HBM4价格暴涨50%！锁定英伟达AI新机遇

在全球数字经济蓬勃发展的今天，高性能计算已成为推动科技进步的核心动力，而高带宽内存（HBM）作为其关键支撑技术，正受到前所未有的关注。特别是随着人工智能（AI）领域的爆发式增长，HBM的需求呈现几何级增长，成为AI芯片不可或缺的组成部分。在这样的背景下，全球主要的存储芯片制造商，如韩国的三星电子和SK海力士，正围绕新一代HBM技术展开激烈竞争。它们的每一个战略举动，都牵动着全球科技产业链的神经，也为国内的跨境电商、智能硬件制造及相关供应链企业提供了重要的市场风向标。

近日，有外媒消息透露，三星电子正与全球领先的AI芯片设计公司英伟达，就2026年HBM4内存的定价进行深入协商。这场谈判无疑是业界关注的焦点，其最终结果将对未来HBM市场的格局产生深远影响。据称，尽管三星在HBM3E的12层堆叠产品上，其定价相对于SK海力士约有30%的优惠，但在HBM4领域，三星内部的目标是实现与SK海力士的同等价格。此举背后，是三星对HBM4市场强劲需求的判断，认为在这种供不应求的市场环境下，HBM4的价格没有理由降低。目前，三星与英伟达的谈判已进入收尾阶段，预计在2025年底前会有最终定论。

行业内部普遍认为，在HBM4定价问题上，三星与SK海力士最终可能会达成相近的价格水平。这主要源于英伟达对HBM4的巨大需求，使得其即使面对相对较高的成本，也必须确保三星的HBM供应。如果这一预测成为现实，那么此前在HBM3E产品上，两家供应商之间存在的较大价格差异将显著缩小。此前有消息指出，SK海力士的12层堆叠HBM3E产品，其定价大约在300美元区间，而三星同类产品的价格则更具竞争力。然而，对于HBM4，SK海力士与英伟达之间据称已就其供应价格达成一致，预估价格处于500美元区间。这与SK海力士HBM3E的价格相比，涨幅超过50%。尽管SK海力士HBM4的整体生产成本，因其基础芯片（Base Die）由台积电代工而增加了约30%，但其成功获得了类似幅度的价格溢价，这在很大程度上抵消了额外的成本支出。这种定价策略和市场接受度，无疑显示了HBM4在当前市场中的稀缺性和高价值。

为了满足未来市场对HBM的庞大需求，三星电子已制定了详细的1c DRAM产能扩张计划。据悉，1c DRAM是HBM4内存所使用的关键节点技术。三星计划到2026年底，将其1c DRAM的月产能提升至约15万片晶圆。这是一个显著的增长，也反映出三星对HBM4市场的长远布局。相较于2025年其约2万片晶圆的月产能，这一扩张幅度达到了7.5倍。然而，三星的扩张策略显得颇为审慎和循序渐进，这表明公司在追求市场份额的同时，也高度重视盈利能力。在2026年，盈利能力仍将是三星关注的重点，因此公司将更侧重于通用型DRAM产品的生产，而非一味地扩大HBM产能。这种平衡发展策略，旨在确保公司在满足市场需求的同时，也能保持健康的利润空间。

三星何时能开始向英伟达供货HBM4，是业界另一个高度关注的问题。HBM产品的验证过程通常分为三个主要阶段：工作芯片（WD）、工程样品（ES）和客户样品（CS）。据了解，三星已于2025年9月向英伟达交付了ES样品，而英伟达对这些样品的认证结果预计将于2025年10月揭晓。如果认证通过，三星接下来需要提供可用于大规模生产的样品，并争取在2026年初获得最终的认证。

按照传统的 HBM 供应节奏，即便在2026年初获得了最终认证并立即启动量产，三星 HBM4 的大规模出货也通常要等到 2026 年下半年才能开始。然而，鉴于当前英伟达对 HBM4 需求的激增，市场观察人士普遍认为，三星有望将发货时间提前至 2026 年第二季度。如果这一乐观预测能够实现，那么之前市场普遍认为SK海力士将在2026年上半年独家供应英伟达HBM4的局面将不再成立，两家公司在供应时间上的差距将从半年缩短至大约一个季度。不过，这一提前交付时间表，很大程度上取决于三星在大规模生产准备方面的进展，尤其是其用于HBM4的1c DRAM芯片，目前的良率仍维持在约50%的水平。提升良率、优化生产流程，将是三星实现提前供货目标的关键挑战。

总体来看，HBM4市场正迎来一个全新的竞争格局，三星与SK海力士之间的技术较量与市场博弈将更加激烈。对于国内跨境行业的从业者而言，密切关注HBM市场的这些动态至关重要。这不仅影响着AI服务器、高性能计算设备的成本和供应，也间接关系到云服务、数据中心以及各类依赖AI技术的跨境电商平台和应用的发展。了解这些上游供应链的变化，有助于国内企业更精准地预判市场趋势，优化采购策略，甚至发现新的商业合作机会。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/hbm4-price-jumps-50-for-nvidia-ai-gain.html