美国！台积电2026先进封装投产。全球芯片新格局开启。

在当前全球半导体产业激烈竞争的背景下，芯片制造巨头台积电正以前所未有的速度，在全球范围内加速其先进封装产能的布局。这一系列举措不仅关乎台积电自身的战略发展，更对全球高性能计算芯片的供应链稳定与未来走向产生深远影响。

台积电嘉义AP7先进封装厂建设提速：双期工程并行推进

新媒网跨境获悉，台积电近期在台湾嘉义举办了其AP7先进封装厂的开工典礼，标志着这一关键项目的正式启动。据外媒报道，供应链消息人士透露，AP7厂区二期工程（P2）的设备安装与测试工作已于近期展开，预计将在2026年正式投产。与此同时，原计划更为靠前的AP7厂区一期工程（P1）预计在2026年进行设备进驻，并在2027年实现大规模量产。之所以出现二期先行的情况，是因为此前P1厂址区域曾发现考古遗迹，导致其施工进度受到延误，从而使得P2能够更早地启动并推进。

台积电在先进封装领域的扩张并非仅限于本土。在台湾地区之外，台积电也在美国积极推进其先进封装能力的建设。外媒消息指出，台积电在美国亚利桑那州的晶圆厂项目进展迅速，其先进封装的产能需求已刻不容缓，无法等待在现有厂区之外新建一座完全独立的封装工厂。因此，业界普遍预计，台积电将把原计划用于晶圆厂六期（P6）的区域，转而用于建设先进封装设施。如果建设工作一切顺利，设备安装最快有望在2027年底前启动，届时该厂区将进入预生产阶段。此举旨在补齐美国本土晶圆制造的后段环节，提升供应链的完整性和韧性。

嘉义AP7厂区技术聚焦：WMCM、SoIC与CoPoS多元集成

在台湾嘉义的AP7厂区，台积电规划引入多项最前沿的先进封装技术。据外媒报道，该厂区将涵盖晶圆级多芯片模组（WMCM）、系统整合芯片（SoIC）以及基板上芯片堆叠（CoPoS）等核心技术。其中，WMCM技术旨在通过在晶圆层面上将多个异构芯片进行集成，实现更高的封装密度和性能，尤其适用于高性能计算和人工智能芯片。SoIC则是台积电独有的三维（3D）堆叠技术，通过晶圆对晶圆（Wafer-on-Wafer）的键合方式，实现芯片的垂直堆叠，从而显著缩短互联距离，提升数据传输速度和效率。而CoPoS技术则是一种将芯片直接放置在中间层或面板上，再通过基板进行连接的封装方式，适用于需要更大封装面积和更高集成度的应用。

嘉义AP7厂区总占地面积达1.5万平方米，计划分八期进行建设。根据消息人士的说法，AP7的一期和三期工程将优先专注于SoIC技术的产能扩充，以满足市场对高性能3D堆叠芯片日益增长的需求。与此同时，二期工程则定位为苹果公司的WMCM专属生产基地，凸显了台积电与主要客户在先进技术开发和产能保障方面的紧密合作。至于CoPoS技术，目前规划在四期工程中实现大规模量产，预计在2028年底左右开始出货。这种分阶段、分技术重点的建设策略，体现了台积电对未来市场需求和技术趋势的精准把握。

美国先进封装战略：自建产能与生态合作并举

对于台积电在美国的先进封装规划，外媒指出，目前台积电美国晶圆厂生产的芯片晶圆仍需运回台湾进行后续的封装和测试环节。为改变这一现状，台积电计划通过自建先进封装设施与建立战略合作伙伴关系相结合的方式，在美国本土建立完整的先进封装能力。这一战略不仅能够缩短供应链，降低运输风险，更符合美国政府推动半导体本土化生产的政策导向。

在此背景下，全球领先的封测服务供应商安靠（Amkor）已决定在台积电美国厂区附近投资建设一座本地工厂，以提供配套的后端封装和测试服务。外媒报道称，该工厂的建设工作已全面启动，预计将在2028年实现投产。安靠的加入，将为台积电在美国的先进封装生态系统提供重要的支持，形成一个更加完善的产业链，共同服务于美国本土的芯片设计公司。

台积电下一代封装技术演进：多技术集成成核心

新媒网跨境了解到，台积电的先进封装技术路线图将越来越强调“多技术集成”的发展方向，其中以SoIC为基础的三维封装技术将占据核心地位。这不仅是因为SoIC能够提供更高的性能和更低的功耗，更因为其复杂性和技术门槛，使得一般的委外封装测试厂商（OSAT）难以轻易复制，从而构成了台积电独特的竞争优势。

据外媒援引行业消息人士的说法，未来2纳米及以下制程芯片的先进封装，将普遍采用SoIC与诸如CoWoS（晶圆上芯片堆叠）、CoPoS以及InFO（整合型扇出封装）等技术相结合的方式。例如，超微（AMD）在其高性能处理器中已采用SoIC与CoWoS相结合的结构，以提升计算性能和内存带宽。同时，台积电还推出了COUPE平台，该平台通过SoIC-X芯片堆叠技术，为客户提供优化定制的解决方案，进一步彰显了其在先进封装领域的创新能力。