日本Rapidus:玻璃基板中介层2028量产,产出翻10倍!

2025-12-17前沿技术

日本Rapidus:玻璃基板中介层2028量产,产出翻10倍!

新媒网跨境获悉,随着2025年12月17日SEMICON Japan展会拉开帷幕,半导体行业内众多重量级企业,包括英伟达、英特尔、美光和台积电,均将亮相此次盛会。然而,此次展会最受瞩目的焦点可能围绕日本晶圆代工厂Rapidus。据外媒报道,Rapidus预计将在此次展会上展示全球首款采用单一大尺寸玻璃基板切割而成的芯片中介层原型,并计划于2028年实现量产。

Rapidus公司此前在2025年7月已成功生产出首款2纳米晶体管,目标是在2027财年实现2纳米芯片的量产。如今,随着其在中介层技术上的突破,Rapidus正积极进军半导体后端生产领域,旨在有效降低人工智能半导体组装成本。

与台积电主要依靠硅基中介层用于其CoWoS先进封装技术不同,Rapidus公司选择了不同的技术路线。该日本晶圆代工厂采用一块600毫米见方的玻璃基板。外媒指出,这种更大尺寸且低浪费的设计,与传统的300毫米圆形硅晶圆相比,单片基板可生产多达十倍的中介层。

值得注意的是,Rapidus正充分利用日本在液晶显示器(LCD)领域积累的丰富专业经验。据外媒报道,为应对处理易碎玻璃材料所面临的挑战——即随着面板尺寸的增大,玻璃可能出现开裂或翘曲的问题——Rapidus积极从夏普等显示器制造商招募工程师。该公司已于2025年6月在日本北部城市千岁的洁净室启动了原型开发工作。

外媒援引的报告指出,Rapidus推出的这款原型产品,其表面积比传统中介层增加了30%至100%,能够容纳更大尺寸的芯片。此外,玻璃材料在电学性能方面也优于硅,这为该设计方案提供了额外的优势。

Rapidus公司在其官方网站上确认,正在精工爱普生公司位于千岁的工厂设立洁净室,并同步启动一个名为“Rapidus Chiplet Solutions”(RCS)的半导体后端研发中心。该中心将专注于2纳米世代小芯片(chiplet)的封装设计与制造,支持FCBGA、硅中介层、RDL以及混合键合等工艺,并致力于推进包括自动化在内的规模量产技术。
Rapidus glass substrate

晶圆代工巨头在玻璃基板领域的进展

当前,英特尔公司在该玻璃基板技术领域保持着领先地位,其在该技术上的研发历程已超过十年。据外媒报道,英特尔公司正依据其2023年制定的路线图稳步推进,计划于2025年启动试产线的运营。该报道援引的计划显示,英特尔的目标是在2030年之前推出玻璃基板产品。

另一方面,外媒报道称,台积电作为AI芯片封装领域的领导者,其CoWoS技术备受瞩目,目前也正加速在玻璃基板方面的研发投入。据报道,台积电已组建了专门的研发团队,并建立了FOPLP(扇出型面板级封装)生产线,同时在大力投资PLP(面板级封装)和TGV(玻璃通孔)等关键技术。尽管最初的量产计划定于2027年,但供应链消息人士指出,量产时间表可能会进一步提前。

与此同时,三星电子也在积极推动玻璃基板技术的应用,计划在2028年前将其用于先进半导体产品。另有外媒报道指出,三星正在考虑投资英特尔的封装业务,双方潜在的合作范围可能进一步延伸至下一代玻璃基板技术领域。

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本文来源:新媒网 https://nmedialink.com/posts/rapidus-glass-interposer-2028-10x-output.html

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Rapidus在SEMICON Japan 2025上展示全球首款玻璃基板芯片中介层原型,计划2028年量产。该公司已成功生产2纳米晶体管,正进军半导体后端生产,降低AI芯片组装成本。英特尔和台积电也在加速玻璃基板研发,三星电子亦计划采用。
发布于 2025-12-17
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