美国！英特尔18A厂月产4万片。赶超台积电！

当前全球半导体产业竞争日趋白热化，各国纷纷将提升本土制造能力视为战略要务。美国在推动半导体供应链本地化方面投入巨大，其中，英特尔（Intel）和台积电（TSMC）等行业巨头在亚利桑那州（Arizona）的晶圆厂布局备受业界关注。外媒近期报道指出，在当前美国本土的半导体制造领域，英特尔的地位尤为突出。

新媒网跨境获悉，英特尔位于亚利桑那州的Fab 52晶圆厂，其技术先进程度与生产能力，正逐步超越甚至与台积电在当地的同类设施展开竞争。尽管在全球范围内，英特尔仍在努力追赶台积电在制程技术和先进产能上的领先地位，但在美国本土，英特尔已展现出其独特的优势。报告指出，Fab 52的先进程度已经超越了台积电目前在当地的Fab 21一期工厂，甚至比即将落成的Fab 21二期工厂更为先进。同时，其规划的生产能力与台积电这两座工厂的总和相当。

英特尔Fab 52的设计目标是生产采用英特尔18A（1.8纳米级）及更先进工艺的芯片。该工厂的核心技术包括革命性的全环绕栅极（Gate-All-Around, GAA）架构的RibbonFET晶体管，以及创新的PowerVia背面供电网络技术。这些尖端技术旨在大幅提升芯片的性能、功耗效率和集成密度。在产能方面，Fab 52在全面投产后，规划的月晶圆启动量（WSPM）预计可达约4万片。在当前业界标准下，这一数字已将其归类为超大规模晶圆制造设施。

为了实现这些先进工艺的生产，Fab 52在设备配置上同样领先。目前，该工厂已配备了四台ASML Twinscan NXE低数值孔径（Low-NA）EUV极紫外光刻系统。其中，一台为ASML最先进的NXE:3800E型号，其借鉴了下一代高数值孔径（High-NA）EUV工具的晶圆处理机制、更快的晶圆台和光源技术，因此在30 mJ/cm²剂量下，每小时可处理高达220片晶圆。此外，工厂还拥有三台NXE:3600D系统，这些设备在相同剂量下每小时可处理160片晶圆。根据规划，英特尔在亚利桑那州奥科蒂略（Ocotillo）的“硅沙漠”园区未来将部署至少15台EUV扫描设备。尽管目前尚不清楚其中有多少将是高数值孔径EUV光刻工具，以及有多少将安装在即将建设的Fab 62中，但“至少”这一表述暗示了英特尔在亚利桑那州的设施拥有足够的空间来容纳更多的EUV光刻机。

将英特尔Fab 52与台积电的Fab 21一期工厂进行对比，可以发现显著差异。台积电的Fab 21一期主要生产N4和N5工艺的芯片，而英特尔的Fab 52不仅能生产更为先进的1.8纳米级及更尖端工艺，其晶圆处理能力也比台积电Fab 21一期工厂高出一倍。事实上，考虑到台积电通常建设月产能约2万片晶圆的工厂模块，即使未来台积电的N3工艺Fab 21二期工厂建成并全面投产，英特尔的Fab 52在亚利桑那州的总体产能上，仍有望与台积电两座工厂的总和持平或略有领先。

然而，在对晶圆产能进行直接对比时，也需要审慎考量。由于英特尔的18A生产节点在技术上远比台积电的N4或N4P更为复杂和精细，因此，简单地比较每月的晶圆启动量并不能完全准确地反映实际的生产难度和价值。英特尔的工厂需要投入更多的工序和更高的技术要求来制造这些尖端节点芯片，即使是使用了更先进的Twinscan NXE:3800E光刻机，也需要克服其固有的复杂性。

目前，英特尔Fab 52正在为生产基于18A技术的Panther Lake处理器进行产能爬坡。然而，18A工艺的良率曲线仍处于早期阶段。英特尔预计，到2027年初，18A工艺的良率才能达到世界级水平。在此之前，英特尔将不会大幅提高基于该节点的CPU产量，这意味着Fab 52在短期内无法实现满负荷运转，部分生产能力可能会暂时闲置。与此形成对比的是，台积电在美国设厂时，倾向于采用已相对成熟的工艺技术进行生产，这使得其能够实现更快的产能爬坡和接近100%的产能利用率。这两种不同的战略部署，在晶圆厂运营效率和风险控制上体现出各自的特点。尽管英特尔Fab 52在产能爬坡上面临良率提升的挑战，但它代表了英特尔在美国本土重塑半导体制造领先地位的决心和重大投入。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/us-intel-18a-fab-hits-40k-wafers-tops-tsmc.html