全球先进封装瓶颈！英特尔EMIB 2017起解AI困局。

全球半导体产业正经历前所未有的结构性变革，其中先进封装技术成为决定芯片性能和成本的关键环节。随着人工智能（AI）和高性能计算（HPC）需求的爆发式增长，先进封装产能的瓶颈日益凸显，促使行业巨头们寻求多元化的解决方案。在此背景下，英特尔（Intel）的嵌入式多芯片互连桥接（EMIB）技术正受到业界越来越多的关注，并有望在先进封装领域占据一席之地。

新媒网跨境获悉，近期有多份报告指出，苹果（Apple）和高通（Qualcomm）等行业领先企业正在积极招聘具备EMIB技术专长的工程师。这一动向表明，在台积电（TSMC）先进封装产能持续紧张的背景下，英特尔的EMIB技术在智能手机系统级芯片（SoC）和AI专用集成电路（ASIC）客户中的考虑权重正逐步提升。这不仅标志着英特尔封装技术重新获得市场动能，也预示着其在半导体代工服务领域的战略布局正日趋成熟。

先进封装市场格局演变：英特尔的战略机遇

当前，AI和HPC数据中心对芯片的需求激增，导致先进封装环节成为整个供应链中的一个关键瓶颈。特别是台积电的Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS) 技术，尽管凭借其卓越的性能广泛应用于英伟达（NVIDIA）的H100/200、GB200以及超微（AMD）的MI300系列等领先AI加速器中，但其产能长期处于供不应求的状态。这种结构性短缺，正促使主要的云服务提供商（CSP）和芯片设计公司将目光投向CoWoS之外的替代方案，其中EMIB技术成为一个有力的竞争者。

外媒报道，有芯片制造商表示，英特尔正日益聚焦先进封装市场。未来，英特尔甚至可能承接台积电制造的裸芯片（die），进行后续的封装加工。如果这一合作模式得以实现，将标志着英特尔代工业务的一次重大拓展，深刻影响全球半导体供应链的未来格局。

英特尔在先进封装领域的一大优势在于其在美国本土的产能布局。从美国新墨西哥州的Fab 9和Fab 11x，到未来可能在美国俄亥俄州建设的生产线，英特尔拥有在本土进行先进封装的能力。外媒指出，EMIB技术对异构裸芯片组合的支持，使得高度定制化设计成为可能。同时，美国本土的生产能力赋予英特尔超越成本考量的战略权重，使其成为台积电在美国亚利桑那州工厂生产芯片的天然下游封装伙伴。

英特尔代工业务封装与测试副总裁马克·加德纳（Mark Gardner）在今年早些时候表示，公司正积极努力缓解先进封装的紧张局面。他指出，当前先进封装的短缺很大程度上源于客户长期锁定竞争对手（如台积电）的技术，而英特尔在产能方面并不受此限制，因此具备独特优势。据报道，亚马逊网络服务（AWS）和中国台湾的联发科（MediaTek）等芯片设计公司已开始与英特尔代工业务建立合作关系。

EMIB技术深度解析：差异化优势与创新发展

为了更好地理解EMIB为何能在先进封装市场脱颖而出，有必要对其技术原理与CoWoS进行对比。外媒解释，目前台积电的CoWoS技术仍是AI GPU和高带宽内存（HBM）封装的首选方案。CoWoS主要通过硅中介层（silicon interposer）作为基板来连接不同的芯片。

然而，英特尔的EMIB技术则有所不同。它采用的是局部嵌入式桥接（localized embedded bridges）方案，将小型硅桥嵌入到有机基板中，用以连接并通信相邻的裸芯片。这种技术路径带来了显著的成本效益和更大的设计灵活性，使其特别适合定制ASIC、芯片小单元（chiplets）以及AI推理处理器等应用场景。

英特尔公司介绍，EMIB是业界首个采用嵌入式桥接的2.5D互连解决方案，自2017年开始实现大规模量产，目前已广泛应用于服务器、网络和高性能计算（HPC）等领域的产品中。

随着对更强电源传输能力的需求不断增长，英特尔代工业务进一步扩展了EMIB的产品线。据英特尔透露，新的EMIB-M技术将金属-绝缘体-金属（MIM）电容器直接集成到硅桥中，以提升电源性能。同时，高带宽内存（HBM）需求的激增也推动了对低噪声垂直供电的需求，为此，英特尔在其EMIB-T解决方案中引入了硅穿孔（TSVs）技术。这种方法不仅有助于优化HBM的性能，也使得从其他封装技术向EMIB的迁移过程更为顺畅。

值得一提的是，英特尔还在积极探索EMIB与其他先进封装技术的融合。该公司正将EMIB与Foveros 2.5D以及Foveros Direct 3D技术结合，创造出EMIB 3.5D混合架构。在这种架构中，芯片小单元通过Foveros技术实现垂直堆叠，同时通过EMIB的嵌入式硅桥实现水平互连，从而构建出更加复杂和高性能的异构集成系统。
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