三星DRAM！InGaO材料助力0a 2027年面世！

三星电子在DRAM技术上取得突破，成功研发用于次10纳米DRAM的新方法。采用InGaO材料的晶体管克服了高温问题，为0a/0b DRAM的量产奠定基础。预计2027年前推出首款次10纳米0a DRAM，并计划在2025年内推出用于HBM4的第六代10纳米1c DRAM。