ReRAM突破!超10万次擦写,2026边缘AI将爆发!

2026-02-04AI工具

ReRAM突破!超10万次擦写,2026边缘AI将爆发!

新媒网跨境获悉,在全球半导体产业持续演进的背景下,非易失性存储器(NVM)技术正迎来关键发展期。近日,一家专注于先进非易失性存储器IP开发的创新企业Weebit Nano,其首席执行官Coby Hanoch对公司在2025年的发展进行了深入回顾,并对2026年的行业趋势及公司战略进行了展望。

Coby Hanoch在半导体及相关领域拥有近45年的丰富经验,涵盖工程、工程管理、销售及高管等多个职位。他曾担任PacketLight Networks的首席执行官,并在Verisity和Jasper Design Automation担任全球销售副总裁。在Weebit Nano,他带领公司从一家拥有两名工程师的初创企业,发展成为一家拥有60多名员工、约三分之一拥有博士学位的成熟ReRAM供应商。当前,Weebit Nano已与onsemi(安森美)、Texas Instruments(德州仪器)、DB HiTek和SkyWater等晶圆代工厂建立了授权协议,并与多家产品公司达成了合作。
Coby Hanoch CEO Weebit embedded ReRAM RRAM NVM IP module Flash

回顾2025年,Weebit Nano最令人瞩目的亮点是其商业验证的强劲势头以及向真正生产就绪阶段的迈进。公司与onsemi和德州仪器达成的协议是这一趋势的显著例证。这些合作不仅涉及生产制造,还包含了产品授权,这在业界较为罕见且极具影响力。在技术层面,Weebit Nano在2025年也展现了其应对高要求应用场景的成熟度。例如,公司的ReRAM技术已在150°C温度下通过了AEC-Q100标准认证,并展示了超过10万次的擦写循环耐久性。此外,这项技术已成功在130nm、65nm、28nm和22nm等多个硅工艺节点上得到验证,并在FinFET节点上完成了成功的模拟。这些技术突破为ReRAM在更广泛领域的应用奠定了坚实基础。

然而,2025年Weebit Nano也面临着不小的挑战。其中之一是行业对新存储技术采纳的固有惰性。嵌入式闪存(embedded flash)因其熟悉度及在现有设计流程中的深度集成,尽管面临着日益严峻的扩展和集成限制,但仍被广泛使用。另一个实际挑战是规模化执行。支持众多客户和多项目并行,需要构建完善的流程、团队和基础设施,以确保在晶圆厂集成、产品模块交付以及持续工程支持方面都能提供一致的服务。

为应对这些挑战,Weebit Nano采取了多方面策略。首先,通过与可信赖的合作伙伴签署授权协议、展示实际硅验证以及通过关键客户资质认证,证明公司已为实际生产做好准备,从而打消了市场对新技术的采用顾虑。同时,Weebit Nano积极向客户展示ReRAM在制造成本、访问速度和功耗方面的显著优势。在运营层面,公司也在持续强化客户交付模式,包括扩大全球销售和支持网络,精简并自动化流程,并专门组建了一支拥有丰富晶圆厂经验的客户成功团队,以有效支持多个客户项目并行推进。

展望2026年,Coby Hanoch预计,许多已与Weebit Nano保持对话的晶圆厂和集成设备制造商(IDM)将进一步签订授权协议。ReRAM的市场需求日益增长,且已有关键行业参与者与Weebit Nano建立合作,这显著降低了市场感知风险。新媒网了解到,边缘AI领域将成为最大的增长点之一,其发展趋势正向更集成化、单片式设计迈进,其中片上非易失性存储器(NVM)将成为实现成本、功耗和安全差异化的关键要素。

此外,由电动化和高级驾驶辅助系统(ADAS)驱动的智能汽车MCU市场也将呈现强劲增长。在此领域,高可靠性和先进节点集成性变得日益重要。实际上,其他许多领域也对ReRAM技术展现出强大需求。几乎所有应用都需嵌入式NVM,包括更集成的模拟和混合信号IC(如智能PMIC),以及航空航天和低轨卫星等高可靠性环境。

