美国1.5亿刀砸向EUV光刻，欲夺回芯片制造全球话语权。

美国总统特朗普政府近期采取了一项大胆举措，旨在巩固美国在先进芯片制造领域的领导地位。新媒网跨境获悉，美国政府已同意向一家名为xLight的初创公司提供高达1.5亿美元的投资，该公司致力于开发极紫外（EUV）光刻技术所需的尖端激光系统。据外媒报道，前英特尔首席执行官帕特·基辛格（Pat Gelsinger）担任xLight董事会执行主席，他表示这笔资金将支持xLight在2028年前生产出首批硅晶圆的计划。作为交换，美国政府将获得xLight的股权，并有望成为其最大股东。

这项投资是美国总统特朗普第二任期内首笔依据《芯片与科学法案》（CHIPS Act）拨付的款项。目前，该协议仍处于初步阶段，这意味着它尚未最终敲定，未来仍有可能调整。《芯片与科学法案》于2022年颁布，旨在为开发前瞻性技术的早期阶段公司提供资金支持，以增强美国本土的半导体制造和研发能力。此次对xLight的投资，正是该法案扶持关键技术发展，确保美国在全球半导体供应链中竞争力的具体体现。

xLight公司正致力于推动芯片制造领域自由电子激光技术的进步。根据其发布的新闻稿，xLight正在构建其首台自由电子激光器（FEL）。该公司的核心目标是利用粒子加速器驱动大型自由电子激光器，以产生一种比现有光源更强大、更精确的光源。外媒报道称，xLight还与美国国家实验室合作，共同开发一个原型系统，该原型有望与ASML或其他制造商的设备进行集成。

值得注意的是，目前ASML最先进的激光系统能够生成波长约为13.5纳米的极紫外光，而xLight的目标是实现高达2纳米的波长精度。如果xLight的技术能够成功，芯片制造商将能够在硅晶圆上蚀刻出更为精细的微观图案，从而生产出性能更强大的芯片。帕特·基辛格认为，这项技术有望将晶圆处理效率提升30%至40%，并有望推动摩尔定律进入下一个发展阶段。摩尔定律预测，集成电路上可容纳的晶体管数量大约每两年翻一番，而光刻技术的进步是实现这一目标的关键驱动力之一。

在下一代光刻光源的研发赛道上，xLight并非唯一的参与者。外媒了解到，总部位于美国旧金山的Substrate公司也开发了一套芯片制造系统，并声称其性能可以与ASML最先进的光刻机相媲美。该外媒还提及，Substrate公司的系统利用粒子加速器生成短波长X射线，该公司表示这种方法可以产生更窄、更精确的光束。这表明，全球半导体产业正积极探索多种路径，以期突破现有光刻技术的瓶颈，满足未来芯片制造对更高精度和更小特征尺寸的需求。

新媒网跨境了解到，美国对xLight的投资，不仅体现了其在半导体关键技术领域强化自主可控的决心，也反映了对前瞻性、颠覆性技术研发的战略性布局。在全球半导体供应链竞争日益激烈的背景下，通过《芯片与科学法案》支持本土创新企业，无疑是美国巩固其在全球科技领导地位的重要一步。这笔投资一旦成功，或将对未来EUV光刻技术的发展路径、全球芯片制造格局以及摩尔定律的延续产生深远影响。

新媒网（公号: 新媒网跨境发布），是一个专业的跨境电商、游戏、支付、贸易和广告社区平台，为百万跨境人传递最新的海外淘金精准资讯情报。

本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/us-150m-euv-chips-aim-global-lead.html