三星HBM4，2026年2月供AI巨头，速度破11.7Gb/s。

据外媒消息，全球半导体行业正密切关注高带宽内存（HBM）技术的最新进展。其中，韩国三星电子在HBM4技术方面取得了显著突破，有望重新夺回其在下一代存储器领域的竞争优势。新媒网跨境获悉，有行业人士透露，三星电子已定于下个月，即2026年2月，开始向包括美国英伟达（NVIDIA）和美国AMD公司在内的主要人工智能芯片客户正式发运HBM4产品。这一进展是基于三星电子顺利完成了最终的资格认证测试，促使客户直接下达批量生产订单，而非仅是样品需求。

另据外媒报道，三星电子近期成功通过了美国英伟达和AMD公司进行的HBM4最终资格认证测试，并计划在2026年2月启动批量生产。报告进一步指出，预计在2月份发运的三星HBM4产品，将交付给美国英伟达，并即刻用于其Rubin系列AI加速器的性能演示。该系列加速器计划于2026年3月举行的GTC大会上首次亮相。

HBM4技术规格与性能表现

外媒消息还显示，三星电子此次的HBM4产品在技术规格上实现了业界领先。其数据传输速率达到了每秒11.7吉比特（Gb），这一表现不仅远超美国英伟达和AMD公司设定的每秒10吉比特（Gb）速度要求，更使其成为目前行业内性能最高的HBM4产品。值得注意的是，有业内人士透露，在客户于去年提出更高的性能要求后，该产品在未经任何重新设计的情况下，一次性通过了所有验证测试。

据外媒补充报道，为了实现最大化性能，三星电子在其HBM4产品中采用了第六代（1c）10纳米级DRAM技术，这使得其在DRAM技术代次上领先竞争对手一代。同时，逻辑芯片部分则应用了4纳米级代工工艺，这在控制核心集成方面也领先数代。逻辑芯片在HBM结构中扮演着至关重要的角色，它负责处理与主处理器之间的通信和数据流管理，其先进的制程工艺对于整体HBM性能的提升具有决定性作用。

此外，据外媒援引消息称，三星电子通过内部采购其4纳米逻辑芯片，而非依赖第三方代工厂（如台积电），从而比那些主要依赖台积电的竞争对手获得了更多的提前量。这种垂直整合的策略有助于三星更好地控制生产周期和成本，确保供应链的稳定性和灵活性。报告还提到，美国英伟达已将Vera Rubin系列加速器投入全面生产阶段，并敦促其供应商加快响应速度，以满足市场日益增长的需求。

HBM4供应链与未来展望

外媒指出，HBM4产品的全面供货预计将围绕2026年6月开始。由于HBM4技术是直接集成到如美国英伟达Rubin系列等AI加速器中的核心组件，其出货量将与客户最终产品的批量生产计划紧密关联。目前，主要客户仍在代工厂进行下一代芯片的制造工作。因此，三星电子的HBM4产出很可能会根据这些客户的实际投产时间表和市场需求进行相应调整。

高带宽内存（HBM）作为一种先进的3D堆叠内存技术，通过将多个DRAM芯片垂直堆叠并与逻辑芯片紧密集成，实现了极高的带宽和更低的功耗，这对于处理大规模数据和复杂计算的人工智能应用至关重要。随着人工智能、高性能计算以及数据中心等领域的快速发展，对HBM的需求持续旺盛，也促使了存储器厂商之间在HBM技术上的激烈竞争。三星此次在HBM4领域的突破，正是在这一背景下展现出其技术实力和市场雄心。

展望未来，外媒报道称，三星电子计划充分利用其在HBM领域的垂直整合能力，涵盖从逻辑芯片设计到封装测试的全过程，以进一步巩固其在下一代HBM技术中的领先地位。这包括了未来HBM4E（第七代HBM）以及定制化HBM解决方案的开发和推广。通过持续的技术创新和全产业链整合，三星电子旨在加强其在HBM发展新阶段的市场竞争力，并满足不断变化的AI和高性能计算市场需求。

新媒网（公号: 新媒网跨境发布），是一个专业的跨境电商、游戏、支付、贸易和广告社区平台，为百万跨境人传递最新的海外淘金精准资讯情报。

本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/samsung-hbm4-feb-2026-for-ai-giants-at-117gbps.html