NAND Flash 2026预警：供不应求！AI抢货跨境人必看

全球半导体产业，特别是存储芯片领域，犹如现代数字世界的“基石”，深刻影响着各行各业的进步与发展。从我们日常使用的智能手机、电脑，到支撑万物互联的云计算中心、人工智能服务器，再到未来智能汽车与工业物联网，DRAM（动态随机存取存储器）和NAND Flash（闪存）这两种核心存储技术都扮演着不可或缺的角色。它们不仅决定着设备的运行速度和数据处理效率，更是驱动数字经济持续增长的关键力量。

回顾历史，存储芯片行业素以其周期性波动而闻名，经历过数次繁荣与低谷的交替。每一次周期都对市场参与者的战略决策带来深远影响。当前，尽管全球对存储芯片的需求在多个新兴应用场景的驱动下持续攀升，且产品平均销售价格（ASP）呈现回暖趋势，但全球主要的存储芯片制造商在规划2026年的资本支出时，却普遍展现出一种审慎而聚焦的策略。这与过去为了迅速抢占市场而盲目扩张产能的做法有所不同。如今，投资的重心正明显转向技术迭代升级、高附加值产品的研发与生产，以及先进封装技术的探索，而非仅仅追求比特产出的数量增长。这种战略调整，旨在通过技术创新而非单纯的规模效应来提升核心竞争力与盈利能力。

在DRAM领域，作为支撑处理器实时运行与数据交互的关键组件，其技术演进与产能布局备受关注。根据市场数据显示，2025年全球DRAM总资本支出预计将达到537亿美元。展望2026年，这一数字有望进一步增长至613亿美元，实现约14%的同比增长。这表明DRAM制造商对未来市场持谨慎乐观态度，但其投资策略更加强调效率与技术领先性。

具体来看，各大DRAM供应商在2026年的投资规划各有侧重，旨在巩固自身在不同细分市场的优势：

值得注意的是，尽管有这些资本支出，但其对2026年全球DRAM比特产出增长的实际影响预计将保持有限。这主要是由于DRAM产业在洁净室建设、设备采购和工艺调试方面存在漫长的周期，导致新增产能的释放并非一蹴而就。例如，虽然韩国三星和韩国SK海力士能够小幅调整现有产线以提升效率或扩充特定产能，但美国美光在美国建设的ID1新工厂，其全面投入运营尚需时日，预计要到2027年之后才能为市场提供大规模的新增产能。这意味着，当前的大部分投资将集中在现有产线的技术升级、良率提升和高附加值产品的生产上，而非单纯的晶圆投片量扩张。这种投资策略的转变，反映了行业从“量”的竞争向“质”的竞争演进，尤其是在AI时代，高性能存储的需求远超通用存储。

在NAND Flash市场，作为非易失性存储的主流技术，其在数据存储、固态硬盘（SSD）等领域扮演着核心角色。根据市场观察，全球NAND Flash的资本支出也预计将呈现温和增长态势。2025年的支出额为211亿美元，2026年预计将增至222亿美元，增幅约为5%。与DRAM市场类似，NAND Flash供应商的投资策略也更强调技术创新和产品优化，而非盲目地扩大晶圆工厂。

特别是一些缺乏DRAM业务的NAND Flash专业制造商，正积极采取策略，以期提升自身在市场中的竞争力和份额。例如，日本铠侠（Kioxia）和美国闪迪（SanDisk）联盟计划在2026年将其投资额提升41%，达到45亿美元，这笔资金主要用于BiCS8（第八代3D NAND技术）的生产扩容以及BiCS9（第九代3D NAND技术）的研发。更高层数的3D NAND堆叠技术意味着在更小的物理空间内实现更大的存储容量和更高的性能。中国长江存储（YMTC）等本土企业也积极采取策略，以期通过技术突破和产品创新，提升其在全球存储市场的地位。此外，美国美光也计划适度增加NAND Flash产能，并将其资本支出提高63%，重点发展G9制程技术，同时积极布局利润率更高的企业级固态硬盘（Enterprise SSD）市场。

