DRAM库存仅3.3周!AI热潮引爆记忆体价格暴涨30%。

2025-09-30AI工具

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全球记忆体市场正迎来关键时刻。新媒网跨境了解到,外媒援引全球市场研究机构TrendForce的最新报告指出,截至2025年第三季度末,全球DRAM库存水平已降至平均仅3.3周,这一数字与2018年的低点持平,预示着记忆体市场可能正迈向一个新的“超级周期”。

该报告进一步阐释,当前DRAM库存数据,与七年前曾出现的3至4周低点相符。尽管买家目前仍持有大约10周的库存,但市场对记忆体的需求依旧强劲,并未因库存量而减弱。这种供需失衡的局面,为价格上涨奠定了基础。

在外媒的另一篇报道中,有分析指出,记忆体半导体行业通常遵循一个3至4年的繁荣与衰退周期。虽然该行业曾在2018年至2019年达到历史峰值,但报告援引的专家观点认为,当前的市场周期正受到人工智能(AI)热潮的显著重塑和放大。外媒参考摩根士丹利(Morgan Stanley)的预测,本轮周期的高峰预计将在2027年到来,且本轮强劲增长势头有望持续一年以上。

随着DRAM库存跌至历史新低,其市场价格也随之强劲上涨。TrendForce的报告揭示,全球三大DRAM主要供应商正在优先将其先进工艺产能转向高端服务器DRAM和高带宽记忆体(HBM)的生产。这一战略性调整导致用于个人电脑(PC)、移动设备和消费电子领域的传统DRAM供应受限。受此影响,预计2025年第四季度,传统DRAM的合约价格将环比上涨8%至13%。如果将HBM产品纳入考量,整体涨幅甚至可能达到13%至18%。

与此同时,外媒援引TrendForce的数据显示,NAND Flash(闪存)产品的合约价格,预计在2025年第四季度也将迎来全面上涨,平均涨幅预计在5%至10%之间。这意味着,在AI需求驱动下,整个记忆体存储市场都面临着供应紧张和价格上行的压力。

AI热潮如何引爆记忆体紧缺?

外媒分析,近期记忆体需求的强劲增长,主要由人工智能技术的爆发式发展所驱动。高带宽记忆体(HBM),这种通过将多层DRAM晶片堆叠并捆绑起来、如同“高层公寓”般构建的先进记忆体产品,正成为AI算力提升的关键。为了满足HBM的巨大需求,三星电子等记忆体制造商不得不调整其DRAM生产线,将其部分产能转用于HBM的生产,这直接导致了传统DRAM的整体产量减少。

与此同时,另有一股需求力量正在汇聚。外媒指出,2017年至2018年期间建设的大规模数据中心,在经过多年的运营后,正陆续进入服务器更新换代的周期。这些替换需求,为通用DRAM市场带来了额外的、强劲的增长动力。

此外,外媒报道提到,包括亚马逊(Amazon)、微软(Microsoft)和谷歌云(Google Cloud)在内的传统超大规模数据中心运营商,以及OpenAI和Meta等新兴的AI巨头,正投入巨额资金建设全新的AI数据中心。与以往的市场周期不同,这些专门为AI应用设计和优化的数据中心,正在成为记忆体需求增长的主要引擎,驱动着整个市场的蓬勃发展。这些设施对高带宽、大容量记忆体的需求远超传统数据中心,彻底改变了记忆体市场的供需格局。

在NAND Flash市场,外媒指出同样面临着巨大的压力。为了满足AI数据处理日益增长的需求,企业级固态硬盘(eSSD)正在大规模替代或补充传统的机械硬盘(HDD)。这种从HDD向eSSD的加速转型,极大地刺激了NAND Flash的市场需求,进而加剧了NAND Flash的供应短缺状况。

然而,尽管市场需求持续升温,外媒指出,记忆体制造商并未选择快速扩大生产规模,而是坚持其长期投资计划。有业内人士向外媒透露,面对诸多不确定性因素,例如特朗普政府时期(美国)的贸易关税,以及中国企业长江存储(YMTC)和长鑫存储(CXMT)近期进入HBM市场带来的潜在竞争,无限期地扩大DRAM产量变得愈发困难。这些宏观经济和地缘政治因素,使得制造商在投资决策上表现得更为谨慎,进一步限制了短期内供应能力的迅速提升。

酝酿中的新一轮价格上涨

在此背景下,记忆体巨头们正积极准备新一轮的价格上涨,以应对AI热潮所引发的供应短缺。继三星和美光之后,SK海力士(SK hynix)虽然尚未发布正式声明,但据外媒消息,该公司正依据市场状况调整价格策略,并已与客户展开了相关的价格谈判。

外媒报道详细披露,三星已通知其主要客户,预计2025年第四季度DRAM产品的合约价格将普遍上涨15%至30%,其中涵盖了LPDDR4X和LPDDR5/5X等多种主流型号。而在NAND产品方面,eMMC和UFS的合约价格预计也将上涨5%至10%。这些价格调整反映了市场供需关系的紧张,以及制造商对未来价格走势的信心。

与此同时,外媒传闻称,美光(Micron)在暂停报价约一周后,已向其渠道合作伙伴传达信息,预示所有存储产品的价格可能跳涨20%至30%。这一消息如果属实,将进一步确认记忆体市场价格上涨的普遍性和幅度,预示着下游厂商将面临更高的采购成本。

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本文来源:新媒网 https://nmedialink.com/posts/ai-boom-ignites-memory-price-hike-to-30.html

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2025年第三季度末,全球DRAM库存降至3.3周,逼近历史低点。AI热潮和数据中心更新换代驱动需求,导致DRAM和NAND Flash价格上涨。三大DRAM供应商转向高端产品,传统DRAM供应受限,预计2025年Q4合约价格将上涨8%-18%。NAND Flash价格预计上涨5%-10%。特朗普政府时期的贸易关税和潜在竞争加剧了市场的不确定性。
发布于 2025-09-30
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