SK海力士豪掷38.7亿刀，猛攻HBM芯片，夺AI内存！

2025年即将结束之际，全球科技巨头正加速进行组织架构调整。继韩国三星电子恢复双CEO制并提升卢泰文后，2025年12月4日，韩国SK海力士也采取了重大举措，宣布成立高带宽内存（HBM）专责工作组，旨在加速其在人工智能（AI）内存领域的市场拓展。这一系列调整，据外媒ZDNet和Chosun Biz报道，标志着SK海力士正全面深化其在AI时代的战略布局。

HBM专责工作组的成立与战略重心

为了向主要HBM客户提供更迅速的技术支持，SK海力士正在美洲地区设立一个专门的HBM技术部门。同时，公司还组建了专注于HBM封装良率和质量的独立团队。外媒的报告指出，这些举措旨在扩大SK海力士在定制化HBM市场的影响力，并构建一个从设计到生产、端到端的集成化HBM组织体系。此举反映了SK海力士对HBM技术的高度重视，以及在快速发展的AI芯片市场中，通过专业化团队提升响应速度和产品质量的决心。

全球化布局与研发战略深化

此次组织架构调整的另一核心亮点在于全球化战略的推进。新媒网跨境获悉，SK海力士将在美国、中国和日本设立全球AI研究中心，由公司首席技术官安贤（Ahn Hyun）负责领导。其中，美国的研究中心尤其注重引进“专家级”人才，以期显著提升SK海力士的系统研究能力。这一布局彰显了SK海力士在全球范围内汇聚顶尖AI技术人才、加强前瞻性研究的战略意图。

与此同时，SK海力士还在积极推进其位于美国印第安纳州（Indiana）的先进封装工厂建设。据外媒Tech in Asia报道，这座芯片封装和研发综合体预计投资38.7亿美元，并获得了美国《芯片与科学法案》4.58亿美元的直接资助以及高达5亿美元的贷款支持。该工厂计划于2028年下半年开始量产HBM芯片，将成为SK海力士扩大HBM产能、满足市场需求的关键一环。为配合全球制造能力的提升，SK海力士还设立了新的全球基础设施部门，由在公司利川（Icheon）和清州（Cheongju）工厂拥有丰富经验的金春焕（Kim Chun-hwan）领导。

强化内部管理与人才培养

在内部管理方面，SK海力士正同步加强其领导梯队建设并优化运营机制。公司不仅设立了宏观研究中心，旨在为AI和半导体领域提供战略洞察，还运营着以客户为中心的“智能枢纽”（Intelligence Hub）。外媒ZDNet和Chosun Biz的报道显示，在制造和技术领域经验丰富的李炳基（Lee Byeong-gi）已被提拔为首席产品官，将负责推动公司全球生产网络的创新。同时，在良率和质量方面具备专业能力的权宰顺（Kwon Jae-soon）和eSSD开发负责人金千成（Kim Cheon-seong）也分别被晋升，以领导制造与技术部门和解决方案开发部门。这些人事调整反映了SK海力士对于关键技术和产品线的重视，以及通过内部提拔增强核心竞争力的策略。

2026年DRAM扩产策略对比

值得关注的是，根据外媒DealSite的报告，韩国三星电子和SK海力士均计划在2026年扩大DRAM（动态随机存取存储器）的生产，但两者的策略存在显著差异。报告指出，三星电子在大内存价格上涨的背景下，正大力投资通用型DRAM，包括DDR5、LPDDR5X和GDDR7等产品。而新媒网跨境了解到，SK海力士虽然也计划扩大产能，但其大部分增量产能将集中于HBM芯片。这一战略差异凸显了两家公司在应对内存市场周期和把握AI算力需求增长方面的不同侧重点，也预示着未来一段时间内，HBM将是SK海力士的核心发力方向。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/sk-hynix-387b-hbm-ai-memory-rush.html