定制化HBM4E爆发！巨头2026抢跑，目标2027年40%市场。

HBM4E高带宽内存作为HBM4之后的增强版本，正成为存储行业关注的焦点。新媒网跨境获悉，随着HBM4预计在2026年进入大规模生产阶段，业界已将目光投向HBM4E的研发与市场布局。外媒《朝鲜商业报》援引业内消息指出，HBM4E的市场发展预计将超越标准化、大规模生产的模式，转变为更加侧重定制化解决方案，即核心组件将根据客户的具体需求进行量身定制。这一转变有望成为领先内存制造商在市场竞争中制胜的关键因素。

文章进一步披露，韩国的三星电子和SK海力士两大存储巨头，正将HBM4E的开发完成时间提前至2026年上半年。鉴于搭载HBM4E的AI加速器计划于2027年上市，这一加速的开发时间表旨在确保产品能在2026年下半年完成严格的质量验证。

HBM4E与客户驱动型内存设计的转型

针对HBM4E，该外媒报道强调，三星和SK海力士等存储巨头正积极准备进入HBM产品的新阶段——定制化HBM。这意味着HBM的关键组成部分“逻辑层芯片”（logic die）将根据客户的特定要求进行设计和制造。

报告指出，进军定制化内存市场的企业需要具备强大的设计能力以及先进的晶圆代工工艺支持，以便迅速响应客户需求。三星电子已从HBM4开始，在其逻辑层芯片上应用自有的晶圆代工工艺，以此积累专业知识，这可能为公司在定制化领域奠定优势基础。

报道援引的消息人士认为，尽管SK海力士凭借与美国英伟达（NVIDIA）的紧密合作，预计将在HBM4E时代保持领先地位，但市场竞争格局仍可能发生变化。随着全球大型科技公司自主开发AI加速器，并不断扩大对定制化HBM产品的需求，三星电子凭借其晶圆代工能力的支持，有望获得优势，从而潜在地改变市场动态。

与此同时，外媒Investing.com报道，美国美光科技（Micron）首席执行官Sanjay Mehrotra表示，该公司计划于2027年推出的HBM4E产品将同时提供标准版和定制版，并且正在与台积电（TSMC）合作开发。外媒《朝鲜商业报》同时指出，SK海力士在HBM4的生产上依赖台积电，而美光则选择自主生产其DRAM和基底芯片。

HBM4E的市场预测与需求增长

分析师指出，HBM4E有望在两年内成为HBM市场的主导产品。数据显示，2026年全球HBM需求预计将同比增长77%，2027年将同比增长68%。其中，HBM4E预计将在2027年占据HBM总需求约40%的市场份额。这些数据反映出AI技术持续发展对高性能内存的强劲需求，以及HBM技术迭代速度的加快。

这一市场趋势不仅预示着HBM4E将成为高带宽内存领域的新焦点，也突显了内存制造商在技术创新、客户合作以及生产工艺上的关键作用。定制化HBM的崛起，标志着存储行业正从通用型产品向深度集成、应用驱动型解决方案转型，以满足人工智能时代日益增长的专业化需求。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/custom-hbm4e-boom-2026-40-market-2027.html