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内存市场近期动态显示，部分存储芯片制造商已暂停对部分DRAM和NAND产品的报价，尤其是在中国市场，相关产品正面临“每日定价”的局面。这种现象凸显了全球存储芯片供应链面临的显著价格压力。

当前，市场普遍感受到价格上涨的趋势。新媒网跨境获悉，多家中国模组厂商向Cailian Press表示，自2025年第一季度以来，DDR4内存的制造商报价持续攀升。Manmanbuy App的市场数据显示了这一影响：一款金士顿DDR4台式机内存模组的价格自2025年3月开始飙升，目前已比一年前上涨了一倍以上。

价格上涨态势持续

根据外媒TrendForce的报告，高带宽内存（HBM）的晶圆消耗量是标准DRAM的三倍以上，这使得各大存储芯片巨头优先生产利润率更高的HBM和DDR5产品。这直接导致了消费电子产品中使用的DDR4和LPDDR4X等传统产品的供应紧张。Cailian Press援引TrendForce的预测指出，DDR4的短缺状况可能持续到2026年上半年。同时，TrendForce预计，包括HBM在内的整体DRAM价格在2025年第四季度将环比上涨13%至18%。

人工智能需求与产能限制驱动价格长期上扬

Cailian Press分析指出，内存行业历来具有周期性特征，价格急剧上涨后通常会伴随下跌。然而，2025年内存芯片价格已持续上涨超过六个月，并且在第四季度非但没有降温，反而由于多重因素叠加，涨势进一步加剧。

外媒TrendForce识别出推动此次价格上涨的两个显著驱动因素：

首先，2025年第二季度至第三季度的价格上涨，部分原因在于DDR4产品生命周期临近末期（End-of-Life, EOL）的公告，以及在中美关税紧张背景下，市场出现的预先囤货行为。

其次，从2025年第四季度直至2026年上半年，预计内存价格将进一步上涨。这主要是因为北美数据中心加快了对人工智能服务器的投资，从而大幅增加了对DDR5 RDIMM、LPDDR5X和HBM等高性能内存的需求。

外媒TrendForce还提到，当前内存产能的扩张速度滞后于市场需求的增长，这意味着成熟工艺节点产品的供应短缺问题将日益加剧。对于中国本土企业而言，Cailian Press援引TrendForce的报告指出，自2025年8月以来，整个行业已进入新一轮的价格上涨周期。制造商的利润空间显著扩大，而模组厂商也在积极囤积芯片和晶圆库存，以应对未来的市场变化。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/china-ddr4-doubles-shortage-to-2026.html