2026年AI芯片巨头三星海力士HBM4/GDDR7暴增70%！

全球跨境领域，人工智能（AI）热潮正以前所未有的速度推动着存储芯片技术的迭代升级。作为AI算力基石，高性能存储器的需求呈几何级增长，促使韩国两大芯片巨头——三星电子与SK海力士——加速布局下一代DRAM解决方案。新媒网跨境获悉，两家公司计划在2026年国际固态电路会议（ISSCC）上，向全球展示其最新的技术成果，预示着存储器市场的激烈竞争与技术飞跃。

SK海力士发布新一代GDDR7与LPDDR6存储器

根据外媒报道，SK海力士在此次会议上将重磅推出其最新一代GDDR7和LPDDR6存储器。其中，GDDR7显存以每引脚48 Gb/s的带宽和24 Gb的密度亮相，采用了对称双通道设计，主要面向对高带宽有严苛要求的应用场景，包括图形处理器（GPU）、AI边缘推理设备以及高端游戏平台。

值得注意的是，SK海力士此次发布的GDDR7 DRAM规格超出了业界普遍预期。外媒强调，此前行业普遍预测下一代GDDR7的峰值带宽将在32至37 Gbps左右。然而，SK海力士在ISSCC上提交的论文将展示48 Gbps的运行能力和24 Gb的密度，这清晰地表明了其在技术上的领先地位。

外媒进一步指出，与当前普遍的28 Gbps GDDR7相比，SK海力士的这一突破意味着传输速度提升超过70%。具体而言，其每芯片带宽可达192 GB/s，而现有28 Gbps产品的每芯片带宽大约为112 GB/s。这一显著的技术飞跃，无疑将深刻重塑图形DRAM的性能格局，为未来更强大的AI计算和图形渲染能力奠定基础。

与此同时，SK海力士还首次展示了其14.4 Gb/s的LPDDR6移动DRAM。相比于LPDDR5的9.6 Gb/s带宽，LPDDR6实现了实质性的带宽提升。它被定位为一款专为高性能智能手机、AI PC以及配备生成式AI功能的边缘设备优化的移动存储解决方案，旨在满足这些终端设备日益增长的AI处理需求。

三星电子推出新一代HBM4存储器

另一方面，外媒消息称，三星电子也将展示其下一代HBM4存储器，该产品具备36GB的容量和3.3 TB/s的惊人带宽。HBM4基于1c DRAM工艺制造，重点优化了其硅通孔（TSV）架构，旨在显著减少通道间信号延迟，从而为即将到来的AI加速器提供超高带宽和低功耗的数据传输能力。

外媒指出，三星电子的HBM4在带宽方面取得了相对于前几代产品的显著进步。更重要的是，它能够满足领先的GPU和AI专用集成电路（ASIC）制造商对3 TB/s以上吞吐量的严格要求，预计将在2026年开始广泛应用于AI服务器加速器领域。

围绕HBM4的供应与定价，市场竞争已然升温。目前，三星电子正与美国芯片巨头英伟达（NVIDIA）就2026年的HBM4供货价格进行谈判。据外媒援引消息人士称，就在英伟达与SK海力士敲定HBM4供应合同一周后，英伟达便将三星电子也带到了谈判桌前。报道补充道，鉴于当前HBM4市场需求旺盛且供应紧张，且供应商并无强烈意愿下调单价，三星电子内部目标是其12层HBM4存储器能与SK海力士的产品保持相同的定价水平。这反映出HBM4在AI供应链中的战略重要性及其稀缺性，供应商在定价方面拥有较强的议价能力。
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