三星DRAM！InGaO材料助力0a 2027年面世！

三星电子，这家全球存储芯片巨头，在DRAM技术研发领域持续突破。继今年7月成功完成第六代1c DRAM的开发，并采用了10纳米级工艺后，三星正积极推进下一代DRAM技术的创新。新媒网跨境获悉，三星电子与三星先进技术研究院（SAIT）近日共同公布了一项用于实现次10纳米DRAM的新方法。此项技术未来有望应用于更先进的0a和0b DRAM节点，标志着DRAM微缩进程迈向新阶段。

据韩国媒体《韩经》在2024年末的报道，三星计划在今年（2025年）内推出用于HBM4的第六代10纳米1c DRAM。紧随其后，第七代10纳米1d DRAM预计将于2026年面世。更值得关注的是，三星的目标是在2027年前引入其首款次10纳米0a DRAM，展现了其在存储技术前沿领域的雄心。

一位外媒援引的业内消息人士指出，尽管这项创新技术仍处于研究阶段，距离三星DRAM产品的商业化应用尚需数年，但其明确指向了0a或0b等次10纳米节点，预示着未来DRAM技术的发展方向。

InGaO：解锁次10纳米DRAM的关键

外媒报道指出，在近期于美国旧金山举行的IEEE国际电子器件会议（IEDM）上，三星展示了一种专为次10纳米“单元在周边电路之上”（Cell-on-Periphery, CoP）垂直通道DRAM设计的“高热稳定性非晶氧化物半导体晶体管”。这份报告详细解释了这一DRAM结构采用了CoP设计，即将存储单元垂直堆叠在周边电路之上。

此前，这种架构面临的挑战在于，在存储单元堆叠过程中会产生高达550°C的高温，这会导致内存单元下方的周边晶体管受损，进而影响整体性能。然而，三星通过引入非晶态铟镓氧化物（Indium-Gallium-Oxide, InGaO）材料，成功克服了这一技术难题。

据外媒报道，三星在此次会议上展示了首个采用非晶态InGaO材料制成的高热稳定性垂直通道晶体管（VCT）。该晶体管具有100纳米的沟道长度，并能够承受高达550°C的极端高温。三星方面表示，这种晶体管可以集成到整体CoP DRAM架构中，为DRAM的进一步微缩和性能提升提供了新的路径。

报告进一步解释称，经过在氮气环境中550°C加热这一标准的可靠性测试后，该晶体管几乎没有出现性能损失。关键的性能指标，即阈值电压偏移，保持在0.1电子伏特以下，这表明晶体管的功能一如既往地稳定。同样，流经晶体管的电流也保持强劲，未显示出任何损坏迹象。

三星方面通过该报告表示，InGaO晶体管之所以能够展现出卓越的耐热性，源于其紧密的原子结构。这种结构能够有效抑制离子漂移，从而确保在高温环境下仍能保持稳定的性能。这一材料创新是实现次10纳米DRAM量产的关键一步，为存储行业带来了新的突破。

行业背景与深远意义

当前，全球半导体产业正经历着前所未有的发展周期，尤其是在人工智能（AI）、高性能计算（HPC）以及大数据等新兴技术的推动下，对DRAM的需求呈现出爆发式增长。市场对于更高带宽、更大容量、更低功耗DRAM产品的渴望日益强烈，HBM（高带宽存储器）作为DRAM的先进形态，已成为AI加速器等高端应用的核心组件。

DRAM技术的不断微缩是提升存储密度和降低成本的必然趋势，但随着制程节点逼近物理极限，传统材料和工艺面临着严峻挑战。其中，如何在极高集成度下解决热管理问题，确保器件的长期稳定性和可靠性，是所有存储制造商必须攻克的难关。三星此次通过InGaO材料创新，有效解决了CoP架构中高温对周边电路的损害，正是对DRAM微缩过程中核心技术瓶颈的一次有力回应。

此次技术突破不仅巩固了三星在全球DRAM技术研发领域的领先地位，也为整个存储行业指明了下一代DRAM技术发展的方向。非晶态InGaO的应用，预示着材料科学在半导体制造中的重要性日益凸显，通过新材料的引入来规避物理限制，已成为推动摩尔定律延续的关键路径。虽然商业化仍需时日，但这项研究成果为未来0a、0b等次10纳米DRAM的量产奠定了坚实基础，有望为AI时代的高性能计算提供更强劲的存储支撑。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/samsung-dram-ingao-enables-0a-2027-debut.html