全球DRAM巨头三星：1c DRAM产能2026年底冲20万片！

全球DRAM市场正迎来新一轮技术竞赛的白热化阶段。面对下一代存储技术的激烈竞争，韩国三星电子正积极调整其战略部署，力图在全球DRAM市场中巩固并扩大其领先地位。

外媒报道指出，韩国三星电子计划到2026年底，将其1c DRAM的月产能大幅提升至20万片晶圆。这一产能目标，是其在下一代存储器领域的重要战略举措。

根据具体披露的产能部署时间表，三星计划在2025年底前，首先确保每月6万片晶圆的1c DRAM产能。随后，到2026年第二季度，产能将进一步扩展8万片晶圆。紧接着在2026年第四季度，再增加6万片晶圆的产能。通过这一系列分阶段的提升，最终达到每月20万片晶圆的总目标。这些产能目标均指向设备设置阶段，旨在确保在各里程碑节点上实现量产就绪。

三星1c DRAM产能扩张战略的深层考量

三星将20万片晶圆的月产能专门用于1c DRAM生产，在行业内被视为一项具有深远战略意义的决策。当前，三星电子的DRAM总产量每月估计在65万至70万片晶圆之间。若按照计划，1c DRAM将占据其总DRAM产量的约三分之一。这一规模远超三星在2022年半导体市场繁荣时期所增加的13万片晶圆产能。

外媒报道同时强调，本次产能扩张将通过对现有DRAM生产线进行工艺转换以及对韩国平泽P4工厂进行新投资来实现。这些举措反映出三星对1c DRAM技术的信心，以及对未来市场需求的判断。

当前，受人工智能（AI）技术快速发展的驱动，DRAM市场出现了供不应求的局面。即便产品尚未生产，买家已开始提前下达订单。在此背景下，随着三星成功开发出下一代1c DRAM技术，公司做出了积极的投资决策，以期快速提升产能。

值得关注的是，三星已重启了其韩国平泽园区5号线（P5）的建设工程。该项目此前曾暂停两年，目前已全面推进。P5工厂预计将于2028年投入运营，未来将成为三星生产下一代HBM（高带宽存储器）和10纳米级第六代1c DRAM的关键基地。新媒网跨境获悉，这一举动不仅彰显了三星在先进存储技术领域的雄心，也预示着全球存储器市场的格局正在发生深刻变化。

SK海力士同步推进1c DRAM生产计划

与此同时，韩国SK海力士也在积极布局其1c DRAM的生产。外媒报道指出，SK海力士计划于2025年开始量产1c DRAM，并预计在2026年全面提升产能。

SK海力士的目标是，到2026年底，其国内通用DRAM产量中将有超过一半基于1c DRAM技术。此外，该公司还致力于构建一个全面的、基于1c DRAM的LPDDR（低功耗双倍数据速率同步动态随机存储器）和GDDR（图形双倍数据速率）产品线。这些产品将广泛应用于移动设备、高性能计算和图形处理等领域。

行业竞争格局与技术发展趋势

韩国两大DRAM巨头——三星电子和SK海力士在1c DRAM领域的竞逐，是当前全球半导体行业，特别是存储器市场最受关注的焦点之一。1c DRAM作为下一代DRAM技术，通过更精密的制造工艺和更小的制程节点，实现了更高的存储密度、更低的功耗和更快的读写速度，从而更好地满足AI、大数据、5G等新兴技术对高性能存储器的严苛要求。

新媒网跨境了解到，全球存储器市场正迎来由技术创新和应用需求共同驱动的新一轮增长周期。随着AI应用的不断深化和普及，对高带宽、大容量、低延迟存储器的需求将持续增长。三星和SK海力士在1c DRAM上的大规模投入，不仅是为了满足市场需求，更是为了在技术制高点上占据优势，从而在激烈的全球竞争中保持领先地位。这种战略布局，将对未来全球DRAM的供应格局、市场价格以及整个半导体产业链产生深远影响。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/global-dram-samsung-1c-dram-cap-to-hit-200k-by-2026-end.html