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近期，全球存储器市场呈现出显著的动态变化。新媒网跨境获悉，继美国美光公司（Micron）此前传出计划上调DDR4/DDR5产品价格20%至30%后，韩国三星电子（Samsung）也计划在2025年第四季度上调其存储器产品的价格，幅度预计在15%至30%之间。

有业内消息指出，韩国三星电子已向其主要客户发出了通知，预计在2025年第四季度，LPDDR4X、LPDDR5/5X等DRAM（动态随机存取存储器）产品的合约价格将上涨超过15%至30%。与此同时，eMMC/UFS等NAND闪存产品的合约价格预计也将上调5%至10%。

内存价格上行的主要驱动因素之一，是人工智能（AI）应用从传统的“训练”阶段逐渐向“推理”及“边缘设备”端转移，从而引发了对高容量DRAM和NAND闪存的强劲需求，导致市场供应趋紧。据外媒引用机构投资者的分析，此轮价格上涨预计将持续至2025年年底，甚至可能延续到2026年上半年。

从生产侧来看，内存巨头韩国三星电子、韩国SK海力士（SK hynix）以及美国美光公司正逐步将其产能重心转向DDR5和HBM（高带宽内存）等新一代产品。在此背景下，DDR4的生产正在逐步退出市场。尽管DDR4产能减少，但市场需求依然旺盛，导致其价格在2025年持续攀升。预计到2026年，DDR4的生产能力将进一步萎缩至2025年水平的20%，这预示着DDR4产品的市场供应将更为紧张。

DDR4短缺为中国台湾地区供应商带来机遇

本轮内存价格的全面上涨，特别是DDR4供应趋紧的局面，预计将为中国台湾地区的存储器供应商带来积极影响。据外媒援引机构投资者的分析，南亚科技（Nanya Technology）有望成为此次市场变动中的主要受益者。此外，华邦电子（Winbond）和力积电（Powerchip）也因DDR4合约价格与现货价格的差距缩小而获得了可观的利润。这反映出在DDR4市场供应偏紧的环境下，合同客户为确保稳定供货，愿意支付接近甚至与现货市场相符的价格。

NAND市场蓄势待发：QLC SSD有望在2026年实现爆发式增长

在NAND闪存市场方面，动能同样强劲。外媒报道称，美国谷歌公司（Google）和美国甲骨文公司（Oracle）等科技巨头正积极拓展其人工智能基础设施建设，并大力转向高性能推理应用。这一趋势显著推动了对高容量存储产品的需求增长。

业界消息显示，目前高容量近线硬盘（Nearline HDDs）的交付周期已延长至接近一年，这意味着数据中心等大型用户在获取传统大容量存储设备时面临长时间的等待。为应对这一挑战，存储器供应商正积极研发和推广近线固态硬盘（Nearline SSD）产品。他们的目标是将固态硬盘与传统硬盘之间的价格差距，从当前的4至5倍缩小到3倍左右，以此鼓励更多客户采用固态硬盘作为替代方案。

新媒网跨境了解到，集邦咨询（TrendForce）的最新调查报告揭示，人工智能生成的海量数据正给全球数据中心存储基础设施带来巨大压力。作为大规模存储传统支柱的近线硬盘，正面临严重的供应短缺，这使得高性能但成本相对较高的固态硬盘进入了市场焦点。报告特别指出，预计到2026年，高容量QLC（Quad-Level Cell）固态硬盘的出货量可能会实现爆发式增长。QLC技术通过在每个存储单元中存储更多数据，实现了更高的存储密度和更低的成本，使其成为应对AI数据洪流的理想选择，尤其是在对容量和成本敏感的数据中心应用中。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/dram-nand-prices-up-15-30-ddr4-taiwan.html