续投资正在为更广泛的记忆体市场带来积极的连锁反应。随着更多的资源和产能被导向HBM生产，这在一定程度上导致了标准DRAM供需平衡的收紧。机构投资者普遍预计，服务器DDR5模组将在2026年崛起，成为DRAM市场的第二大支柱，其重要性将与HBM并驾齐驱。这一趋势反映了数据中心对高性能、高容量DRAM需求的持续增长，以及AI工作负载对整体记忆体架构的深远影响。

此外，SK海力士还预测，在2026年，NAND闪存市场也将实现增长。这一增长主要受到AI数据中心对企业级固态硬盘（eSSD）需求的强劲驱动。随着AI应用对数据存储和快速访问能力的需求不断攀升，eSSD作为高性能存储解决方案，其市场前景广阔。这种多元化的需求增长，为整个记忆体产业带来了结构性的发展机遇。

SK海力士的2026年展望描绘了一个既充满活力又伴随挑战的记忆体市场图景。在HBM3E主导、HBM4加速布局的双世代战略下，公司正积极应对市场变化。同时，对价格修正、供应平衡及地缘政治风险的警惕，也体现了记忆体巨头在快速发展中保持审慎的姿态。整个记忆体行业在AI数据中心需求的驱动下，正在经历一场深刻的变革，HBM、服务器DDR5和eSSD等关键产品将共同塑造未来的市场格局。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/sk-hynix-2026-hbm3e-23-hbm4-ai-mem-shift.html