中国工厂2025年美国新规！三星SK超30%产能将迎生存战！

随着2025年12月31日美国针对三星电子与SK海力士在中国工厂的“经验证最终用户”（VEU）授权即将到期，两大存储巨头在华运营面临的潜在影响正受到密切关注。根据外媒报道，这些公司已经成功避免了最坏情况的发生，美国方面将允许其在年度审查体系下继续获得设备发运许可。

早在2025年9月，外媒便有报道称，美国商务部向韩国官员提出了在此新体系下实施“现场许可”计划，旨在替代此前授予三星电子西安NAND闪存工厂以及SK海力士无锡DRAM和大连NAND闪存工厂的无限期授权。

外媒消息指出，根据新规定，相关企业需要预先提交其年度所需的半导体设备类型和数量，美国政府将对这些申请进行审查，以批准出口。尽管据称这一体系降低了VEU授权被完全撤销的风险，但报道也同时提及，美国政府预计，即便取消三星电子和SK海力士中国工厂的VEU名单，每年仍可能需要处理多达1000份出口审批。

即便有了新的年度审批制度，外媒援引的行业观察人士仍警告称，运营中的不确定性依然存在。企业或将难以精准预测所需的设备及零部件类型和数量，从而给生产计划带来挑战。

此外，此次修订并未改变华盛顿的既定立场。外媒报道称，美国政府预计将继续维持其禁止向中国工厂出口设备用于扩建或升级的政策。因此，正如另一家外媒所强调的，韩国芯片制造商在中国正从扩张战略转向生存战略，目前它们将重点放在优化现有制程的良率上，而非进行工厂升级。

韩国芯片巨头在华布局与产能现状

新媒网跨境了解到，根据市场研究机构的分析预测，在2025年，三星电子NAND闪存总产量的约30%至35%预计将来自中国。对于SK海力士而言，其DRAM总产量的相近比例（约30%至35%）将产自中国，而中国在其NAND闪存生产中扮演的角色更为重要，预计将贡献其NAND闪存总产量的40%至45%。

另据外媒报道，三星电子目前在其西安一厂和二厂每月生产约27万片NAND闪存晶圆，而SK海力士大连工厂的月产量约为10万片NAND闪存晶圆。

与此同时，外媒指出，SK海力士无锡工厂预计在2026年不会进行重大的工艺节点转换，例如转向1b DRAM，此前其已于2024年开始部署10纳米级第四代（1a）DRAM生产线。根据当前的策略，1z和1a等传统DRAM产品将继续在无锡工厂生产，而包括1b和1c DRAM在内的尖端生产线则预留给SK海力士的韩国利川和清州工厂。

行业背景与深层考量

此次美国对三星电子和SK海力士中国工厂VEU授权的处理方式，是其在半导体领域对华技术限制政策的进一步具体化。从无限期授权转向年度审批，虽然避免了最严峻的全面撤销，但其背后体现的依然是美国旨在限制中国获得先进半导体制造技术能力的长期策略。这种“有限制性许可”无疑增加了在华运营的复杂性与不确定性。

对于韩国芯片制造商而言，这构成了一个微妙的平衡挑战。一方面，中国市场对其营收和全球供应链地位至关重要，放弃在华业务并非易事。另一方面，它们必须严格遵守美国出口管制法规，以避免更严重的制裁，并确保其在全球供应链中的合规性。因此，将先进工艺研发和生产集中于本土，而在中国维持并优化现有成熟工艺，成为了一个现实选择。

此外，年度审批制度的实施，意味着企业将面临更高的行政和运营成本。外媒提到的每年多达1000份出口审批，对企业内部流程管理、供应链规划以及与美国政府的沟通协调都提出了严峻考验。任何环节的延误都可能直接影响生产节奏，进而波及全球内存芯片的供应稳定。

韩国芯片制造商从“扩张”转向“生存”的战略调整，核心在于对现有产线的精细化管理和良率提升，而非技术升级或产能扩张。这意味着，在可预见的未来，中国境内由外国芯片巨头运营的DRAM和NAND闪存工厂将主要停留在成熟工艺节点，难以承载最新一代的存储技术。这一趋势也将间接影响中国本土半导体产业的发展路径，促使其在先进存储领域加速自主研发与替代的步伐。

此次VEU授权的调整及其带来的年度审查机制，不仅是对三星电子和SK海力士在华运营模式的重塑，更是全球半导体产业链在复杂地缘政治背景下深度调整的一个缩影。其长期影响，将逐步显现在全球存储芯片的供应格局、技术演进路线以及各国在半导体领域的战略部署之中。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/us-2025-china-samsung-sk-30-cap-survival.html