美国！三星2026年泰勒厂投产，狂冲5万片2纳米芯片。

近期，全球半导体产业的竞争格局正经历深刻演变。新媒网跨境获悉，外媒报道指出，三星电子位于美国得克萨斯州泰勒市的晶圆厂（Taylor Fab 1）计划于2026年3月启动极紫外（EUV）光刻设备的试运行。此举被视为三星为特斯拉（Tesla）大规模生产AI5和AI6自动驾驶芯片的关键部署。

根据外媒消息，三星计划在完成EUV设备试运行后，将陆续安装刻蚀和沉积等核心生产工具。预计到2026年下半年，泰勒工厂将全面投入生产。在此之前，三星有望向得州地方当局申请临时运营许可（TCO），以便在工厂正式竣工前便能提前启动运营。

泰勒工厂的建设进度显著。一位现场承包商透露，目前每日约有7000名工人在工地上忙碌，其中约1000名员工已进驻工厂的六层办公大楼，这表明项目已接近尾声。与一年前大部分区域仍是起重机林立、停车场空置的景象相比，现在的工厂面貌已发生显著变化。

值得关注的是，三星泰勒工厂的占地面积约为485万平方米，这一规模甚至超过了其位于韩国平泽和华城工厂的总和。外媒指出，该工厂预留了足够的空间，未来可进一步增建多达10座晶圆厂，这充分展示了三星在该地区进行大规模产能扩张的战略意图。

与此同时，作为全球晶圆代工领域的另一巨头，台积电（TSMC）也在加速其在美国的布局。外媒报道，台积电已在亚利桑那州斥资1.97亿美元购地，计划用于建设未来的大型晶圆厂。此前已有外媒披露，台积电除了已承诺建设的6座晶圆厂和2座先进封装设施外，可能还计划在该州增建4至5座晶圆厂，进一步扩大其在美国的产能。

新媒网跨境了解到，三星泰勒工厂最初规划生产4纳米工艺芯片，但根据最新进展，其目标已调整为生产5万片2纳米晶圆。这一战略转向，被视为三星旨在利用台积电在美引入最先进工艺节点方面的审慎态度，以期在高端制程领域争取主动权。

与此形成对比的是，台积电在亚利桑那州的第一座晶圆厂已于2024年第四季度开始N4（4纳米）工艺的生产。而其计划于2028年投产的第二座工厂，将专注于更为先进的N3（3纳米）工艺。

然而，在先进工艺的竞赛中，2纳米芯片的良率问题依然是业界关注的焦点。外媒报道指出，台积电已于2025年末在其中华台湾地区的晶圆厂实现2纳米芯片的量产，据称其良率已达到70%至90%的水平。相比之下，三星的2纳米试验生产线尚未达到相似的良率水平。

尽管如此，另有外媒消息显示，三星目前已将2纳米良率提升至50%，并已全面推广其第二代2纳米技术（SF2P）。这表明三星在先进工艺领域的追赶和突破仍在持续进行。全球半导体巨头在产能扩张和先进工艺制程上的竞逐，正在美国本土加速演进，其发展动态备受业界关注。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/us-samsung-2026-taylor-fab-50k-2nm-chips.html