新媒网 · 跨境数据社区

一场围绕高带宽存储器（HBM）的竞争正愈发激烈，业界巨头们纷纷加速技术迭代。在美光（Micron）展示其HBM4的最新进展，宣称已向客户送样，实现超过2.8 TB/s的带宽和每引脚超过11 Gbps的传输速度后不久，三星（Samsung）在2025年OCP全球峰会上也披露了其HBM4e的更多细节。

新媒网跨境获悉，根据外媒报道，三星计划于2027年推出的HBM4e产品，其每引脚传输速度目标将超过13 Gbps，可提供最高达3.25 TB/s的总吞吐量。这一数据意味着HBM4e的传输速度将是当前HBM3e的约2.5倍。此外，报告还指出，三星的HBM4e在能效方面也将实现大幅提升，预计每比特功耗将低于HBM3e的3.9皮焦耳（picojoules）的一半，能效提升超过两倍。

此次HBM4e技术的最新发展，据外媒消息，是受英伟达（NVIDIA）在年中提出的更高带宽需求所推动。英伟达正为其下一代AI加速器“Vera Rubin”寻求更强大的存储解决方案。尽管JEDEC HBM4标准设定的每引脚带宽为8 Gbps（对应2 TB/s总带宽），但英伟达据称向三星、SK海力士（SK hynix）和美光施压，要求将每引脚速度提升至10 Gbps以上。

在这一背景下，市场竞争更趋白热化。外媒曾于9月下旬报道称，美光已向客户出货HBM4样品，其带宽超过2.8 TB/s，引脚速度超过11 Gbps，这打消了此前市场关于其芯片速度可能受限于8 Gbps、落后于三星和SK海力士的疑虑。三星此次推出的HBM4e，无疑将HBM市场的竞争进一步推向了“增强型”（e）时代。

三星策略转变：加速HBM4量产

在技术竞赛加速的同时，三星在HBM4的生产策略上也 reportedly 做出大胆调整。据外媒报道，三星正考虑解散其1c DRAM良率改进工作组，以期在今年内加速HBM4的量产进程。此举被解读为三星希望快速融入英伟达的供应链并尽早抢占市场份额的决心，即便其用于HBM4的1c DRAM在近期冷测试中良率仍未能突破50%。

外媒报道进一步指出，三星原计划在第三季度完成其HBM4所需1c DRAM的内部生产授权（PRA）。然而，有消息源透露，三星可能已绕过这一内部审查环节，直接推进HBM4的量产准备工作。根据市场研究机构TrendForce的观察，在三大HBM供应商中，三星在2024年采取了更为积极的策略，将其HBM4基底芯片的工艺节点升级至FinFET 4nm，并计划在今年底实现批量生产。TrendForce预计，三星HBM4的传输速度将达到10 Gbps，并且其支持10 Gbps传输速度产品的生产份额有望超越SK海力士和美光。

这场HBM技术的激烈竞争，核心驱动力在于全球对AI算力需求的爆炸式增长。随着人工智能模型规模日益庞大，数据处理量激增，HBM作为AI加速器中的关键组件，其带宽和能效直接决定了算力系统的整体性能。英伟达等AI芯片巨头对更高性能HBM的需求，正不断推动着存储器制造商的技术极限。

三星此次在HBM4e上的前瞻性布局，以及其在HBM4量产策略上的激进调整，充分展现了其在高端存储市场寻求领先地位的雄心。尽管面临1c DRAM良率的挑战，但其对先进工艺节点FinFET 4nm的应用，以及跳过部分内部流程以加速量产的举动，都表明三星正不惜代价抢占市场先机。

HBM市场的竞争，已不再仅仅是技术参数的比拼，更是供应链整合能力、生产效率和市场响应速度的综合较量。未来几年，HBM4及其增强版HBM4e的普及，将深刻影响AI、高性能计算等前沿领域的发展。

新媒网（公号: 新媒网跨境发布），是一个专业的跨境电商、游戏、支付、贸易和广告社区平台，为百万跨境人传递最新的海外淘金精准资讯情报。

本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/samsung-hbm4e-325tb-s-target-2027-igniting-ai.html