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全球芯片代工巨头台积电（TSMC）与格芯（GlobalFoundries）之间的一项最新技术许可协议，标志着半导体行业内一场重要的战略调整。新媒网跨境获悉，格芯于11月10日宣布，已与台积电达成一项技术许可协议，内容涉及650V和80V氮化镓（GaN）技术。根据新闻稿，相关技术开发工作计划于2026年初启动，并将在同年晚些时候逐步提升产量。

行业动态概述：台积电技术授权与战略重心转移

此次合作是台积电战略布局的清晰体现。长期以来，台积电一直致力于将战略重心聚焦于先进芯片技术领域，并逐步从利润较低的成熟技术细分市场中退出。将650V和80V氮化镓技术授权给竞争对手格芯，便是这一战略转移的具体实践。

格芯方面表示，这项协议将有助于加速其下一代氮化镓产品在数据中心、工业和汽车电源应用领域的开发，同时也将扩大其在美国本土的氮化镓生产能力，以服务全球客户。格芯计划在其位于美国佛蒙特州的伯灵顿工厂对所许可的技术进行验证，并充分利用其在高压硅基氮化镓（GaN-on-Silicon）方面的专业知识，以实现先进功率器件的批量生产。

氮化镓是一种宽禁带半导体材料，因其卓越的高频、高温和高功率密度特性，正逐渐成为传统硅基器件在功率电子领域的重要替代品。它在提升电源转换效率、减小设备尺寸和重量方面具有显著优势，尤其适用于对能效和紧凑性要求苛刻的应用场景，如电动汽车、快速充电器、数据中心服务器电源以及工业电机驱动等。随着全球对能源效率和碳排放控制的关注日益增加，氮化镓技术的需求呈现稳步增长态势。

台积电退出氮化镓代工服务的具体细节与背景

此次技术许可协议的达成，进一步印证了台积电此前宣布的退出氮化镓晶圆代工服务的决定。外媒报道称，台积电在7月份确认，计划于2027年7月31日前停止其氮化镓晶圆代工服务，并提及此举是应对来自中国大陆竞争对手日益增长的价格压力的结果。外媒进一步披露，这一决策由台积电董事长兼首席执行官魏哲家在中旬最终敲定，此前获得了业务发展资深副总经理张晓强的建议。

台积电在成熟制程领域的策略调整并非孤立事件。在过去的几年中，面对日益激烈的市场竞争，特别是在某些通用型成熟工艺节点，毛利率普遍承压。将有限的资源和精力集中于更高技术含量、更高附加值的先进工艺，成为包括台积电在内的多家行业领先者的共识。这一战略方向旨在保持其在全球半导体制造领域的领先地位，并确保长期竞争力。

根据外媒信息，台积电计划自2027年7月1日起，将其位于新竹的5号晶圆厂（目前用于氮化镓生产）转型为先进封装的生产基地。这表明台积电不仅在退出部分成熟技术领域，更在积极拓展和强化其在先进封装等前沿技术上的布局，以满足未来高性能计算、人工智能等领域对芯片集成度和性能的更高要求。

战略性资产重组与业务重心再分配

此次与格芯的协议发布之前，台积电已着手进行一系列的业务调整和资产重组。外媒报道指出，台积电已开始逐步将其部分40-90纳米制程订单外包给其关联公司世界先进（Vanguard International Semiconductor, VIS）。这一举措与其关闭新竹6英寸晶圆厂、并在未来两年内退出氮化镓代工业务的计划相辅相成。

新媒网跨境了解到，除了上述调整，台积电还将其部分设备出售给了VSMC。VSMC是世界先进与荷兰恩智浦（NXP）在新加坡合资成立的企业。这一系列动作，包括技术授权、订单外包、工厂转型以及设备出售，共同凸显了台积电明确的战略意图，即将其有限的资源重新分配，投向利润更高、技术更先进的业务领域。

通过剥离在成熟技术领域的直接制造业务，台积电能够将更多的研发投入和生产资源集中于3纳米、2纳米及更先进的制程节点，以及包括CoWoS、InFO等在内的先进封装技术。这些领域被认为是未来半导体产业竞争的关键高地，能够为台积电带来更高的技术壁垒和盈利空间。与此同时，通过技术授权等方式，台积电能够将部分成熟技术转化为知识产权收入，实现技术价值的最大化，同时减少在竞争激烈的成熟市场中的直接运营成本和风险。

对于格芯而言，此次获得台积电的氮化镓技术许可，为其在功率半导体市场的扩张提供了强有力的技术支撑。作为全球重要的特色工艺晶圆代工厂，格芯在全球拥有多个生产基地，其在美国本土扩大氮化镓生产，不仅能满足日益增长的市场需求，也符合当前全球供应链韧性建设的趋势。这使得格芯能够更好地服务于本土及国际客户，并在高能效功率器件领域占据更有利的位置。

总而言之，台积电向格芯授权氮化镓技术，不仅是一项商业协议，更是全球半导体代工产业在激烈竞争和技术迭代背景下，进行资源优化配置和战略调整的一个缩影。它反映出领先代工厂向更高附加值业务迈进的决心，以及成熟技术市场动态演变的复杂性。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/tsmc-gan-tech-licensing-gf-exit-by-2027.html