然而，与此同时，一些综合性存储巨头如韩国三星和韩国SK海力士/美国Solidigm联盟，预计将选择削减或限制其在NAND Flash领域的投资。它们正将更多的资源和精力，战略性地转向高带宽存储（HBM）和DRAM业务，这反映出它们对高附加值存储产品的优先级更高。

当前，NAND Flash需求的强劲增长被业界普遍认为是结构性的，而非短期市场波动。这股增长动力主要源于两个方面：

1. 人工智能（AI）对海量存储需求的日益攀升： 随着AI大模型训练、推理以及边缘AI应用的普及，对高速、大容量、低延迟的NAND Flash存储需求呈几何级增长。无论是用于存储训练数据集、模型参数，还是运行AI推理任务，NAND Flash都提供了关键的数据支持。
2. 传统硬盘驱动器（HDD）供应短缺及性能替代： 传统HDD在某些企业级应用中面临性能瓶颈和供应链挑战，促使云计算服务提供商（CSPs）和数据中心将更多订单转向性能更优越、可靠性更高的企业级固态硬盘。这种结构性替代加速了NAND Flash在数据中心市场的渗透。

尽管需求旺盛，但在经历了多年的市场剧烈波动周期后，存储供应商在制定资本支出和扩产计划时，普遍变得更为审慎和理性。他们更倾向于通过技术升级、良率优化和高价值产品组合来提升盈利能力，而非单纯地追求市场份额。因此，2026年的NAND Flash投资将更多地侧重于制程升级和混合键合等先进技术，旨在提升存储密度、读写速度和能效，而非大规模的晶圆厂扩建以增加比特产出。基于此，市场分析普遍预计，2026年全球NAND Flash的比特供应增长将保持有限，整个NAND Flash市场在这一年内仍可能维持供不应求的紧张局面。

对于身处中国跨境行业的从业者而言，全球存储芯片市场的这些动态无疑是需要密切关注的重要风向标。无论是从事电子产品贸易、智能硬件制造，还是提供云计算和数据中心服务的企业，都可能受到存储芯片供需格局和价格变化的影响。存储芯片的供应紧张可能导致采购成本上升、产品交货周期延长，进而影响到终端产品的竞争力与利润空间。

面对这样的市场趋势，国内相关从业人员应积极采取以下策略：

• 强化供应链韧性： 密切关注上游供应链变化，与供应商建立长期稳定的合作关系，探索多元化的采购渠道，以应对潜在的供应波动。
• 优化库存管理： 结合市场预测和自身需求，合理规划库存水平，避免因缺货而影响生产和销售，同时也要避免过度库存造成的资金占用和贬值风险。
• 关注技术趋势： 积极了解DRAM和NAND Flash的最新技术进展，特别是HBM、3D NAND、混合键合等前沿技术，思考这些技术如何影响自身产品的设计和市场竞争力。
• 布局高附加值产品： 随着高性能、高容量存储需求增长，国内企业应考虑加大在企业级SSD、AI服务器存储、高性能计算存储等高附加值领域的研发投入和市场布局。
• 提升自身创新能力： 面对全球半导体行业的激烈竞争，持续提升本土研发和创新能力，无论是从芯片设计、封装测试，还是到应用解决方案层面，都将是企业在全球市场中保持核心竞争力的关键所在。

总而言之，2026年的全球存储芯片市场将是一个充满挑战与机遇并存的时期。理性审慎的资本支出策略，以及对技术创新和高价值产品的聚焦，将是驱动行业发展的两大主线。国内相关从业人员应保持敏锐的市场洞察力，积极调整策略，以更好地把握全球半导体产业变局中的发展机遇。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/nand-flash-2026-ai-shortage-alert.html