存储芯片价翻倍!AI抢HBM,危机恐延至2027!

2025-12-01AI工具

存储芯片价翻倍!AI抢HBM,危机恐延至2027!

在2025年下半年,全球科技产业正经历一场深刻的变革,人工智能技术的飞速发展不仅带来了效率和创新的飞跃,同时也对上游供应链,特别是核心存储芯片市场,产生了前所未有的影响。DRAM(动态随机存取存储器)和NAND(闪存)作为支撑现代数字世界的两大基石,其供需格局正面临严峻挑战。从个人电脑、智能手机到数据中心和自动驾驶,几乎所有电子设备都离不开存储芯片。当前,市场对高性能存储的需求激增,特别是针对AI计算的HBM(高带宽内存)异军突起,正深刻改变着传统存储芯片的生产重心和价格走势。对于身处中国、放眼全球市场的跨境电商从业者、科技制造商以及各类企业来说,了解并应对这一趋势,是确保业务稳健发展,把握未来机遇的关键所在。

存储市场波澜再起:价格高企,供应承压

当前,全球存储芯片市场正经历一轮显著的价格上涨。据内存模组、固态硬盘及3D NAND产品知名制造商TeamGroup总经理Gerry Chen观察,近期DRAM和NAND产品的合约价格出现了近乎翻倍的增长。这一变化在过去几个月内尤为明显。

具体数据显示,2024年12月,某些类别的DRAM和3D NAND合约价格环比增幅达到80%至100%。现货市场的价格走势也印证了这一趋势。例如,一块16Gb DDR5芯片的平均现货价格在短时间内呈现出惊人的涨幅:

日期 平均现货价格
2024年9月20日 6.84美元
2024年11月19日 24.83美元
2024年12月1日 27.20美元

在2024年12月1日当天,这款芯片的价格波动区间也很大,最低曾触及19美元,最高则达到37美元。这意味着,仅内存芯片本身,一块16GB的内存模组就需要大约217.6美元的成本。如果再加上印刷电路板(PCB)、组装、测试以及电源管理集成电路(PMIC)等额外组件,成本将再增加8到10美元,使得一块16GB内存模组的裸成本(不含制造商溢价、物流及税费)达到225至228美元。这一系列数据直观反映出存储芯片价格上涨的剧烈程度及其对硬件成本的直接影响。
Samsung

AI浪潮核心驱动:HBM的崛起与产能再分配

导致这场存储芯片供应紧张和价格飙升的核心原因,在于AI技术的爆炸式增长及其对高性能HBM(高带宽内存)的巨大需求。HBM是一种专门为满足人工智能加速器(如英伟达B300系列芯片,以及亚马逊、谷歌、微软等大型云服务提供商定制的加速器)严苛性能要求而设计的先进存储技术。

HBM的独特之处在于其高集成度和高带宽。它通过将多个DRAM芯片垂直堆叠,并通过TSV(硅通孔)技术互连,大幅提升了数据传输速率和带宽。相比传统DRAM,HBM不仅在性能上有着质的飞跃,其制造过程也更为复杂,对DRAM晶圆的尺寸和工艺要求更高。这意味着,生产一块HBM所占用的晶圆产能,远超生产同等容量的传统DRAM。

当前,全球主要的DRAM制造商,包括韩国的三星(Samsung)、SK海力士(SK hynix)以及美国的美光(Micron),正积极调整其生产重心,将宝贵的产能从传统的DRAM产品线,转向利润更高、需求更迫切的HBM生产。大型AI服务商往往会提前数年锁定HBM的供应,签订长期大额合同,这进一步挤占了传统DRAM市场的产能空间。这种结构性的产能转移,导致了通用型DRAM和NAND闪存的供应短缺。

从中国视角来看,国内人工智能大模型和智算中心建设同样如火如荼,对HBM的需求量也日益增长。虽然国内存储芯片产业正在快速发展,但短期内仍需面对全球HBM供应紧张的挑战。这促使国内科技企业在人工智能硬件布局和供应链安全方面,投入更多精力,积极寻求多元化解决方案和技术突破。

未来展望:供应紧张或将持续至2027年以后

面对当前的市场状况,业界普遍对未来几年的存储芯片供应持谨慎态度。TeamGroup总经理Gerry Chen预警,一旦分销渠道的库存到2026年第一季度和第二季度耗尽,DRAM和NAND的供应状况将进一步恶化。届时,即便市场愿意支付更高的价格,也可能面临难以获得足够货源的困境。

Chen先生指出,存储市场的供应紧张局面并非一朝一夕能够缓解。他预计,当前的短缺状况将至少延续至2027年末,甚至可能持续更久。他认为,市场供应的正常化,恐怕要等到2027年至2028年之后,届时才会有更多新的生产能力投入使用。

