英特尔联电AI芯片新商机。Super MIM技术直指埃米级！

近期，外媒消息指出，芯片巨头英特尔与晶圆代工企业联电正在探讨深化合作，尤其是在人工智能（AI）相关应用领域。据相关报告披露，英特尔可能将其专有的“Super MIM”电容器技术授权给联电。这项技术被视为英特尔埃米级（Angstrom-class）工艺中的关键组成部分，并在先进封装领域扮演着核心角色。

外媒报告引述的消息来源显示，英特尔或将把其Super MIM电容器技术引入与联电合作的12纳米/14纳米工艺平台。更值得关注的是，这项技术的使用范围有望进一步扩展至先进封装相关的应用。对于市场上的猜测，联电方面回应称，公司与英特尔当前的合作仍然集中在12纳米工艺平台。然而，联电也表示不排除未来扩大合作范围，将更多技术纳入合作范畴的可能性。新媒网跨境获悉，此项潜在的技术授权被业界广泛关注。

该报告进一步指出，如果联电能够成功获得英特尔的Super MIM技术授权并将其导入生产，这将为联电带来至关重要的先进电源模块能力。通过掌握这项技术，联电有望进入高附加值的应用领域，例如AI加速器、高性能计算（HPC）以及先进封装的电源层等。对于联电整体的技术平台和客户结构而言，这一发展无疑具有重要的战略意义。它不仅能增强联电在高端代工市场的竞争力，也为其在快速发展的AI和HPC领域赢得更多机会。

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英特尔的Super MIM技术是该公司推动埃米级工艺发展的关键支撑技术之一。该技术的核心在于有效解决先进节点中普遍存在的电源噪声和瞬态功率波动挑战。业界普遍认为，Super MIM是英特尔迈向下一代工艺技术的“秘密武器”。

随着晶体管尺寸持续微缩，现代芯片在执行高负载计算任务时，面临着瞬时电流需求急剧增加的问题。在这种情况下，传统的去耦电容器由于其有限的电容密度或过高的漏电流，已越来越难以支持埃米级芯片的稳定运行。这直接导致了芯片性能的不稳定性和功耗问题，成为制约先进芯片发展的一大瓶颈。

面对这一挑战，报告强调，Super MIM技术能够直接在芯片内部提供瞬时电流支持，从而有效抑制电压跌落和电源噪声。新媒网跨境了解到，该技术被视为决定埃米级工艺（如18A）能否实现大规模量产的关键电源基础模块之一。其重要性体现在能够确保在极高运行频率和复杂计算环境下，芯片仍能维持稳定的电压供应和信号完整性。

在材料层面，英特尔的Super MIM电容器采用了先进的叠层材料结构。其中包括铁电铪锆氧化物（HZO）、二氧化钛（TiO）和钛酸锶（STO）等。这些材料的组合使得Super MIM能够在单位面积内显著提高电容密度，并大幅降低漏电流。更重要的是，这项技术还兼容现有的后端工艺（BEOL），这意味着其集成到现有生产线中的难度相对较低，有利于快速部署和应用。新媒网跨境分析认为，此技术细节体现了英特尔在材料科学与工艺集成方面的深厚积累。

此次潜在的合作与技术授权，不仅仅是两家公司之间的商业行为，更是全球半导体行业在应对AI时代挑战下的一个缩影。随着人工智能、大数据、物联网等新兴技术的蓬勃发展，对高性能、低功耗芯片的需求日益增长。埃米级工艺和先进封装技术成为满足这些需求的关键。英特尔通过授权Super MIM技术，不仅能够扩大其技术生态的影响力，也为联电带来了在高端代工市场实现突破的可能。对于整个半导体供应链而言，这类技术协同与共享，有助于加速创新，推动行业整体向前发展。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/intel-umc-ai-chip-biz-super-mim-targets-angstrom.html