三星HBM3e终获英伟达认证!HBM4要达10Gbps目标!

2025-09-22前沿技术

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存储芯片领域,高性能内存(HBM)已成为人工智能时代半导体巨头们竞逐的核心高地。其中,英伟达(NVIDIA)作为全球领先的人工智能芯片供应商,其对HBM产品的严格认证与需求,无疑是衡量各家内存厂商技术实力的重要标尺。近期,围绕三星电子在HBM3e和HBM4领域的最新进展,行业内出现了多方关注与分析。

三星HBM3e突破性进展引关注:英伟达认证传闻与挑战并存

**新媒网跨境获悉,**经过长达18个月的研发与攻坚,韩国三星电子(Samsung)在HBM3e(第三代高带宽内存扩展版)领域取得了显著进展。据外媒《韩国经济日报》和《商业韩国》等多家韩国媒体报道,三星12-high HBM3e产品已通过了英伟达的质量验证。这标志着三星在高性能内存竞争中,正逐步缩小与业内其他存储巨头之间的技术差距。

分析人士指出,此次三星HBM3e通过英伟达验证,不仅体现了三星对其现有HBM3e产品线的性能升级能力,也反映出英伟达在供应链多元化方面的策略考量。报道提及,这款12-high HBM3e芯片采用12层DRAM堆叠设计,旨在最大限度提升内存带宽,以满足英伟达B300和AMD MI350等最新一代人工智能加速器对计算性能的严苛要求。

然而,外媒Aju News则对三星HBM3e的进展提供了另一视角。该报道指出,三星近期完成了其为英伟达提供的12-high HBM3e的第二轮内部晶圆验收测试(WAT),预计结果将在数日内公布。尽管强劲的WAT结果通常被视为芯片有望通过英伟达官方认证的积极信号,但该报道强调,三星尚未收到英伟达的正式批准。正如一位业内人士在该报道中比喻:“如果英伟达的资质认证是高考,那么三星的WAT就是使用同一套试卷进行的模拟考试。”这表明,最终的正式认证仍需等待。

散热难题的攻克与高层推动

《韩国经济日报》的报道进一步揭示了三星此次突破的关键所在:直接攻克了HBM3e的散热难题。高带宽内存由于其多层堆叠结构和高工作频率,散热一直是限制性能提升的主要瓶颈。报道将此次技术攻关的成功,归功于三星电子副会长Jun Young-hyun(去年5月接管半导体业务部门)的亲自推动。据称,他在2025年年初与英伟达高层会晤后,指示开发团队对用于HBM3e的1a DRAM进行重新设计,此举为三星最终跨越技术障碍铺平了道路。

HBM3e市场的竞争格局

在HBM3e市场,竞争已然进入白热化阶段。SK海力士(SK hynix)已于2024年9月宣布,已开始量产全球首款12层堆叠、容量达36GB的HBM3e产品。与此同时,外媒《商业韩国》在2025年2月报道,美光科技(Micron)在2024年9月完成开发并向客户送样后,也于2025年年初启动了12层HBM3e的批量生产。这显示出,各主要内存厂商都在积极布局,力求在高速增长的人工智能市场中占据先机。
三星HBM3e

三星加速HBM4竞赛:技术路线与英伟达高要求

在HBM3e竞争激烈的同时,新一代HBM4的研发也在同步加速。SK海力士同样在2024年9月宣布,已完成HBM4的开发工作,并正在为批量生产做准备。外媒Aju News的报道指出,三星在HBM4领域也取得了扎实进展,近期已通过了HBM4的产品验证审查(PVR)阶段,这是其新产品开发流程中的最终步骤之一。

该报道进一步说明,三星已在2025年第二季度出货了HBM4样品。当前,三星正将其半导体部门的全部资源投入到修订版HBM4的开发中,以充分满足英伟达提出的性能改进要求。报道预测,三星基于1c DRAM芯片构建的12-high HBM4,有望在性能上超越SK海力士和美光(两者目前主要使用1b DRAM芯片)的HBM4产品,从而有效实现英伟达所要求的每芯片10Gbps带宽目标。

**新媒网跨境了解到,**市场研究机构TrendForce报告显示,英伟达近期已敦促其Vera Rubin服务器机架的关键组件供应商升级产品规格,具体要求HBM4的每引脚速度提升至10 Gbps。这一举动被视为英伟达应对AMD在2026年推出MI450 Helios平台竞争的策略部署。在三大主要供应商中,TrendForce指出,三星在2024年采取了激进的策略,将HBM4的基础芯片工艺节点升级至FinFET 4nm,目标是在2025年年底实现批量生产。这种前瞻性的技术投入,旨在确保其在下一代HBM市场中保持领先地位。

英伟达作为全球AI计算领域的领导者,其HBM4的速度和性能要求直接定义了未来AI服务器的设计方向和计算能力上限。三星通过采用更为先进的1c DRAM技术和FinFET 4nm工艺,力图在满足甚至超越英伟达严苛标准的同时,巩固自身在高端存储芯片市场的竞争力。HBM技术的迭代与创新,将直接影响人工智能、高性能计算等前沿领域的未来发展速度。

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本文来源:新媒网 https://nmedialink.com/posts/samsung-hbm3e-nvidia-cert-hbm4-aims-10gbps.html

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三星HBM3e通过英伟达验证,HBM4研发加速。三星正积极满足英伟达对HBM4性能的要求,采用1c DRAM和FinFET 4nm工艺,目标是2025年底实现量产。SK海力士和美光也在积极布局HBM市场,竞争激烈。特朗普总统执政下,美国AI芯片市场竞争白热化。
发布于 2025-09-22
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