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全球DRAM市场正经历一场显著的价格上涨，且这一趋势在2025年丝毫未见降温迹象。新媒网跨境获悉，来自韩国和美国的几大芯片制造商近日已暂停了为期一周的企业级DRAM新报价，这一举动预示着在供应持续紧张的背景下，DRAM价格未来可能迎来更为陡峭的攀升。

据外媒报道，供应链消息人士透露，DDR4合同价格在2025年第四季度可能上涨超过30%，部分型号甚至可能飙升逾50%，预计也将带动DDR3价格上涨。尤其值得关注的是，外媒的最新消息指出，这轮涨势已经蔓延至内存模组领域。台湾地区的威刚（ADATA）和十铨（Team Group）两家知名内存模组制造商均已暂停报价，这是自2017年以来首次出现的情况，凸显了当前市场供需失衡的严重程度。

DDR4供应短缺：涨势预计持续至2026年第一季度

外媒分析指出，未来三个季度内，DDR4的供应缺口可能扩大至10%到15%。后端封装和测试环节的瓶颈，为原本紧张的供应局面增加了更多压力。在这样的市场背景下，主要的DRAM制造商再次暂停新报价，并将报价有效期从过去的整个季度缩短至不足一个月，甚至有些厂商已调整为每隔几周进行一次价格更新。

外媒进一步报道，领先的韩国和美国供应商此次暂停报价约一周，旨在评估买家对当前市场状况的反应，之后再重新开放竞价。此举无疑进一步强调了市场供应的紧张态势。行业资深人士向外媒表示，这已不再是局部性的价格上涨，而是由普遍性短缺所驱动的全面价格调整。预计从2025年第四季度到2026年第一季度，DDR4合同价格将最为活跃地继续上涨，在此期间可能再攀升30%至50%。

传统存储与NAND闪存面临结构性短缺

与此同时，外媒还提到，受物联网和可穿戴设备需求的强劲拉动，NOR Flash的价格预计在2025年第四季度将进一步上涨5%至10%。在NAND闪存方面，有消息称西部数据（SanDisk）正在与台湾地区的力积电（PSMC）商谈产能合作事宜，这同样揭示了NAND市场供应环境的日益紧张。

文章补充道，随着三星（Samsung）、SK海力士（SK hynix）和美光（Micron）等主要存储芯片制造商持续将其生产重心转向高带宽内存（HBM），市场正面临传统DRAM（DDR4和DDR3）以及NOR Flash的结构性短缺问题。这一战略性调整，虽然满足了人工智能等新兴领域对HBM的巨大需求，却在无形中挤占了传统存储产品的产能，导致其供应愈发吃紧。

内存模组厂商跟进涨价步伐

新媒网跨境了解到，全球第二大内存模组制造商威刚和台湾地区第二大模组厂商十铨，均已宣布暂停报价。外媒援引威刚董事长陈立白在2025年10月7日的表态称，2025年第四季度可能是内存市场“大牛市”的开端，预示着一场严重的供应短缺，并预计整个行业将迎来一个持续到2026年的繁荣期。威刚方面已确认将把暂停报价的措施延长至2025年10月中旬，理由是DRAM供应严重短缺，公司需要时间管理库存并调整分配策略。

另一方面，外媒报道称，十铨则是在西方消费电子旺季到来之前，以DRAM上游供应受限和库存快速消耗为由，暂停了产品报价。行业内部人士向外媒指出，暂停报价主要会产生两方面的影响：首先，它会强化市场对进一步涨价的预期，促使客户提前下单甚至出现恐慌性采购，从而推动价格进一步上涨。其次，暂停报价也有助于控制出货节奏，即停止报价并不意味着停止发货，而是在价格上涨期间创造一个临时的“价格空白期”，以期在等待更有利的价格条件下再进行交易。

这种普遍性的价格上涨和报价暂停行为，不仅反映了当前存储芯片市场的紧张局面，也预示着全球电子产业链在未来一段时间内，可能需要适应更为昂贵的存储成本。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/dram-prices-surge-50-chip-giants-halt-by-2026.html