AI大模型告别存储瓶颈！HBF容量翻10倍，2027年正式面世！

随着人工智能浪潮的汹涌而至，全球半导体记忆体产业正迎来一场深刻的变革。长期以来，图形处理器（GPU）在AI计算领域占据主导地位，但业界对记忆体在未来AI架构中的核心作用正形成新的共识。新媒网跨境获悉，韩国科学技术院（KAIST）教授、被誉为“高带宽记忆体（HBM）之父”的金正浩近期在一次线上节目中发表了引人注目的观点，他指出：“在AI时代，权力平衡正在发生转移——从GPU转向记忆体。”金正浩教授预测，记忆体将在人工智能时代扮演日益关键的角色，甚至不排除NVIDIA未来会收购一家记忆体公司的可能性。在此背景下，他重点提及了一种新兴的记忆体技术——高带宽闪存（HBF），并预计其将在2026年初取得新进展，并在2027年至2028年间正式亮相市场。

AI时代存储瓶颈与HBF的崛起

当前，传统硬盘驱动器（HDD）行业正面临向热辅助磁记录（HAMR）技术转型的挑战，而HAMR技术初期成本高昂，使得近线固态硬盘（Nearline SSD）作为一种更具成本效益的替代方案，逐渐获得市场青睐。与此同时，HBF技术正被视为克服AI集群存储容量瓶颈的关键。在AI推理时代，记忆体容量的重要性前所未有地凸显。领先的芯片制造商如何优化记忆体使用，已成为衡量性能的核心因素。其中一个显著的例子是键值（KV）缓存，它作为AI模型的短期记忆，直接影响模型的响应速度和效率。金正浩教授认为，HBF将与HBM并行，共同成为下一代主要的记忆体技术，从而推动半导体制造商的增长。

从概念上讲，HBF与HBM在设计理念上存在相似之处——两者都利用硅通孔（TSV）技术，将多个芯片垂直堆叠。这种三维堆叠技术极大地缩短了数据传输路径，提升了数据处理效率。然而，HBF是基于NAND闪存构建的，这使其在容量和成本方面展现出显著优势。NAND闪存的单位存储成本远低于DRAM，且能够实现更高的存储密度。

行业巨头布局HBF技术标准与产品研发

为推动HBF技术的标准化和商业化进程，存储行业的两家巨头已率先采取行动。2025年8月，SanDisk（一家隶属于西部数据公司的NAND闪存产品品牌）与SK海力士签署了一份谅解备忘录（MoU），旨在共同定义HBF的技术规范并促进其标准化。双方的目标是在2026年下半年推出HBF记忆体样品，预计首批采用HBF的AI推理系统将在2027年初问世。此举标志着HBF技术从概念走向实际应用的关键一步，也预示着记忆体行业新一轮竞争的开启。

值得注意的是，在2025年10月中旬举行的OCP全球峰会（Open Compute Project Global Summit）上，SK海力士便已经展示了其全新的“AIN家族”存储产品系列，其中包括搭载HBF技术的AIN B系列。这表明SK海力士已在HBF产品研发上取得了实质性进展，并积极将其整合到面向数据中心的解决方案中。

与此同时，业界消息称，三星电子也已着手进行自有HBF产品的早期概念设计工作。有迹象表明，三星计划利用其在类似高性能存储技术方面的研发经验，以满足数据中心对高带宽闪存日益增长的需求。然而，该项目仍处于早期阶段，具体的规格和大规模生产时间表尚未最终确定。尽管如此，三星的加入无疑将加速HBF技术的发展和市场普及。

金正浩教授进一步强调，尽管NAND闪存的访问速度相对于DRAM较慢，但其容量可以超过DRAM十倍以上。通过堆叠数百甚至数千层NAND闪存单元，HBF能够满足AI模型对海量存储的巨大需求，这使其有望成为与HBM相对应的、基于NAND的AI存储解决方案。他在节目中大胆预测：“HBM时代正在走向终结——HBF时代即将到来。”

未来AI架构的记忆体分层愿景

展望未来，金正浩教授为未来的AI架构描绘了一个多层次的记忆体分级体系，他将其形象地比喻为一个智能图书馆系统：