AI数据中心成本急降！三星NAND闪存功耗暴降96%。

在当下的科技圈，存储芯片市场正经历着一场“冰火两重天”。一边是供应紧张、价格蹭蹭往上涨，让不少下游厂商直呼“肉疼”；另一边，半导体巨头们为了抢占未来高地，正在疯狂点亮科技树。

作为全球半导体的“带头大哥”，三星（Samsung）最近可谓动作频频。面对行业的双重压力，三星没有选择躺平，而是祭出了一记“王炸”——一项革命性的NAND闪存技术。

据新媒网跨境获悉，这项技术有望将功耗大幅降低逾90%！这对于那些被电费搞得头大的AI数据中心、以及续航总是不够用的移动设备来说，绝对是雪中送炭。

具体情况是这样的，韩国三星先进技术研究院（SAIT，也就是原来的三星综合技术院）在11月27日高调宣布，他们搞定了一种能显著提升NAND闪存能效的新结构，而且这项成果已经被科学界的顶级刊物**《自然》（Nature）**杂志接收并刊登。

外媒报道指出，这是全球范围内，首次有人成功揭示了如何将“氧化物半导体”与“铁电结构”完美结合的机制。 结果就是，NAND闪存的功耗被惊人地削减了96%。

这到底是什么原理？

咱们通俗点解释：传统的NAND闪存，存数据就像是往一个个小房间（存储单元）里硬塞电子。为了让容量更大，厂商们只能像盖楼一样，把这些房间堆得越来越高（层数堆叠）。但问题来了，楼越高，把信号推上去需要的力气（电压）就越大，这就导致了读写功耗的飙升。

而三星这次的突破，关键在于换了材料。他们采用了氧化物半导体。虽然这玩意儿在控制“开关门”（阈值电压）上有点难搞，但它有一个天生的优势——极低的漏电流。

研发团队灵机一动，把这种“不漏电”的特性和“铁电极化控制”结合起来，一下子就找到了降低操作电压的钥匙。外媒评价相当高，认为这直接为三星在未来**低功耗、大容量固态硬盘（SSD）**领域称霸铺平了道路。

一旦这玩意儿量产商业化，对于那些超大规模的人工智能数据中心、咱们手里的智能手机，甚至是边缘AI设备，都将带来巨大的功耗节省。省下的电费就是纯利润，更能推动整个AI产业在能耗压力下实现可持续发展。

技术突破的同时，三星内部也在进行一场大刀阔斧的改革。

据外媒披露，作为半导体（DS）部门广泛改革的一部分，三星的顶尖大脑——SAIT正在向新的“实验室”结构转型。

DS部门的一把手、副会长玄钟衍近期做出了调整，将更多的研究人员下放到各个业务一线部门，而把SAIT精简为一个更加紧凑、灵活的“特种部队”，围绕特定的核心实验室进行重点攻关。

而且，这次重组还伴随着一位重量级人物的加盟。据报道，**哈佛大学教授朴弘根（Park Hong-kun）**已被任命为SAIT的新任所长。

更有意思的是，之前被整合到公司AI中心的AI研究部门，现在又被重新划归到了SAIT旗下。这一看就是要搞事情，明显是为了进一步加强前瞻性的人工智能研究。这一系列组合拳，目的只有一个：确保三星在半导体和AI这两个命脉领域，始终握有话语权。

虽然技术前景很美好，但眼下的市场现实却很骨感。

全球NAND闪存市场正在经历剧烈波动。 据多家外媒报道，各大NAND巨头在2025年下半年都默契地削减了产能。这直接导致了什么后果？当然是涨价。

市场普遍预测，韩国三星极有可能在2026年将NAND闪存价格上调20%至30%。

无独有偶，另一家存储大厂美国**闪迪（SanDisk）**也放出了风声，表示NAND闪存的供应短缺局面可能要持续到2026年以后。甚至有些急得不行的客户，已经开始寻求锁定2027年的供应保障了。

在这样的背景下，再看三星这次推出的低功耗NAND技术和SAIT的重组，就显得意味深长了。

对于咱们国内的跨境从业者和科技关注者来说，这不仅是行业新闻，更是风向标。存储成本的上升和AI能效的革命，将直接影响未来的硬件成本和产品形态。

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