新加坡美光240亿刀！3D NAND产能翻倍，冲刺AI！

全球存储巨头美光科技近日宣布，已在新加坡启动一座先进晶圆制造工厂的建设工作。新媒网跨境获悉，这座名为Fab 10B的新工厂预计耗时超过十年才能全面建成，总投资额高达约240亿美元。按照规划，新工厂将于2028年下半年开始初步生产3D NAND存储芯片。

Fab 10B位于美光科技在新加坡北海岸晶圆厂园区的现有3D NAND制造基地内。该工厂建成后，将提供约70万平方英尺的洁净室空间。对比来看，美光现有的Fab 10A和Fab 10X晶圆厂的洁净室空间约为50万平方英尺。这意味着，新的Fab 10B投入运营后，美光在新加坡的3D NAND产能将实现翻倍。

美光科技全球运营执行副总裁马尼什·巴蒂亚表示，这项投资体现了美光科技将新加坡作为其全球制造网络重要枢纽的长期承诺，此举将增强供应链韧性，并促进创新生态系统的繁荣发展。

这座新工厂将是新加坡首座双层晶圆制造工厂。这种设计使得美光科技能够分阶段进行扩建，同时无需增加工厂的实际占地面积，极大地简化了设施的建设过程，尽管其建筑结构会相对复杂。

在技术配置方面，Fab 10B将支持多代下一代3D NAND制造技术，包括拥有超过500个活跃层堆叠的先进节点。这表明，新工厂将配备最新的晶圆制造设备。除了大规模生产3D NAND之外，该设施还将用于研发目的，这有助于简化工艺集成和产品的快速导入。此外，新工厂的建立也将进一步深化美光科技与区域内学术界及工业研究伙伴的合作。

美光科技表示，新工厂将重点关注为人工智能和数据中心应用生产高容量3D NAND设备，因为该公司认为这些应用是未来主要的增长引擎。尽管如此，该工厂具备生产所有类型3D NAND设备的能力，以应对未来市场变化的需求。在通常具有周期性特征的半导体需求面前，这种多功能性显得尤为重要，能够灵活适应市场动态。

值得关注的是，除了在新加坡生产3D NAND，美光科技还在该国建设一座HBM（高带宽存储）组装工厂。据了解，该HBM封装业务的进展顺利，预计将在2027年为美光科技的HBM产量做出实质性贡献。这标志着美光在存储器高价值领域的同步扩张。

从就业角度来看，新建的3D NAND晶圆厂预计将创造约1600个就业岗位，主要集中在工厂工程和制造运营方面。结合HBM封装工厂预计提供的约1400个职位，美光科技在新加坡的本次扩张计划将带来约3000个新的就业机会。这不仅对新加坡本地经济是一项重要的刺激，也体现了高科技制造业对区域人才的持续吸引力。

此次美光科技在新加坡的大规模投资，不仅是其自身产能扩张的战略部署，更在全球半导体产业竞争日趋激烈、供应链韧性备受关注的背景下，展现了主要存储器厂商对于未来市场发展趋势的判断。3D NAND作为数据存储的核心技术，其容量和性能的提升，直接支撑着云计算、大数据分析以及人工智能等前沿技术的快速发展。而HBM作为高算力芯片的关键配套，其生产能力的提升，也印证了AI服务器市场需求的持续强劲。

新加坡作为亚洲乃至全球重要的半导体制造枢纽，其稳定的营商环境、完善的基础设施、高素质的劳动力以及政府对高科技产业的扶持政策，使其成为美光等国际巨头进行长期战略投资的优选之地。美光科技此举，不仅将巩固其在全球存储器市场的地位，也将进一步推动新加坡在全球半导体产业链中的影响力。随着这些先进制造设施的逐步建成投产，全球高容量、高性能存储器的供应能力将得到显著提升，为各类新兴技术应用提供坚实的硬件支撑。

新媒网（公号: 新媒网跨境发布），是一个专业的跨境电商、游戏、支付、贸易和广告社区平台，为百万跨境人传递最新的海外淘金精准资讯情报。

本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/singapore-micron-24b-3d-nand-cap-x2-ai.html