美国本土GaN提速！格芯获超8000万刀，接棒巨头。

全球半导体代工领域正经历一次重要重塑。随着行业巨头台积电（TSMC）逐步退出氮化镓（GaN）晶圆代工服务，并预计在2027年完成这一战略调整，另一家半导体领军企业格芯（GlobalFoundries）正积极行动，加速其在氮化镓领域的布局。有外媒报道指出，格芯的一系列举措可能使其成为美国本土氮化镓制造的关键中心。

2025年11月10日，格芯对外发布声明，宣布已与台积电达成一项技术许可协议，涉及650V和80V的氮化镓工艺。据介绍，其中高压650V平台主要应用于电源适配器、电机驱动以及光伏逆变器等领域，而中压80V节点则专注于服务器和笔记本电脑的电源系统。

外媒进一步分析称，台积电在硅基氮化镓（GaN-on-silicon）技术领域具有开创性地位，早在2011年便开始研发，并于2015年实现量产。其间，台积电成功克服了外延生长、晶圆翘曲以及污染物控制等多项技术挑战。凭借台积电在氮化镓制造方面的高可靠性标准和JEDEC/MIL-STD认证，格芯此次通过协议获得的技术支持，有望为其在氮化镓领域的发展带来显著助益。

Navitas的战略转移与市场格局

值得关注的是，在格芯与台积电达成许可协议后不久，总部位于美国加州的氮化镓功率半导体公司Navitas Semiconductor，宣布与格芯建立新的晶圆代工合作关系。此前，Navitas已在2025年7月初与中国台湾地区的力晶积成电子制造股份有限公司（PSMC）建立了战略伙伴关系，共同推进200mm硅基氮化镓技术。外媒了解到，Navitas与格芯的合作开发计划于2026年初启动，预计同年晚些时候实现氮化镓半导体的量产。

外媒进一步指出，Navitas的突破性进展始于2017年。当时，由台积电代工生产的GaNFast功率IC芯片开始大规模量产，广泛应用于安克（Anker）、联想（Lenovo）和小米（Xiaomi）等品牌的快充产品中。此后，Navitas便成为台积电氮化镓业务的重要客户之一。新媒网跨境获悉，根据集邦咨询（TrendForce）2024年的数据显示，Navitas在全球氮化镓功率器件市场中占据16.5%的份额，位居第二，仅次于英诺赛科（Innoscience）的29.9%，并领先于EPC（12.4%）、英飞凌（Infineon，10.3%）和Power Integrations（9.8%）。

美国本土GaN制造中心的构想与推进

随着Navitas将其占台积电氮化镓晶圆产出近一半的业务转向格芯，这一战略举动在外媒看来，可能反映了美国将其战略性半导体供应链重新布局至本土的广泛努力，同时也在为氮化镓技术构建一个有韧性的美国本土制造基础。

这一构想正在获得实际推动。在2024年末，格芯宣布已获得美国联邦政府额外950万美元的资金支持，以加速其氮化镓制造能力的提升。外媒还指出，格芯在与氮化镓相关的项目中，已累计获得美国政府超过8000万美元的资金支持。

与此同时，格芯也在积极扩展其自身的氮化镓技术实力。外媒强调，去年格芯收购了Tagore Technology的氮化镓IP资产，此举进一步增强了其大规模生产这种宽禁带半导体技术的决心。据报道，格芯还有望承接台积电现有氮化镓晶圆业务中的大部分，特别是来自美国本土的氮化镓芯片供应商的订单。

在以英诺赛科为代表的中国企业在氮化镓领域持续发力并取得进展之际，氮化镓技术正日益成为美国强化其国内半导体供应链的重点。格芯的扩张行动，无疑凸显了美国推动提升本土宽禁带半导体制造能力的决心，以支持从人工智能数据中心到电动汽车等日益增长的应用需求。

新媒网（公号: 新媒网跨境发布），是一个专业的跨境电商、游戏、支付、贸易和广告社区平台，为百万跨境人传递最新的海外淘金精准资讯情报。

本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/us-gan-boosted-gf-gets-80m-plus-takes-over.html