AI驱动下，NAND闪存2026年利润率望破50%，价格涨超55%！

NAND闪存市场正经历一场显著的变革。新媒网跨境获悉，全球两大存储巨头三星电子和SK海力士，预计将在2026年上半年实现NAND闪存业务的创纪录高利润率。行业分析师普遍预期，这两家公司的NAND利润率有望达到40%至50%区间，这标志着存储行业进入一个强劲的盈利周期。

利润飙升：十年未见的“NAND春天”

外媒ZDNet的报告指出，行业普遍认为，NAND产品在经历了近十年的沉寂之后，将首次迎来创纪录的盈利水平，这可追溯到2017年的存储器超级周期。报告进一步提及，NAND利润率在去年第四季度已经攀升至20%左右，为当前的强劲增长奠定了基础。

市场消息显示，NAND闪存价格预计将在2026年第一季度和第二季度分阶段上涨。价格持续上涨的背后，是存储供应商在NAND领域的资本支出趋于保守，这一策略导致市场供应持续收紧，加剧了供应短缺的局面。这种供需关系的紧张，是推动NAND价格和利润率飙升的核心原因。

技术驱动：QLC优势凸显，SK海力士或受益更多

值得关注的是，报告指出，SK海力士因其产品组合中四层存储单元（QLC）NAND闪存的占比更高，其盈利能力被市场普遍认为将高于三星电子。QLC技术能够实现每个存储单元存储四位数据，这使其非常适合高容量应用，并在服务器固态硬盘（SSD）中得到日益广泛的应用。

相较于传统的三层存储单元（TLC）NAND，QLC在单位存储容量成本上更具优势，尽管其写入速度和耐久性可能略逊一筹，但在数据中心和AI应用中，对大容量存储的需求优先级更高，使得QLC成为更具吸引力的选择。这种技术路线的差异，也可能导致不同存储厂商在利润周期中的表现出现分化。

AI浪潮：服务器SSD需求激增的幕后推手

当前，全球大型科技公司正以前所未有的速度加速对人工智能（AI）基础设施的投资，这一趋势直接推动了服务器固态硬盘（SSD）需求的迅猛增长。AI训练和推理所需的庞大数据处理能力，对存储系统提出了极高的要求，尤其是在容量和带宽方面。

外媒Economic Daily News特别强调，英伟达（NVIDIA）的Vera Rubin系统预计将配备18个计算托盘，每个托盘内嵌4个图形处理器（GPU）。每个GPU将搭配大约16 TB的三层存储单元（TLC）SSD存储。这意味着，一台Vera Rubin服务器所需的NAND容量可能高达1,152 TB。如此庞大的存储需求，无疑对NAND闪存市场构成了巨大的拉动效应，使其成为当前市场景气度提升的关键驱动力。

市场风向标：合约价格涨幅超预期

存储市场研究机构TrendForce的分析进一步印证了当前的乐观趋势。TrendForce指出，2026年第一季度，持续的AI和数据中心需求正在进一步加剧全球存储器市场的供需失衡。受此影响，NAND Flash合约价格的涨幅预期已被修正。

最初预测的33%至38%的涨幅，现已上调至55%至60%，并且未来仍存在进一步上调的可能性。这一大幅修正不仅凸显了NAND市场供不应求的严峻局面，也预示着存储芯片价格的强劲上涨周期远未结束，这将对整个电子产业链的成本结构产生深远影响。

竞争格局重塑：“NAND春天”下的战略棋局

外媒Chosun Ilbo的报道指出，随着半导体行业普遍预期“NAND春天”的到来，NAND市场当前的竞争格局可能迎来一次深刻的洗牌。报告分析，虽然三星电子和SK海力士正在逐步缩减NAND闪存的产量，并将更多资源和产能优先投入到DRAM（动态随机存取存储器）领域，特别是针对AI应用的高带宽存储（HBM）产品，但其竞争对手却选择逆势而上。

在这种背景下，日本铠侠（Kioxia）和美国西部数据（SanDisk）等竞争对手正在加速其在NAND领域的投资。例如，铠侠和西部数据已将其在日本Yokkaichi的合资企业协议延长五年，直至2034年12月31日，此举旨在更好地应对NAND市场日益增长的需求。此外，美国美光科技（Micron）也宣布了扩建其在新加坡NAND制造基地的计划。这些举措表明，尽管市场领导者正在调整战略重心，但其他厂商正积极抓住这一市场机遇，通过扩大产能和深化合作来抢占市场份额，从而可能重塑未来的NAND市场版图。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/ai-nand-profit-50-price-55-up-2026.html