针对这些增长领域,Weebit Nano的工作方向明确。对于边缘AI,ReRAM具备显著优势,因为它能够将模型权重直接存储在芯片上,从而降低延迟、减少功耗并提升安全性。相较于SRAM,ReRAM单元尺寸更小,支持更高的片上存储密度和更高的推理精度。在汽车和严苛环境应用方面,Weebit Nano专注于客户所需的可靠性,例如在150°C下通过AEC-Q100认证,并实现超过10万次的擦写循环耐久性,目前已能展示在更高温度下的运行能力。对于模拟和混合信号设计,Weebit Nano的ReRAM采用后端(BEOL)集成方式,这使得其集成过程更为简便,不会影响模拟电路模块的性能,相较于闪存,能以更低的制造成本实现更高效的设计。为支持这些市场及其他领域的增长,Weebit Nano在2025年的重点是建立能够并行支持多个大型客户的基础设施。随着越来越多的公司选择ReRAM作为其首选嵌入式NVM技术,公司新组建的客户成功团队将确保所有合作项目的成功实施。

在2025年,Weebit Nano积极参与了多个行业会议,主要选择能够与晶圆厂、IDM以及专注于嵌入式NVM、边缘AI和汽车领域的SoC团队进行高质量会谈的展会。当目标受众集中时,参会流量和会议质量均表现良好。2025年,公司参加了德国的Embedded World、美国的CES以及全球范围内的众多本地展会。公司的技术专家还在CEA-LIST Tech Days、MPSoC’25、The Future of Memory and Storage(FMS)和VLSI Symposium等专业会议上发表了演讲。预计在2026年,Weebit Nano将维持或略微增加参会频率,持续聚焦那些能够带来实际项目合作的目标客户活动。

客户与Weebit Nano的合作模式通常有两种。晶圆厂和IDM会授权Weebit Nano的技术进行工艺集成和资质认证,并支付授权费、非经常性工程费用(NRE)和支持费用。产品公司则授权ReRAM模块用于SoC设计,同样需要支付授权费、可能的NRE,并在产品投入生产后支付版税。Weebit Nano也与产品公司合作开发针对其芯片优化的定制ReRAM模块,因为晶圆厂可能不愿为每个产品定制存储模块。公司可以通过其官方网站www.weebit-nano.com与Weebit Nano取得联系。

AI被Weebit Nano视为ReRAM普及的主要驱动力之一,因为ReRAM非常适合边缘AI和类脑计算方法。ReRAM比SRAM具有更高的存储密度,能够将大量模型系数直接存储在芯片上,从而在相同的硅面积内提高推理精度。Weebit Nano已在实际硅片中验证了使用ReRAM进行AI推理,并且围绕近内存计算和内存内计算方法的势头日益增强。由于每个ReRAM单元都能模拟突触功能,这项技术与类脑计算架构天然契合。需要明确的是,Weebit Nano主要是一家嵌入式存储器IP和授权公司,因此AI方面的应用主要是赋能客户开发具备AI能力的芯片。

新媒网跨境认为,AI也在影响Weebit Nano自身的产品开发方式。公司相信,AI可以通过多种途径提高其效率,并能更好地分析所积累的数据。为此,Weebit Nano已与一位顶尖大学的AI教授合作,由其审查公司的研发流程和程序,并就如何通过AI改进这些流程提出建议。

Coby Hanoch表示,当前嵌入式非易失性存储器正处于一个转折点。ReRAM在实际硅片中得到的验证以及关键行业参与者的承诺,都日益彰显其价值。它能够克服嵌入式闪存的扩展限制,其集成方式也与SoC未来的发展方向相契合。他预计,2026年将有众多公司,包括晶圆厂和产品公司,开始选择ReRAM作为其首选的嵌入式NVM解决方案。

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本文来源:新媒网 https://nmedialink.com/posts/reram-100k-cycles-2026-edge-ai-boom.html

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Weebit Nano CEO Coby Hanoch回顾2025年发展,展望2026年。公司ReRAM技术在商业验证和生产就绪方面取得进展,与onsemi、德州仪器等达成合作。ReRAM在边缘AI、汽车电子等领域需求增长,Weebit Nano积极应对行业挑战,强化客户交付模式。预计2026年将有更多晶圆厂和IDM选择ReRAM。
发布于 2026-02-04
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