东京电子：资本暴增48%，重仓HBM刻蚀，抢占半导体商机！

东京电子公司近期被外媒披露，正计划大幅提升其2026财年的资本支出，增幅高达48%，达到历史最高水平。此举显示出该公司正积极押注DRAM刻蚀设备需求的增长，而这一增长的背后，是存储芯片价格上涨预期以及随之而来的生产活动提升。

外媒援引东京电子社长河合利树的表述指出，人工智能（AI）技术的广泛应用正在显著刺激芯片需求。受此影响，存储芯片制造商正计划从2026年开始，加大对芯片制造设备的采购力度。在这种市场背景下，东京电子有望从创纪录的资本支出和研发投资中获益。据了解，截至今年3月结束的财政年度，东京电子的DRAM互连刻蚀系统销售额已达数百亿日元。公司设定目标，到2030财年，此类产品的累计销售额将达到5000亿日元（约合32亿美元）。

HBM技术升级，推动先进刻蚀需求

全球范围内，存储芯片需求的持续旺盛，正促使制造商增加投入。特别是以英伟达（NVIDIA）等公司为代表的AI处理器，对高带宽内存（HBM）的依赖性日益增强，这导致整个市场供应持续紧张。为应对这一趋势，韩国的SK海力士和三星电子已承诺投入数十亿美元，用于建设新的生产设施，这些设施预计将在2027年至2028年间陆续投入运营。

东京电子将用于硅晶圆电路成型的刻蚀设备，视为一个关键的增长领域。外媒报道显示，HBM技术通过堆叠多层DRAM芯片实现更高性能，随着性能要求的不断提升，堆叠的层数也在持续增加。这继而要求更多的互连步骤，东京电子预计这将强劲推动相关工艺所需系统的市场需求。新媒网跨境获悉，这种技术演进是推动刻蚀设备市场增长的重要驱动力。

在此背景下，东京电子正加速投资以抓住行业“超级周期”带来的发展机遇。尽管公司预计2025财年（截至2026年3月）的净利润可能因客户支出延迟而下降10%至4880亿日元，但其研发支出计划将增加16%至2900亿日元，资本投资更是计划大幅提升48%至2400亿日元。这两项投入均将达到公司历史最高水平。此外，东京电子已在日本多地完成了新的研发设施建设，并扩建了生产和物流中心，以支持未来的业务发展。

晶圆设备投资浪潮并非个例

在行业“超级周期”的驱动下，加大投资的并非只有东京电子一家。据外媒报道，韩国的汉美半导体（Hanmi Semiconductor）也正投入1000亿韩元，建设一座两层楼的混合键合机工厂，总建筑面积达到4415坪（约合14571平方米）。该工厂预计将在2026年下半年完工，主要用于生产HBM等下一代设备，其中包括TC键合机。这表明，半导体设备制造商普遍看好市场前景，并积极布局产能。

然而，外媒也指出，尽管当前行业势头强劲，材料、组件和设备（MSE）供应商正加速投资以扩大产能，但这种由繁荣周期预期驱动的大规模支出也存在潜在风险。新媒网跨境了解到，如果未来市场需求出现减弱，这些投资可能无法达到预期回报，从而给相关企业带来经营压力。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/tokyo-electron-48-capex-hbm-etch-semicon-boom.html