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台积电1.4纳米晶圆厂建设规划浮出水面：2025年第四季度有望在中科园区动工

新媒网跨境获悉，全球领先的半导体代工巨头台积电，其位于中国台湾地区中部科学园区（中科园区）的1.4纳米新晶圆厂建设规划日前进一步明朗。据外媒报道，中科园区管理局局长许茂新确认，该厂预计将于2025年第四季度正式动工。目前，承建商仍在最终确定具体的施工进度表。

该报道进一步指出，随着更为先进工艺的采用，这座新厂的预计产值有望从最初的4857亿新台币提升至5000亿新台币的规模。同时，预计将带来约4500个就业岗位，这对于当地经济发展具有重要意义。

先进工艺布局：剑指全球最前沿

中科园区第二期扩建计划，将为台积电的1.4纳米先进工艺预留四座晶圆厂。根据规划，其中首座工厂预计在2027年启动试生产，并于2028年下半年实现大规模量产。届时，1.4纳米工艺有望成为全球半导体制造领域的最尖端技术之一。外媒援引机构投资者的观点称，台积电的先进工艺路线图已规划至2030年，展现了其在技术创新方面的长期战略视野。

2纳米与A16工艺进展：技术革新持续推进

在更早期的工艺节点上，台积电同样保持着清晰的进展。根据公司规划，2纳米（N2）芯片的量产预计在2025年下半年启动，这将标志着一项重大技术飞跃。2纳米工艺将引入全新的全环绕栅极（GAA）半导体架构，这是自鳍式场效应晶体管（FinFET）技术以来，台积电在半导体架构上的最大一次转型。GAA架构通过优化栅极对通道的控制，有效提升了芯片的性能和功耗效率，以应对未来高性能计算的需求。

紧随其后，台积电计划在2026年下半年迈向A16工艺。该工艺的目标是在性能和能效方面实现额外15%至20%的提升，进一步巩固其在先进芯片制造领域的领先地位。这意味着A16工艺将为AI、高性能计算（HPC）等高能耗应用提供更强大的硬件支撑。

多地同步扩产：满足AI与HPC的强劲需求

为了满足全球市场对人工智能（AI）和高性能计算（HPC）芯片日益增长的需求，台积电正积极推动多地的产能扩张。外媒报道称，除了中科园区的1.4纳米规划，台积电还计划在2025年下半年，于中国台湾地区的新竹和高雄晶圆厂启动2纳米芯片的量产。同时，高雄的1.6纳米芯片产线也已排定在2026年下半年投入生产。

此外，台积电在先进封装产能方面的建设也在同步进行。中国台湾地区南部科学园区（南科园区）管理局局长郑秀玲公开表示，嘉义园区的扩建项目正按计划推进，驳斥了此前外媒关于其可能突然暂停的猜测。这表明台积电在提升芯片制造能力的同时，也正着力解决后道封装环节的瓶颈，以提供更完整的先进芯片解决方案。台积电的这些大规模投资与技术布局，无疑将对全球半导体供应链和高科技产业发展产生深远影响。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/ctsp-tsmc-14nm-fab-q4-2025-to-500b-output.html