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新媒网跨境获悉，全球内存巨头SK海力士正酝酿一项重大战略部署，计划在未来两年内大幅扩充其极紫外光刻（EUV）设备的保有量。此举预计将使其在半导体先进制程领域的竞争力显著提升，并可能重塑全球EUV设备格局。

根据外媒报道，多方消息指出，SK海力士计划到2027年新增约20台EUV光刻系统。该公司目前拥有大约20台EUV设备，其中一部分用于研发。若此计划得以实现，SK海力士的EUV设备总量将在两年内翻一番。鉴于每台EUV系统的成本高达数千亿韩元，此次扩充所涉及的总投资预计将超过6万亿韩元（约合44亿美元）。这笔巨额投资凸显了SK海力士在强化下一代DRAM和HBM（高带宽内存）技术能力方面的决心。

此次EUV设备扩容计划若顺利推进，SK海力士在全球EUV产能方面的排名有望跃升至第三位，届时其EUV设备保有量可能与英特尔持平甚至超越。截至2024年末，全球范围内拥有最多EUV设备的厂商是台积电，其次是三星电子、英特尔、SK海力士以及美光。SK海力士的这一战略举措，无疑将对全球半导体产业的竞争格局产生深远影响。

深耕前沿制程：EUV设备扩容的战略考量

SK海力士此次扩充EUV设备的潜在计划，被业界普遍视为其DRAM制程节点技术演进战略的核心环节。极紫外光刻（EUV）技术是当前半导体制造中最尖端的光刻技术，它采用波长仅为13.5纳米的极紫外光进行曝光，能够刻画出传统深紫外光（DUV）技术难以实现的更精细电路图案，是推动芯片制程进入10纳米以下的关键。

公司预计，EUV技术将全面应用于其第七代DRAM（即1d制程）及未来更先进的亚10纳米产品线，这些超精细制程的产品目前尚未实现商业化量产。通过提前布局和深化EUV技术的应用，SK海力士旨在为未来的DRAM技术迭代奠定坚实基础。

从短期来看，EUV的应用也将显著提升SK海力士在当前主流及次代DRAM产品上的竞争力。例如，该公司第五代10纳米级DRAM（1b制程）——专为HBM4设计并计划于2025年末量产——以及正在准备量产的第六代DRAM（1c制程），都将从中受益。据报道，这些产品预计将成为SK海力士2025年的主要营收驱动力。EUV的加持，将确保这些关键产品在性能和功耗上保持市场领先地位，尤其是在AI时代对高性能内存需求激增的背景下，HBM4的生产能力和技术优势显得尤为关键。

晶圆厂布局：M15X与M16的先行者姿态

为了支撑EUV设备的大规模部署和先进DRAM的量产，SK海力士已规划将其新增的EUV系统安装至其位于韩国清州的M15X晶圆厂和利川的M16晶圆厂。

其中，M15X晶圆厂预计在2025年末投入运营，EUV设备的安装工作将率先在此启动。这意味着M15X将成为SK海力士下一代DRAM生产的重要基地，承载着公司在先进制程上的希望。

新媒网跨境了解到，SK海力士在引入EUV技术方面已迈出重要一步。根据外媒的报道，该公司已于2025年3月3日在其位于韩国京畿道利川的M16晶圆厂安装了高数值孔径（High-NA）EUV设备。值得关注的是，SK海力士是全球首家将High-NA EUV设备引入DRAM量产设施的半导体制造商。High-NA EUV是EUV技术的升级版，通过更高的数值孔径进一步提升光刻精度，对于实现更小线宽的芯片制造至关重要。

作为对比，三星电子也在2025年3月在其位于韩国京畿道华城的研发线安装了High-NA EUV设备。SK海力士在量产设施中的先行部署，体现了其在DRAM技术前沿的积极姿态和激进战略，旨在更快地将最先进的技术转化为实际生产力。

展望与行业影响：EUV技术与半导体竞争新篇章

EUV技术是半导体产业发展史上的一个里程碑，其研发和应用突破了传统光刻技术的物理极限，使得芯片制造商能够持续遵循摩尔定律，将更多的晶体管集成到更小的芯片上。然而，EUV设备的采购、运营和维护成本极其高昂，对制造商的资金实力和技术整合能力提出了极高要求。一台EUV光刻机售价数亿美元，且对洁净度、供电、冷却系统等配套基础设施要求极严。SK海力士此次超过6万亿韩元的投资，不仅体现了其对EUV技术未来潜力的深信不疑，也彰显了其在存储芯片市场争夺先发优势的坚定决心。

在全球DRAM和HBM市场中，SK海力士、三星电子和美光是主要竞争者。随着人工智能、高性能计算、5G等新兴技术的快速发展，对高带宽、低延迟的HBM需求呈现爆发式增长。HBM作为AI加速器中的核心组件，其技术和产能已成为各大存储厂商竞争的焦点。SK海力士通过扩充EUV产能，将直接强化其在HBM4甚至更先进HBM产品上的制程能力和规模优势，为其在全球AI芯片供应链中巩固地位提供强大支撑。

此次大规模投资也反映了SK海力士对DRAM市场长期增长的积极预期，尤其是在经历了一段时间的市场周期性波动后，存储产业正逐渐回暖并向高端化、定制化方向发展。EUV设备是实现这一转变的关键工具，能够帮助SK海力士生产出更具成本效益和性能优势的下一代DRAM产品。此外，对EUV设备的抢购潮也给ASML等EUV设备供应商带来了巨大的订单量，进一步推动了全球半导体设备市场的繁荣。

SK海力士的这一战略部署，不仅关乎其自身未来的发展轨迹，更预示着全球半导体存储产业正进入一个以EUV技术为核心，以高性能内存为驱动的全新竞争阶段。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/sk-hynix-invests-44b-euv-doubles-dram-hbm-race.html