SK海力士HBM4 16层MR-MUF工艺续航！超20层封装路线曝光。

全球高性能存储市场近日传来重要消息。新媒网跨境获悉，SK海力士（SK hynix）预计将继续沿用其成熟的MR-MUF（Mass Reflow-Molded Underfill）工艺，用于生产其HBM4 16层堆叠（16-high）产品。尽管公司曾深入评估引入无助焊剂（fluxless bonding）键合技术，但最终决定维持现有先进的MR-MUF工艺。此项决议是基于对当前技术在性能与成本方面尚未完全成熟的考量。

外媒报道指出，SK海力士自去年第四季度起，便已全面启动了针对HBM4 16层堆叠产品导入无助焊剂键合技术的评估工作，并计划将其应用于全部产量。然而，评估结果未能达到预期目标。该报道进一步解释，HBM4 16层堆叠产品由于堆叠限制更为严格，技术难度随之增加。但业界普遍认为，现有的先进MR-MUF技术足以支撑这类设计需求。另有报道提及，SK海力士在海外投资者会议中也已确认，公司将持续通过HBM4和HBM4E的16层堆叠产品来沿用目前的工艺。在2026年的国际消费电子展（CES）上，SK海力士展示了其16层HBM4产品，通过其专利的MR-MUF技术，将单颗DRAM晶圆厚度成功减至30微米，从而确保整个堆叠能够符合JEDEC（固态技术协会）严格规定的775微米高度限制。

未来超20层堆叠：无助焊剂键合作为过渡方案

然而，外媒报道同时指出，SK海力士认为一旦堆叠层数超过20层，采纳下一代封装技术将变得不可避免。正是基于这一判断，SK海力士选择在早期阶段便对无助焊剂键合技术进行评估，将其视为向混合键合（hybrid bonding）过渡的关键一步。

据报道分析，无助焊剂键合技术在MR-MUF工艺体系内，通过移除助焊剂的使用，从而在工艺过渡方面相对竞争对手而言，能够降低企业的负担。此种预期也影响了SK海力士近期的设备采购策略。新媒网跨境了解到，在去年11月，SK海力士向ASMPT（一家领先的半导体设备供应商）订购了七台热压键合（TC bonder）设备，而非其长期合作的TC bonder供应商——韩国半导体设备制造商Hanmi Semiconductor（韩美半导体）。此举被市场解读为，SK海力士正积极为未来的工艺演进储备关键设备与技术路线。

该报道还提到，SK海力士与Namics（一家日本化学材料公司）之间关于MR-MUF材料的独家协议即将到期，这一因素也在一定程度上影响了SK海力士的战略布局。公司计划在HBM4和HBM4E的12层及16层堆叠产品上继续沿用现有工艺，而转向混合键合则被视为下一个首选步骤，尽管其实际推行时间可能会有所延迟。

HBM技术演进与市场背景

高带宽存储（HBM）作为人工智能（AI）芯片和高性能计算（HPC）领域的关键组件，其性能和堆叠密度正持续突破边界。随着AI模型日益复杂，对内存带宽和容量的需求呈指数级增长，促使存储制造商不断探索更先进的封装技术。HBM通过三维堆叠DRAM芯片，并通过硅通孔（TSV）技术进行互联，极大地提升了数据传输速率和能效比。

当前市场主流的HBM产品普遍采用12层或16层堆叠。在实现更高层数堆叠的过程中，散热、信号完整性和良率是主要的技术挑战。MR-MUF技术通过在DRAM芯片堆叠后，使用模塑底部填充材料进行封装，有效提升了芯片堆叠的稳定性和散热性能。SK海力士在此领域积累了丰富的经验和技术优势。然而，随着堆叠层数进一步增加，传统的MR-MUF技术在应对热膨胀系数匹配、微米级键合精度和超薄晶圆处理等方面将面临更严峻的考验。

无助焊剂键合技术，作为一种在键合过程中避免使用助焊剂的方法，有望减少助焊剂残留可能带来的腐蚀、空洞等问题，并有助于实现更精细的键合间距和更优异的热管理性能。这使其成为高层数堆叠HBM封装技术发展的一个重要方向。而最终的混合键合技术，则被业界视为下一代HBM乃至更广泛先进封装领域的终极解决方案。混合键合通过直接连接晶圆表面的金属层，实现更紧密的互联和更高的密度，有望在未来突破目前HBM堆叠的物理极限，为超高带宽、超低功耗的存储器提供可能。

新媒网认为，SK海力士的这一决策，反映了其在保持现有HBM生产优势的同时，对未来技术趋势的审慎布局。在确保当前产品稳定供应和技术领先性的前提下，公司正逐步推进面向未来的技术革新，以应对持续增长的市场需求和更严苛的技术挑战。对于整个HBM产业而言，各主要参与者在先进封装技术路线上的选择和投入，将直接决定未来高性能存储市场的竞争格局。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/sk-hynix-hbm4-16l-mr-muf-keeps-20l-plus-plan.html