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全球半导体巨头三星电子在2025年第三季度表现亮眼，得益于存储芯片市场的强劲回暖和晶圆代工业务的显著增长，其运营利润创下三年多来的新高。这一业绩不仅超越市场预期，也与另一家存储巨头SK海力士此前公布的创纪录利润相互印证，共同描绘出当前半导体行业特别是存储板块的蓬勃态势。

新媒网跨境了解到，据外媒报道，三星电子在第三季度实现了高达12.2万亿韩元的运营利润，同比飙升32.9%，远超LSEG SmartEstimate预期的11.25万亿韩元。季度营收也达到86.1万亿韩元，略高于此前预估的85.93万亿韩元，同比攀升8.9%。外媒分析指出，此次利润的显著增长，很大程度上归因于芯片业务的强劲复苏，产品价格的上涨以及上一季度一次性库存成本影响的消除。

存储业务：HBM3e与服务器SSD驱动销售创新高

在三星的各个业务板块中，半导体部门的业绩尤为突出，成为此次财报的最大亮点。外媒报告显示，该部门在第三季度贡献了7万亿韩元（约合49.2亿美元）的运营利润，同比激增80%，彰显了其核心驱动力。

三星方面透露，其设备解决方案（DS）部门的销售额环比增长19%，其中存储业务更是创下了季度历史新高。这一成就的背后，主要是由高带宽内存（HBM3e）和服务器固态硬盘（SSD）的强劲市场需求所推动。HBM，作为专为人工智能（AI）计算设计的高性能内存，其每一次代际升级都意味着AI芯片处理能力的飞跃。HBM3e作为当前市场的主流先进HBM产品，为训练大型AI模型、进行复杂数据分析提供了不可或缺的带宽支持。随着全球AI技术研发和部署的加速，对HBM3e的需求呈现爆发式增长。

外媒进一步补充道，三星的HBM3e产品目前已全面进入大规模量产阶段，为所有主要客户供货。这意味着在AI芯片领域，无论是英伟达、AMD还是其他专注于AI硬件开发的公司，都能获得稳定且充足的HBM3e供应。与此同时，面向未来的HBM4内存也已开始向所有提出需求的重要客户提供样品。HBM4将进一步提升数据传输速率和容量，预计将在下一代AI加速器中扮演关键角色，为更复杂的AI应用奠定硬件基础。

此外，服务器SSD市场的强劲表现也对存储业务的增长起到了重要支撑作用。随着云计算、大数据以及AI应用对数据存储和访问速度提出更高要求，传统硬盘驱动器（HDD）已无法满足需求，服务器SSD凭借其高速读写、低延迟和高可靠性等优势，成为数据中心和企业级存储的首选。全球数据流量的激增和企业数字化转型的深入，持续推动着服务器SSD市场的扩张。三星作为全球领先的NAND闪存制造商，在服务器SSD领域拥有强大的技术和市场竞争力，自然能从这股浪潮中获益匪厚。

晶圆代工业务：2纳米工艺进展与特斯拉芯片订单

在晶圆代工领域，三星的业务也呈现出强劲的复苏势头。新媒网跨境获悉，三星在第三季度接到的客户订单量创下历史新高，这主要得益于市场对先进工艺节点的需求持续旺盛。随着半导体技术不断向更小尺寸迈进，先进工艺节点成为决定芯片性能、功耗和成本的关键。2纳米、3纳米等工艺节点代表了当前半导体制造的最高水平，对人工智能、高性能计算（HPC）、5G/6G通信以及下一代移动设备等前沿应用至关重要。

三星方面表示，其第一代2纳米GAA（Gate-All-Around，全环绕栅极）工艺已正式进入大规模生产阶段。GAA技术是替代传统FinFET（鳍式场效应晶体管）结构的关键创新，特别是在2纳米及更小的工艺节点上，GAA能够更好地控制电流，减少漏电，从而提高芯片性能和能效。这一里程碑标志着三星在半导体制造技术竞赛中取得了实质性进展，为其在高端芯片代工市场争取更多份额奠定了基础。

值得关注的是，除了为即将发布的Galaxy S26智能手机提供搭载Exynos 2600处理器的代工服务外，外媒报道指出，三星正准备在美国德克萨斯州泰勒市的晶圆工厂大规模生产特斯拉的AI5和AI6芯片。特斯拉，作为电动汽车和自动驾驶领域的领军企业，其对高性能AI芯片的需求日益增长，以支持其自动驾驶系统（FSD）、Dojo超级计算机以及其他车载AI功能。据报道，除了AI6芯片之外，AI5芯片也极有可能采用三星最先进的2纳米工艺进行制造。

此次合作进一步凸显了三星在先进工艺代工领域的竞争力，以及其在美国本土的泰勒工厂在未来半导体供应链中的战略地位。2纳米工艺的应用，将为特斯拉的AI芯片带来更强大的计算能力和更高的能效比，这对于处理海量的传感器数据、进行复杂的实时决策以及优化车辆性能至关重要。对于三星而言，获得特斯拉这样具有创新精神和高技术要求的客户订单，无疑是对其2纳米工艺成熟度和产能的重要认可。泰勒工厂作为三星在美国本土投资建设的先进晶圆制造基地，其大规模投产先进工艺，也有助于加强全球半导体供应链的地理多元化和韧性。

展望未来：高价值产品与新工艺商业化

展望未来，三星电子已明确其在2026年的战略重点。该公司计划进一步提高高价值产品的销售占比，并全面推动新工艺的商业化。在半导体业务方面，预计将有更多的新工艺全面投入商用，这将是驱动其未来增长的关键动力。

具体到存储业务，三星计划扩大1c（第六代10纳米级）DRAM的生产规模，以满足不断增长的市场需求。1c DRAM是当前DRAM技术的最新一代，具备更高的存储密度和更优的性能功耗比，广泛应用于高性能计算、服务器以及高端移动设备中。随着DRAM市场需求的持续旺盛，特别是AI服务器对高容量DRAM的拉动作用日益明显，扩大1c DRAM的生产有助于三星巩固其在存储市场的领导地位。

在晶圆代工领域，新投产的美国泰勒工厂将承担起大规模生产尖端2纳米工艺芯片的重任。这意味着该工厂不仅是三星全球生产网络中的关键一环，更将在推动最先进半导体技术商业化方面发挥核心作用。通过在泰勒工厂稳定生产2纳米芯片，三星有望在全球高端芯片代工市场占据更加有利的位置，并更好地服务于北美及全球客户对先进芯片制造能力的需求。

总体来看，三星在2025年第三季度的强劲表现，不仅得益于存储市场的周期性上行，也与其在先进制造工艺上的持续投入和突破密不可分。特别是在HBM和2纳米工艺等高价值、高技术壁垒领域取得的进展，为公司未来的可持续增长奠定了坚实基础。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/samsung-semi-q3-profit-booms-past-122t-won.html