建设一座全新的存储晶圆厂,从规划、建设到设备安装调试,再到最终投产,通常需要至少三年时间。这意味着,即使三星、SK海力士或美光等全球领先的存储芯片制造商在当下,也就是2025年,便决定启动新的晶圆厂项目,最早也要到2028年末才能投入运营,而要实现全面产能提升,则需要等到2029年左右。如此漫长的建设周期,使得短期内通过扩产来缓解供应紧张变得不切实际。

NAND闪存市场也面临着相似的挑战。NAND供应商同样优先满足AI服务器制造商等大客户的需求,这导致了消费级和企业级NAND产品的供应也受到影响。Gerry Chen预计,到2026年,存储芯片的产能不会迅速向个人电脑、智能手机及其他消费设备市场回摆。这一趋势将直接影响到这些终端产品的制造成本,并最终可能反映在消费者支付的价格上。例如,外媒报道指出,目前市面上,一台搭载64GB DDR5内存的定制PC,其内存成本在某些情况下甚至已超过一台游戏主机。

对中国产业的深远影响与应对策略

这场全球存储芯片的供应危机,对中国科技产业的各个环节都将产生深远影响,尤其值得国内相关从业者,特别是跨境电商卖家和硬件制造商高度关注。

首先,对于个人电脑和智能手机等消费电子制造商而言,DRAM和NAND闪存的价格上涨,将直接推高制造成本。在国内市场,这可能导致产品零售价提升,影响消费者购买力;在国际市场,中国制造的消费电子产品在成本上将面临更大压力,对出口竞争力构成挑战。

其次,数据中心和云计算服务提供商也将感受到存储成本的增加。作为数字经济的基础设施,国内的百度、阿里巴巴、腾讯、华为等科技巨头,以及众多中小型云服务企业,在扩展AI算力、部署大数据应用时,对高性能DRAM和NAND的需求量巨大。存储成本的上升将直接影响其运营利润和对外服务定价,可能需要调整投资策略和技术路线。

再者,跨境电商行业更是受到直接冲击。对于销售存储卡、U盘、固态硬盘等存储产品,以及各类搭载内存或闪存的智能设备(如智能穿戴、平板电脑、迷你PC)的跨境电商卖家来说,上游成本的波动将直接影响其采购成本和利润空间。卖家需要密切关注市场动态,及时调整采购策略、库存管理和产品定价,以规避潜在风险,避免库存贬值或利润缩水。提前与供应商锁定价格或寻找多元化采购渠道,将成为重要的应对措施。

此外,自动驾驶、物联网、智能制造等新兴产业也对高性能存储有旺盛需求。存储芯片供应的紧张和价格的上涨,无疑会增加这些前沿技术产品化的难度和成本。

然而,挑战中也蕴含着机遇。面对外部风险,中国本土存储芯片产业的发展显得尤为关键。以长江存储在NAND闪存领域和长鑫存储在DRAM领域的进步为代表,中国企业正持续加大研发投入,努力提升自主创新能力和生产制造水平。尽管短期内难以完全替代全球供应链,但这些努力对于提升国内供应链韧性、保障战略物资供应具有长远的战略意义。

积极应对,共创未来

面对全球存储芯片市场的复杂局面,国内相关企业应保持务实理性的态度,积极应对。

  • 加强供应链管理: 与核心供应商建立长期稳定的合作关系,争取更优惠的采购条件和更稳定的供应保障。同时,积极拓展多元化采购渠道,降低对单一供应商的依赖。
  • 优化库存策略: 在确保生产和销售需求的前提下,合理规划库存水平,避免盲目囤积导致的资金占用和价格波动风险。
  • 技术创新与产品升级: 鼓励技术研发,探索更高效的存储解决方案,例如通过软件优化提升存储利用率,或寻找替代性的存储技术。同时,根据市场需求和成本变化,灵活调整产品线,推出更具性价比或高附加值的产品。
  • 关注国家战略布局: 紧跟国家在半导体产业发展上的战略规划和政策支持,利用政策红利,积极参与国内存储产业链的协同发展,共同提升整体竞争力。

中国经济的韧性和创新能力是应对挑战的坚实基础。通过政府、企业和科研机构的共同努力,加强产业链上下游协作,我们有能力在复杂多变的全球市场中站稳脚跟,实现高质量发展。

国内的跨境电商从业者、硬件制造商以及相关服务企业,务必对全球存储市场动态保持高度警惕。审慎评估成本结构,灵活调整产品策略,提前布局未来发展方向,是确保在2025年及后续几年市场竞争中占据有利地位的关键所在。

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本文来源:新媒网 https://nmedialink.com/posts/storage-chip-price-doubles-ai-hbm-shortage-till-2027.html

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2025年下半年,受AI技术驱动,全球存储芯片市场DRAM和NAND价格大幅上涨,供应紧张。HBM需求激增导致产能转移。预计短缺将持续至2027年以后,影响消费电子、数据中心和跨境电商。中国企业需加强供应链管理和技术创新,关注本土存储产业发展。
发布于 2025-12-01
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