SK海力士追加150亿美元，抢占AI存储市场高地！

SK海力士追加投资150亿美元，再掀存储巨头间的晶圆厂扩展竞赛

投资计划概览

2026年2月25日，全球存储芯片领域的领军企业之一——SK海力士宣布，其董事会已批准额外投资约21.6万亿韩元（约合150亿美元），以完成其首座半导体晶圆厂的建设。根据计划，该投资将在2030年12月底前全部落实，用于主体厂房结构的最终竣工及核心生产设备的部署，以进一步扩展先进节点晶圆产能，满足人工智能（AI）与高性能计算（HPC）带动的全球市场需求增长。

此次资金将主要用于主建筑的建设以及增加五间洁净室（从第2阶段到第6阶段），为生产提供更加完善的基础设施。项目将最终形成两个主要厂房和六间洁净室的布局。值得注意的是，首间洁净室的启用时间从原计划的2027年5月提前至2027年2月。

截至目前，SK海力士在其龙仁市晶圆厂的总投资已累计达31万亿韩元（约合215亿美元）。这一数额包括此前2024年7月宣布的9.4万亿韩元的基础设施投资，主要用于项目的地基建设及相关配套设施。

面向AI的存储解决方案布局

为应对高端存储需求上涨，SK海力士正加速向面向人工智能的存储解决方案转型。在龙仁基地的前端生产业务中，规划以1c DRAM工艺的大规模量产为核心，提升其规模化和成本竞争力；而在后端，SK海力士与台湾的台积电进行合作，推动HBM4等产品更接近“存储代工厂”式制造模式。

以并联的生产网络覆盖利川、清州和龙仁三地为基础，SK海力士目标是进一步加固其在高端存储领域的竞争力堡垒，巩固行业领先地位。

存储巨头间的新一轮战略晶圆厂扩张竞赛

三星电子：平泽园区的整合生产模式

三星电子目前正在韩国平泽园区推进P4和P5工厂的建设。与SK海力士专注于存储的战略有所不同，三星选择将存储制造与逻辑代工业务整合在同一工业园区内。

这种布局旨在充分利用在2.5D封装领域的垂直整合优势，从HBM产品制造到系统级封装均可在单一园区内完成闭环式生产。这种模式固然使三星拥有全球最大的产能布局，但在存储芯片与逻辑代工资源间的平衡，可能会对快速重新分配HBM专用生产线带来一定压力。

SK海力士：龙仁基地的专精产能扩展

龙仁晶圆厂获得此次追加资金后，从项目启动阶段即已优化为专注下一代DRAM工艺的基地。相较于三星电子的集成性模式，龙仁工厂拥有明确的目标：投入大规模EUV生产线及HBM后端设施建设，并依托新一轮21.6万亿韩元的投资进一步巩固其在高端存储市场的交付份额。

这种单一化、聚焦的建设方式为SK海力士在高端存储领域构建了明确的竞争优势，批量供货能力得到进一步保障。

美光科技：多区域产能分布

美光科技则选择了一种与两家韩国企业迥然不同的策略，即实施跨区域的产能分布模式。在美国政府激励计划的支持下，美光分别在纽约州克莱市和爱达荷州博伊西市推进晶圆厂建设。

这种地理位置多样化的策略，旨在减轻单一区域供应链潜在风险，以确保尖端节点存储产品的稳定供应。尽管美光在HBM3e产品的能效方面具有竞争力，但与SK海力士龙仁项目相比，美光项目建设周期较长，预计2027年前仍处于产能爬坡阶段。

行业转型中的投资变革

对存储行业巨头的产能扩展策略分析表明，行业内投资逻辑正在发生改变。以往，供应商通常根据市场价格波动调整生产规模，而现在的模型更趋向于根据需求驱动的预分配产能框架。

业内观察人士指出，SK海力士通过此项投资所做出的2030年长期承诺，与三星和美光的同步扩张形成了新一轮在2027年至2030年间供应份额争夺的态势。

在AI服务器需求持续增长的背景下，谁能率先完成核心晶圆厂建设并投产设备测试，便有可能在未来的合同谈判中占据更大的优势。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/sk-hynix-invests-150b-for-ai-storage.html