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SK海力士在2025年AI峰会上，公布了其面向2029年及以后的内存技术路线图，勾勒出未来内存产业的发展蓝图。新媒网跨境获悉，这份详尽的规划分为两个阶段：第一阶段覆盖2026年至2028年，第二阶段则展望2029年至2031年。在这两个时间段内，SK海力士计划推出全面升级的HBM、DRAM以及NAND系列产品。

第一阶段：2026-2028年——定制化HBM4E与AI内存创新

根据外媒报道，在2026年至2028年期间，SK海力士将推出HBM4 16-Hi以及HBM4E的8层、12层和16层堆叠产品，同时还规划了一款定制化的HBM4E解决方案。在定制HBM的设计中，SK海力士将HBM控制器集成到基底芯片（base die）上。这种设计与标准HBM相比，能够让图形处理器（GPU）和专用集成电路（ASIC）制造商将更多的面积用于计算硅片，同时还能有效降低接口功耗。外媒进一步指出，SK海力士将与台积电（TSMC）合作，共同开发其定制HBM及其基底芯片，此举凸显了产业链上下游协同创新的重要性。

SK海力士的路线图清晰地表明，其致力于开发针对人工智能（AI）工作负载优化的内存产品。在2026年至2028年期间，公司计划推出LPDDR6，以及一系列面向AI应用的“AI-D”DRAM解决方案，其中包括LPDDR5X SoCAMM2、MRDIMM Gen2、LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。这些专用内存产品旨在满足AI计算对高带宽、低延迟和高能效的严苛需求。此外，在此阶段，SK海力士还规划了多款NAND闪存解决方案，例如容量超过245TB的PCIe Gen5企业级固态硬盘（eSSDs）采用QLC技术、PCIe Gen6 eSSD/cSSD、UFS 5.0以及面向AI的“AI-N”NAND产品，以应对未来数据中心和移动设备日益增长的存储需求。

第二阶段：2029-2031年——迈向HBM5、GDDR7-next与400层以上NAND

展望2029年至2031年，外媒报道指出，SK海力士届时将开始开发其下一代HBM5和HBM5E产品，并同步推出定制HBM5解决方案。在DRAM领域，公司正准备推出GDDR7-next和DDR6。值得关注的是，SK海力士将GDDR7-next和DDR6列入这一时间段，这可能意味着在主流独立显卡上，GDDR7之后的迭代产品和DDR6取代DDR5仍需时日，传统台式机和笔记本电脑可能在未来几年内仍将以DDR5为主。

GDDR7-next将以当前GDDR7技术为基础进行升级。目前GDDR7的传输速率可达到30-32 Gbps，并支持最高48 Gbps的标准速率，外媒披露了这一信息。至于DDR6，据国内媒体Mydrivers报道，全球三大主要内存制造商已完成DDR6原型设计，并正在进行验证测试。新标准预计起始速率约为8,800 MT/s，峰值速率有望达到17,600 MT/s，这将为未来高性能计算带来显著提升。

与此同时，外媒还补充道，SK海力士计划在2029年至2031年间开发下一代NAND产品，包括400层以上的4D NAND以及高带宽闪存（HBF）解决方案。这些技术将进一步推动存储密度和性能的飞跃。

内存技术演进的深层考量

SK海力士的这份前瞻性路线图，不仅展现了其在内存技术领域的深厚积累和创新雄心，更深刻反映出当前全球科技产业，特别是人工智能和高性能计算领域对内存性能的极致需求。

高带宽内存（HBM）的定制化发展，例如将控制器集成至基底芯片，是应对AI芯片复杂性和带宽瓶颈的关键举措。通过优化HBM的设计，能够更紧密地配合GPU和ASIC的架构，降低数据传输延迟，并提高整体系统效率。这种合作模式的深化，尤其是与先进封装领域的领导者台积电的合作，预示着未来内存与逻辑芯片的融合将更加紧密，为更强大的AI算力提供硬件基础。

在DRAM领域，从LPDDR6到AI-D系列内存的推出，无不指向对移动设备和服务器端AI推理与训练能力的强化。LPDDR系列在低功耗方面具有优势，适用于边缘AI设备和移动平台；而MRDIMM、LPDDR5R、CXL PIM等技术则着眼于服务器和数据中心，通过提供更高的容量、带宽和智能管理能力，加速海量数据的处理效率。DDR6和GDDR7-next的推出，则将继续推动通用计算和图形处理性能的边界，为更复杂的应用场景提供坚实支撑。

NAND闪存方面，400层以上的4D NAND和高带宽闪存（HBF）的开发，旨在满足大数据时代对存储容量、速度和可靠性的要求。随着AI应用对数据存储量的急剧增长以及对快速数据访问的需求，高性能的NAND解决方案将在数据中心、企业级存储以及高性能消费级产品中扮演愈发重要的角色。新媒网跨境观察到，这些技术的迭代升级，将直接影响到未来云计算、边缘计算、自动驾驶等前沿领域的发展速度与应用深度。

SK海力士通过这份涵盖HBM、DRAM和NAND全方位的路线图，系统性地规划了其在未来五年乃至更长时间内的技术发展路径。这不仅是企业自身战略布局的体现，也为整个半导体行业，特别是对内存技术高度依赖的AI、高性能计算等产业，提供了清晰的技术趋势指引。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/sk-hynix-hbm5-ddr6-spark-2029-ai-memory-boom.html