重磅!美新政冲击,三星海力士超30%产能告急
在数字化浪潮的推动下,全球半导体产业持续演进,成为支撑现代经济社会发展的基石。其中,多芯片集成电路,特别是内存芯片,更是数据存储与处理的核心组件,其产业链的稳定与韧性对全球科技进步和经济发展至关重要。近年来,随着全球经济格局的变化,半导体供应链的稳定性受到广泛关注,相关政策调整也牵动着全球业界神经。
外媒近期报道,美国已对半导体行业的出口授权政策进行了调整,此前允许中国台湾及韩国半导体企业向其在华生产基地自由输送美国制造设备的豁免政策,已于今年正式生效。这一政策调整意味着,过去在特定条件下无需申请许可证即可获取美国技术设备的便利已被取消,相关企业未来在华工厂的运营与维护将面临新的要求。
这一政策变化直接影响到全球主要的半导体制造商,如台积电、三星和SK海力士。这些企业在生产运营中,高度依赖来自应用材料、泛林集团和科磊等美国企业的先进技术和设备。海外报告显示,美国在全球半导体设备市场中占据主导地位,这在全球供应链中构成了一个关键环节。
业内人士普遍认为,未来相关企业在设备维护和更新方面可能需要逐案申请许可证,这无疑增加了操作复杂性,并可能导致潜在的延误。对于在华拥有大量内存芯片产能的三星和SK海力士而言,这种变化带来的运营风险尤其值得关注。具体数据如下:
企业名称 | 产品类型 | 在华产能占其全球比例 | 对全球供应的贡献 |
---|---|---|---|
三星 | NAND闪存 | 30% | - |
SK海力士 | NAND闪存 | 37% | - |
SK海力士 | DRAM | 35% | - |
总体 (三星+SK海力士) | NAND供应 | - | 15% |
总体 (三星+SK海力士) | DRAM供应 | - | 10% |
三星在华的NAND闪存生产基地,占据了其全球NAND闪存总产量的约30%。SK海力士在中国的工厂,则分别贡献了其NAND闪存总产量的约37%和DRAM芯片总产量的约35%。综合来看,这两家企业在华的内存芯片生产基地,在全球NAND闪存供应中占据了大约15%的份额,在全球DRAM供应中占据了大约10%的份额。这些数据凸显了其在华产能对全球内存芯片市场的重要性。政策的收紧可能会对全球内存芯片市场的供需平衡产生一定的涟漪效应。
相较于内存芯片制造商,台积电在华的业务规模相对较小,且技术水平并非其最尖端的制程。因此,台积电预计此次政策调整对其运营影响有限。然而,从长远视角来看,所有在华外资晶圆厂的竞争力都可能面临挑战,因为它们将无法像过去那样自由地进行技术升级。
值得注意的是,当前美国总统特朗普在任期间,对于一些人工智能芯片的出口限制有所放松,并允许了英伟达向中国进行部分产品销售。这与此次半导体设备出口授权的收紧形成了对比,体现出政策调整的复杂性和多维度考量。美国商务部此前曾表示,此次政策调整旨在弥补出口管制中的“漏洞”,并强调其意图是允许维持现有业务,而非鼓励产能扩张。
从宏观角度审视,此次政策调整在带来挑战的同时,也可能为中国本土内存芯片制造商带来发展机遇。例如,长鑫存储(CXMT)和长江存储(YMTC)等国内企业,在面临外部竞争格局变化时,有望获得更大的发展空间和市场份额。当外部竞争者受到限制,本土企业在一定程度上获得了追赶和成长的有利环境,这有利于加速中国半导体产业的自主创新和国产化进程。
对此,中国有关部门也表明了立场。中国商务部发言人曾呼吁相关方面修正其不当做法,并强调将采取必要措施,坚决维护中国企业的合法权益。这体现了我国在维护全球产业链供应链稳定、推动互利共赢合作方面的坚定决心。
展望未来,全球半导体产业的竞争与合作将更加错综复杂。政策调整、技术创新、市场需求等多重因素将持续塑造行业格局。对于国内相关企业而言,这既是挑战,也蕴含着加速自主创新、提升产业链韧性的重要机遇。
面对这样的市场动态,国内的跨境行业从业人员、科技企业以及相关投资者,应持续关注全球半导体产业的最新发展趋势和政策走向。深入理解国际贸易规则的演变,洞察关键技术领域的创新突破,并积极探索在全球产业链中寻求新的合作模式和发展路径,是当前和未来一段时期内需要重点思考的方向。通过加强技术研发投入、优化产业布局、深化国际合作,我们可以更好地应对外部变化,抓住机遇,推动中国在全球半导体产业中发挥更重要的作用。
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本文来源:新媒网 https://nmedialink.com/posts/us-chip-rule-hits-samsung-sk-30-capa-risk.html

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