SK海力士超千亿投资HBM先进封装，抢占AI内存高地！

在全球人工智能（AI）浪潮的推动下，对高性能内存的需求持续攀升，高带宽内存（HBM）正成为各大半导体巨头竞相布局的焦点。新媒网跨境获悉，近日，存储巨头SK海力士宣布了一项重大投资，计划在其位于韩国清州的工厂投入19万亿韩元（约合人民币1020亿元），新建一座先进封装工厂P&T7，旨在大幅提升HBM产能，巩固其在AI内存市场的领先地位。此举不仅是SK海力士加速国内扩张的重要一步，也与其此前外媒报道的美国HBM封装厂建设计划相互呼应，共同构建其全球化的先进封装生产网络。

清州新厂：AI内存核心枢纽的崛起

根据SK海力士发布的官方声明，这座备受瞩目的P&T7新工厂，将落户于韩国清州科技园区内，占地面积约7万坪（约合23.14万平方米）。项目建设计划于2026年4月正式启动，预计到2027年底将全面投入运营。该工厂被SK海力士定位为未来AI内存，特别是HBM产品生产的关键枢纽，将承载起公司对下一代高性能存储器产能扩张的战略重任。

清州地区对SK海力士而言意义非凡。外媒曾指出，清州目前已是SK海力士NAND闪存生产基地M11、M12和M15工厂的所在地，同时也是后端处理工厂P&T3的所在地。随着2024年宣布的20万亿韩元M15X项目（专注于DRAM生产）的加速推进，以及此次P&T7先进封装厂的加入，清州将逐步发展成为SK海力士AI内存生产的核心基地，构建从晶圆制造（前道工序）到封装测试（后道工序）的完整产业链。

产能加速：HBM4生产提前布局

SK海力士此次在清州的投资，是在对HBM市场未来增长充满信心的背景下做出的。公司预计，在2025年至2030年间，HBM市场的复合年增长率（CAGR）将达到33%，显示出其对AI和高性能计算领域存储需求的强烈预期。为了抓住这一市场机遇，SK海力士正不遗余力地加快生产步伐。

新媒网跨境了解到，此前宣布的M15X项目，其洁净室已于2025年10月启用，设备正在陆续安装调试中。最新消息显示，SK海力士计划在2026年2月，也就是比原计划提前四个月，在该M15X工厂启动用于最新HBM4的1b DRAM生产。初步阶段，M15X的月产能预计将达到约1万片晶圆，并计划在2026年底前将产能多次扩增。这一系列举措都表明SK海力士正全力以赴，力求在高速增长的HBM市场中占据有利位置。

先进封装：HBM性能的关键

封装，作为半导体制造的后端工序，对于HBM的性能至关重要。外媒指出，P&T工厂的主要职责是对前端晶圆厂生产出的半导体芯片进行封装，并在集成到最终产品之前验证其质量。其中，2.5D封装技术是HBM制造的关键所在。该技术通过垂直堆叠DRAM芯片，并利用硅通孔（TSV）技术实现芯片间的电互连，大幅提升了内存带宽和数据传输效率，满足了AI芯片对高吞吐量和低延迟的严苛要求。

传统上，存储芯片与逻辑芯片是分离封装的。而HBM通过先进的封装技术，将多层DRAM芯片与基底芯片垂直集成，形成一个紧凑的高带宽存储模块。这种集成方式不仅缩短了数据传输路径，降低了功耗，还使得存储器能够更紧密地与GPU等计算单元协同工作，极大地提升了AI计算的整体效率。

全球战略：三位一体的封装布局

外媒的报道进一步揭示了SK海力士的全球封装战略布局。随着清州P&T7工厂的建设，SK海力士将形成以韩国京畿道利川、非首都圈的清州以及美国印第安纳州西拉法叶为核心的“三位一体”封装枢纽。这种布局旨在分散生产风险，优化全球供应链，并更贴近主要客户的需求。特别是在美国设厂的计划，也反映出其在全球半导体供应链重构背景下，对本地化生产和强化客户合作的重视。

在全球HBM市场竞争日益激烈的大背景下，主要存储器厂商都在积极布局先进封装产能。外媒曾提及，三星电子的韩国天安园区被视为其先进封装的核心基地，这进一步凸显了先进封装能力在AI时代的重要性，也预示着未来围绕HBM和先进封装技术的竞争将持续升级。SK海力士此次在清州的巨大投资，是其在战略层面积极响应市场需求、强化核心竞争力的体现，也为全球AI产业的发展注入了新的动能。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/sk-hynix-14b-hbm-packaging-ai-memory-lead.html