台积电CoWoS晶圆单价1万美元！AI芯片封装需求暴涨

AI计算竞赛与CoWoS封装的增长

近年来，人工智能计算竞赛快速升温，使先进封装技术成为全球AI供应链中的重要环节。其中台积电的CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）技术备受关注，被认为是具有独特价值的关键资源。有外媒称，目前单片CoWoS晶圆的平均售价（ASP）约为1万美元，这与先进的7nm制程节点价格相当。这也显示出先进封装已经走向高价值的竞争领域。

从成本和效益角度来看，得益于较高的平均售价和相对较低的资本支出，CoWoS技术被认为有潜力达到与先进制程技术相近的毛利水平。一些产业分析指出，尽管目前先进封装的利润率尚未达到台积电整体平均水平，但随着规模经济效益的扩大，这部分业务预计将成为未来的主要利润来源。

此外，市场机构预测，到2026年，台积电的封装产能将增至约130万片，并且到2027年可能进一步提升至200万片，以满足持续增长的需求。与先进制程技术相比，先进封装的核心优势在于设备折旧成本较低。据外媒援引设备供应商的报道显示，先进节点需要更昂贵的EUV（极紫外）设备，单台成本超过1.5亿美元；而CoWoS技术无需此类昂贵的前段制程，单单位产能的资本支出相对较低，这也为其带来了更多的盈利空间。

根据最新数据，台积电先进封装业务对收入的贡献比例持续增长，到2025年已占总收入的约10%。随着AI需求的快速增长，这一比例预计还将进一步提升。

台积电规划下一代先进封装技术路线图

为保持技术领先地位，台积电持续加码先进封装领域技术研发。在其2026年的北美技术研讨会上，台积电全面介绍了CoWoS和3D堆叠技术升级的路线图。

有外媒报道指出，目前台积电正在量产5.5掩膜版尺寸的CoWoS，并计划到2028年推出14掩膜版尺寸的CoWoS。这将支持包容约10颗计算芯片和20组高带宽存储（HBM）堆叠，同时随着封装尺寸的进一步扩大，与SoW-X（晶圆级系统封装）技术形成技术衔接。

在3D集成电路（3D IC）领域，台积电正在加速其SoIC（System-on-Integrated-Chip）技术的研发进程，并计划到2029年实现A14-on-A14 SoIC量产。据悉，与N2-on-N2 SoIC相比，新一代技术将提供1.8倍的芯片间I/O密度提升，从而能够在堆叠芯片之间实现更高的带宽。

此外，台积电还在推动共封装光学（CPO）技术研发，采用“COUPE（光学单元封装）-on-基板”的解决方案，预计将在2026年开始生产。与此同时，为更贴近北美市场的客户，并吸引美国本土云服务提供商（CSP）的订单，台积电规划在亚利桑那州新建一座先进封装设施，并预计将于2029年上线。

最新报道还指出，台积电显著缩短了先进封装技术的量产周期。例如，其SoIC技术的部署时间已减少了约75%，使客户的产品更快速上市。

整体来说，从2022到2027年，先进封装的产能预计将增长约80%。此类技术已快速从传统后端工艺演变为AI芯片生产中的核心竞争利器。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/tsmc-cowos-wafer-ai-boom.html