三星370亿押注!得州晶圆厂将增10倍产能

2026-03-25前沿技术

三星370亿押注!得州晶圆厂将增10倍产能

三星电子拟在美建第二座晶圆厂,半导体布局再扩张

近年来,全球半导体需求持续增长,供应链压力日益显著。据外媒报道,由于台积电产能紧张,多家美国科技巨头开始寻找替代供应商。在这一市场变化的背景下,三星电子加快了其在美国得克萨斯州泰勒市第二座晶圆厂(Fab 2)的建设准备工作,目前项目已进入初步的监管审批和规划阶段。

近日,泰勒市议会一致通过了与HDR Engineering, Inc.公司合同的修订案,为三星计划的Fab 2项目继续提供开发许可和监管支持。根据协议,HDR Engineering将负责审查工厂设计方案、协助三星获取施工许可、管理审批流程,并确保符合建筑规范和相关法律要求。一旦相关许可获得批准,Fab 2的建设将立即启动。

Fab 2 将推动产能扩张,助力未来发展

三星计划建设的第二座晶圆厂规模约为270万平方英尺,将与当前建设中的Fab 1相当。然而,三星对未来的布局远不止于此。为支持长期扩张,三星已在泰勒市购入1268英亩土地,准备建立一个专属半导体集群,预计可容纳多达10座先进晶圆厂,提供充分的产能增长空间。

回溯到2021年11月,三星宣布将泰勒市作为其美国第二晶圆制造基地选址,并于2022年正式动工建设。在初期宣布的170亿美元投资基础上,项目规模进一步扩大,总投资额已达到370亿美元。其中包括美国政府依据《芯片与科学法案》提供的47.5亿美元补贴。

在技术方面,泰勒半导体园区将聚焦于为高性能计算(HPC)和汽车应用制造高端芯片,采用三星最先进的2纳米制程技术。据市场消息,三星已为新厂区获得了121位客户的初步订单,未来预计还有更多大型订单来自谷歌、AMD和字节跳动等全球科技领军企业。

Fab 1稳步推进,为量产积累经验

另据报道,目前泰勒园区的Fab 1建设工作进展稳定,预计将在2027年开始量产。值得关注的是,这一时间点与三星和特斯拉之间的一项重要合作关系密切相关。根据双方签署的165亿美元协议,三星将为特斯拉制造其下一代AI5和AI6芯片。虽然特斯拉是否会续签AI6之后的订单尚不确定,但其首席执行官埃隆·马斯克曾在社交平台X上表示,AI5芯片预计将在2027年年中投入量产。

当地政府消息显示,截至2026年2月,三星已获得临时许可,许可覆盖约8.8万平方英尺的Fab 1区域,这表明部分设施已经进入了早期运营准备阶段。此外,根据与泰勒市签署的协议,三星承诺在该半导体园区总共建设600万平方英尺的设施空间。

三星业绩亮眼,巩固全球竞争力

从市场表现来看,根据TrendForce提供的数据,三星的晶圆代工业务在2025年第四季度收入环比增长6.7%,达到34亿美元。其全球市场份额也从6.8%上升至7.1%,稳居全球第二大晶圆代工厂。随着Fab 2的推进以及2纳米制程的量产展望,三星有望在全球半导体市场的竞争中进一步巩固自身的领先地位。
三星晶圆厂现场图

国内跨境人士应关注国际半导体动态

随着全球半导体产业格局的快速变化,中国的相关从业人员可以密切关注三星在美国市场的扩张动态,尤其是在先进制程技术投入量产以及产业链布局方面的经验。这不仅为国内企业提供了重要的参考方向,也能为跨境合作和技术交流打开新的可能性。


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本文来源:新媒网 https://nmedialink.com/posts/samsung-bets-37b-texas-plant-10x.html

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三星电子计划在美国得克萨斯州泰勒市建设第二座晶圆厂Fab 2,进一步扩大半导体产业布局。该项目总投资规模达370亿美元,包含先进2纳米制程技术,目标服务高性能计算与汽车芯片市场。目前已进入监管审批及规划阶段,预计将推助全球市场竞争力。
发布于 2026-03-25
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