AI算力！SK海力士CES发48GB HBM4，英伟达Rubin年内量产。

在拉斯维加斯举行的2026年国际消费电子展（CES 2026）上，全球半导体巨头韩国SK海力士公司（SK hynix）成为了业界焦点。该公司发布了多款面向下一代人工智能（AI）计算的尖端存储产品，再次展现其在高性能存储领域的领先地位。此次发布的核心亮点，是全新的16层48GB HBM4高带宽内存产品，以及其他关键的AI优化内存解决方案，引发了全球科技界对AI算力未来发展的广泛关注。

SK海力士通过其官方新闻稿宣布，在CES 2026上，公司首次亮相了16层堆叠的48GB HBM4内存。这一创新产品是其此前已展示的12层36GB HBM4的升级版本。据了解，12层HBM4在测试中曾达到每秒11.7 Gbps的行业领先速度，目前正根据客户的开发计划进行中。新推出的16层HBM4以更高的容量和性能，旨在满足AI模型日益庞大的数据处理需求，为下一代AI系统提供更强大的内存支持。

除了HBM4，SK海力士还在展会上展示了其12层36GB HBM3E产品。这款HBM3E预计将成为本年度内存市场的重要驱动力。为了更直观地展示其在AI生态系统中的应用，SK海力士还与合作客户共同展出了集成HBM3E的AI服务器GPU模块。这不仅突显了HBM3E在当前AI系统中的关键作用，也预示了高性能内存与AI硬件深度融合的发展趋势。

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在HBM系列之外，SK海力士还推出了多款针对不同AI应用场景的内存解决方案。其中包括专为AI服务器设计的低功耗内存模块SOCAMM2，以及针对设备端AI（on-device AI）进行优化的LPDDR6。LPDDR6相较于前几代产品，在数据吞吐量和电源效率方面均有显著提升，能够更好地支持边缘计算和智能终端设备上的AI功能运行。这些产品的推出，共同构筑了SK海力士在AI内存领域的全面布局，旨在覆盖从数据中心到智能终端的各类AI应用需求。

在NAND闪存领域，SK海力士同样带来了创新成果。随着AI数据中心的快速扩展，对超高容量企业级固态硬盘（eSSD）的需求持续增长，为此，该公司展示了其321层2Tb QLC（四级单元）NAND闪存产品。这款产品以其卓越的存储密度，有望为AI数据中心提供更具成本效益的大规模数据存储解决方案。

为了让参观者更深入地了解其未来导向的AI系统内存解决方案如何互联并形成更广泛的AI生态系统，SK海力士在展会现场设立了“AI系统演示区”。在该区域内，观众可以体验到为特定AI芯片或系统优化的定制HBM，以及基于PIM（Processing-in-Memory）的AiMX内存计算方案、利用CuD（Computing under Data）实现内存内计算的技术、将计算能力集成到CXL内存中的CMM-Ax解决方案，以及数据感知型CSD（Compute Storage Drive）解决方案。新媒网跨境了解到，这些前瞻性技术的集中展示，充分体现了SK海力士致力于通过软硬件协同优化，构建下一代AI存储与计算一体化平台的愿景。

值得业界关注的是，根据外媒iNews24的报道，在英伟达（NVIDIA）首席执行官黄仁勋（Jensen Huang，美国）于CES 2026发表特别主题演讲后，韩国SK海力士首席执行官郭鲁正（Kwak Noh-jung）和AI基础设施总裁兼首席营销官金周善（Kim Joo-sun）立即与美国英伟达公司的高层举行了一次闭门会议。业内普遍认为，此次会谈可能围绕下一代产品路线图以及未来的供应合作展开。随着英伟达基于Rubin架构的AI系统规模不断扩大，对HBM内存的需求预计将进一步攀升，因此双方的讨论备受市场瞩目。

在同一展会期间，美国英伟达公司首席执行官黄仁勋在主题演讲中，还对外公布了公司下一代AI加速器Rubin的最新进展。据外媒iNews24报道，黄仁勋表示，Rubin芯片目前已全面投入生产，并预计客户将在今年内开始使用这款芯片。Rubin加速器的全面量产，无疑将为全球AI算力市场注入新的活力，同时也预示着对高性能内存，特别是HBM产品的需求将进入一个全新的增长周期，从而进一步巩固存储巨头SK海力士在AI供应链中的关键地位。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/sk-hynix-48gb-hbm4-nvidia-rubin-ai-power-surge.html