三星HBM4产能2026年暴涨五成！AI算力市场剑指高地。

全球人工智能（AI）浪潮正以前所未有的速度席卷各行各业，作为AI算力基石的高带宽内存（HBM）也因此迎来了爆发式增长的需求。面对这一关键市场机遇，存储芯片巨头韩国三星电子正积极布局，计划大幅提升其HBM产能，以抢占HBM4时代的制高点。

三星：剑指2026年HBM产能激增五成

新媒网跨境了解到，近期有外媒报道指出，韩国三星电子计划在2026年将其HBM产能提升约50%。此举旨在满足AI芯片市场对HBM日益旺盛的需求，并进一步巩固其在高端存储领域的市场地位。

具体来看，尽管三星方面对详细的扩产计划保持谨慎，但相关报道披露，该公司目标是到2026年底将HBM月产量提升至约25万片晶圆。与目前约17万片晶圆的月产能相比，这意味着产能将实现约47%的显著增长。据相关外媒分析，三星目前的HBM产能与竞争对手SK海力士的16万至17万片晶圆月产能大致相当，但由于在满足美国芯片巨头英伟达（NVIDIA）等客户需求方面面临挑战，其实际产出此前略显滞后。

此次产能扩张的投资重点将是现有生产线的改造以及位于韩国平泽（Pyeongtaek）的P4新工厂的扩建。市场消息人士透露，主要的设施投资可能最快在下月启动，关键的HBM制造设备也已进入测试的最后阶段。另有消息人士进一步指出，三星此次大规模HBM投资的核心聚焦于下一代HBM4产品。

在HBM4的研发竞赛中，此前已有外媒报道，三星电子与SK海力士均已开始向英伟达交付付费HBM4最终样品。这标志着两家公司的HBM4产品性能已接近客户规格，双方进入了预合同谈判阶段。后续的关键在于最终的质量认证。预计在2026年第一季度，HBM4的批量生产规模和定价方案将最终确定。行业分析机构TrendForce的报告补充说，只有当合同正式敲定后，最终的市场格局才会在该季度中后期变得清晰。

市场回暖与三星的业绩复苏

在全球存储芯片市场价格全面上涨的背景下，无论是DRAM还是NAND闪存产品线，三星都正从早期的市场挑战中强劲反弹。据韩国经济日报报道，三星内部预计2025年第四季度的营业利润将超过20万亿韩元（按当前汇率计算，约合140亿美元），这一数字较分析师平均预期高出约30%。HBM市场需求的激增，无疑为三星的整体业绩增长注入了强劲动力。

SK海力士：加速HBM4生产布局

与三星的积极扩产计划相呼应，另一存储巨头SK海力士也在HBM4领域加速布局。新媒网跨境了解到，据外媒The Elec报道，SK海力士将把其M15X新晶圆厂的商业生产计划提前四个月。该工厂原定于2025年6月开始晶圆投片，但目前已调整为在2025年2月提前启动，专注于生产HBM4所需的1b纳米级DRAM。

初期，M15X工厂的月产能预计约为1万片晶圆，但SK海力士计划到2026年底将产能扩大数倍。这表明SK海力士同样将HBM4视为其未来业务增长的关键驱动力，并通过加快新工厂的投产速度，力求在竞争激烈的市场中占据先机。

随着全球AI产业的飞速发展，HBM作为AI算力的核心组件，其战略地位日益凸显。无论是三星电子的大规模产能扩张，还是SK海力士的加速生产布局，都充分展现了存储芯片巨头们对HBM市场的坚定信心和雄心壮志。HBM4时代的到来，预示着存储行业将迎来新一轮的技术革新与市场竞争高潮，而两大巨头的动态将持续引领行业关注。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/samsung-hbm4-capacity-up-50-by-2026-eyes-ai.html