跨境洞察！台积电3纳米爆满，客户转战2纳米赛道。

晶圆代工巨头台积电（TSMC）在宣布其2纳米工艺成功进入量产阶段后，市场随即传出消息称，该公司已暂停了新的3纳米项目启动。据外媒报道，有业内消息人士透露，台积电不仅在今年提高了3纳米工艺的报价，同时暂时中止了新3纳米项目的启动。报告指出，这一举措主要源于3纳米订单已全面满载，短期内的产能扩张已无法满足不断涌入的客户需求。

尽管台积电的3纳米家族涵盖了多种变体，但目前其所有产能已被人工智能（AI）图形处理器（GPU）、云数据中心专用集成电路（ASIC）以及高端移动应用处理器等主要客户完全占用。新媒网跨境获悉，从战略层面考量，台积电也在积极引导客户，促使他们将新产品规划更早地转向其2纳米节点，以期获得更具优势的成本结构。

随着2纳米工艺的成功量产，包括苹果（Apple）、高通（Qualcomm）、联发科（MediaTek）等移动芯片制造商被认为是其主要客户。值得关注的是，报道引述业内消息人士的说法指出，2纳米的定价并未如市场此前猜测般高达每片晶圆3万美元以上。即便如此，相较于N3P工艺，2纳米的价格仍呈现出明显的增长。然而，通过采用基于芯粒（chiplet）的芯片配置，并将成本分摊到庞大的出货量中，片上系统（SoC）的成本增长并非导致智能手机物料清单（BOM）急剧上涨的主要原因，这与存储芯片的情况有所不同。

2纳米技术：台积电的战略转折点与成本优化

2纳米节点标志着台积电先进工艺技术路线图上的一个关键转折点。该工艺引入了纳米片晶体管架构，在性能、功耗效率和晶体管密度方面均带来了显著提升，同时在工艺设计层面也提供了一个更具吸引力的成本结构。报告分析，与3纳米工艺相比，2纳米工艺采用了原子层沉积（ALD）等先进技术，但并未导致极紫外光刻（EUV）曝光层数显著增加，这有助于保持单位芯片的制造成本竞争力，从而进一步巩固了台积电推动客户向2纳米节点迁移的策略。

技术挑战与工艺演进：GAAFET与ALD的关键作用

外媒引述的行业消息人士进一步指出，向基于GAAFET（环栅晶体管）工艺的转变，意味着晶圆制造从传统的平面图案化结构转向真正的三维结构构建。这一根本性变革显著增加了工艺的复杂性，同时也极大地提升了材料技术的重要性。具体而言，原子层沉积（ALD）技术必须能够在悬浮结构周围沉积形成均匀且无缺陷的介电层和金属栅极，这对沉积均匀性和工艺控制提出了极高的要求。

从传统FinFET（鳍式场效应晶体管）架构向GAAFET的跃迁，是半导体物理和制造工艺的重大进步。GAAFET通过将栅极从多个侧面包围住沟道，实现了对电流的更精确控制，从而有效降低了漏电流，提高了器件性能和功耗效率。然而，实现这一复杂的三维结构，需要极其精密的材料沉积和刻蚀技术。ALD技术在此过程中发挥着核心作用，它能以原子级别的精度逐层沉积材料，确保在微小且复杂的结构中形成高质量的薄膜。这不仅关乎晶体管的电气性能，更是决定良率和成本的关键因素。新媒网跨境了解到，台积电在2纳米工艺中对这些先进技术的掌握，是其能够保持行业领先地位的重要基石。

市场背景与战略考量：需求与供给的博弈

台积电此次暂停3纳米新项目启动，并积极引导客户转向2纳米，并非偶然。它反映了当前全球半导体市场供需关系的紧张态势，特别是高端芯片领域。AI、高性能计算（HPC）、5G通信以及下一代移动设备的快速发展，对先进工艺芯片的需求呈现爆发式增长。3纳米产能被迅速填满，恰恰是这一趋势的直接体现。台积电作为全球最大的纯晶圆代工厂，其产能布局和技术路线图对整个科技产业具有举足轻重的影响。通过优先发展和量产2纳米，台积电旨在满足未来市场对更强大、更节能芯片的需求，并巩固其在先进工艺领域的领导地位。

同时，成本优化也是台积电战略布局中的重要一环。尽管先进工艺的研发和生产成本持续攀升，但通过技术创新（如2纳米带来的性能和密度提升）以及更高效的生产管理，台积电致力于为客户提供最具竞争力的解决方案。芯粒（chiplet）技术的普及，使得大型复杂芯片可以通过集成多个功能单元来实现，这不仅提高了设计灵活性，也有助于分摊高昂的晶圆制造成本，从而在一定程度上缓解了单一芯片成本上涨对终端产品价格的影响。

行业影响与未来展望

台积电的这一系列举措，将对全球半导体产业产生深远影响。首先，它将加速整个行业向更先进工艺节点的迁移速度。其次，随着2纳米工艺的成熟和产能的逐步提升，将为AI芯片、高端移动处理器等关键领域提供更强大的硬件支撑，推动相关技术和应用的发展。此外，台积电在技术上的持续突破和产能的战略调整，也将进一步巩固其在全球半导体供应链中的核心地位，为全球科技创新提供坚实的基石。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/tsmc-3nm-full-clients-shift-to-2nm.html