SK海力士投100亿刀进军美国AI，HBM霸主再抢先机。

全球内存市场持续紧俏，这已成为业界关注的焦点。SK海力士近期在财报电话会议上披露了内存供应现状。

据外媒报道，SK海力士指出，在2025年第四季度，公司DRAM库存同比大幅下降。当前，生产的DRAM产品正被立即发运给客户，这导致公司几乎没有库存积累的空间。SK海力士进一步预测，随着2026年下半年到来，DRAM库存将持续收缩。这一趋势表明，客户的DRAM供应条件在未来一段时间内可能依然保持紧张。

在新媒网跨境获悉，对于NAND闪存市场，SK海力士同样观察到库存的下降趋势。自2025年下半年以来，以固态硬盘（SSD）为代表的NAND闪存库存持续减少，目前已达到与DRAM相近的水平。这反映出全球数据存储需求，尤其是企业级和高性能计算领域的需求旺盛，正在快速消耗现有产能。在全球数字化转型和人工智能技术加速发展的背景下，对高性能内存和存储产品的需求激增，使得内存供应商面临巨大的供应压力。

SK海力士的HBM4市场策略，在本次财报会议上同样引起了广泛关注。HBM作为一种高带宽内存，因其在人工智能（AI）和高性能计算（HPC）领域的关键作用，正成为半导体行业竞争的制高点。

根据外媒消息，SK海力士明确表示，公司致力于在HBM4市场中占据主导地位，目标是复制其在HBM3和HBM3E领域所取得的领先优势。SK海力士认为，其在HBM市场的竞争力不仅限于技术领先，更在于自HBM2E时代以来，通过与客户和基础设施合作伙伴的紧密协作，共同塑造了市场格局。这种深度的合作模式，使其能够更好地理解并满足客户需求，从而构建起强大的生态系统优势。

SK海力士强调，公司在HBM大规模生产方面积累的丰富经验，以及在产品质量方面赢得的客户信任，构成了难以在短期内被模仿的核心竞争力。为了实现HBM4市场的绝对领先地位，SK海力士正专注于提升HBM4的良率，目标是使其达到此前12层HBM3E产品的水平。良率的提升对于大规模生产和降低成本至关重要，是维持市场竞争力的关键因素。

当前，SK海力士正在最大限度地提升HBM产能，但即便如此，仍难以完全满足客户的巨大需求。公司预计，未来将有更多竞争对手进入HBM市场。然而，SK海力士坚信，凭借其既有的市场领导地位和作为领先供应商的实力，公司将继续保持其核心竞争力。在HBM4技术层面，外媒报道指出，SK海力士已通过其应用于现有产品的10纳米级第五代（1b）工艺，满足了客户的性能要求。此外，公司计划通过其专有的封装技术来巩固并扩大市场需求。封装技术在HBM产品中扮演着至关重要的角色，它直接影响着内存堆栈的性能、功耗和可靠性。SK海力士在这方面的投入，体现了其在HBM领域全方位的技术布局。

除了内存供应策略，SK海力士还在会议中简要回应了关于海外扩张，特别是对美国投资的疑问。根据外媒的报道，针对美国可能实施的半导体关税问题，SK海力士表示，公司正在密切关注韩国政府与美国政府之间的相关讨论进展。

SK海力士指出，海外半导体晶圆厂投资涉及众多内部和外部变量，包括但不限于政策支持、劳动力成本、基础设施建设、供应链韧性以及地缘政治风险等，因此必须进行审慎评估。公司表示，将在未来阶段公布其具体的海外投资方向。

尽管SK海力士对于在美国进行大规模制造扩张持谨慎态度，但公司已明确了选择性投资的计划。SK海力士宣布，将设立一家专注于人工智能解决方案的美国公司，暂定名为“AI Company (AI Co.)”。该公司将利用SK海力士先进的芯片技术，包括HBM产品，为数据中心客户提供优化的AI系统解决方案。SK海力士承诺为此项业务投入100亿美元，资金将根据实际需求分期投入。这一战略布局表明，SK海力士旨在通过轻资产、高附加值的AI解决方案业务，深度参与美国市场，以应对其在传统制造领域可能面临的政策和市场不确定性。这不仅可以巩固其在AI芯片价值链中的地位，也为未来的业务增长开辟了新的路径。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/sk-hynix-10b-us-ai-push-hbm-dominance.html