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新媒网跨境获悉，根据集邦咨询（TrendForce）最新的存储器现货价格趋势报告，存储市场近期表现出显著的活跃度。在DRAM领域，为对冲未来可能出现的进一步价格上涨风险，DDR4和DDR5产品的交易量大幅增加，其中主流DDR4 1Gx8 3200 MT/s芯片的平均现货价格环比上涨9.86%。与此同时，NAND Flash市场本周价格亦持续上扬，各种容量的NAND Flash晶圆平均涨幅达到15%至20%，主要受到供应商报价提高的推动。

在DRAM现货市场，交易动能持续增强，市场整体情绪呈现看涨态势。握有库存的模组厂商普遍采取观望态度，惜售行为进一步推高了价格。从买方角度来看，尽管消费电子产品的需求尚未出现显著复苏，但市场普遍预期未来DRAM价格将持续大幅上涨，因此买方积极维持安全的库存水平，以对冲价格上涨的风险。这种规避价格风险的需求显著提振了DDR4和DDR5产品的交易量。受此影响，现货市场呈现量价齐升的局面。其中，主流DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片的平均现货价格从上周的7.219美元上涨至本周的7.931美元，涨幅达到9.86%。

这种市场表现反映了存储行业内的一种普遍共识：尽管下游需求仍有待全面恢复，但上游供应端的动态以及对未来市场走势的预期正成为主导价格的关键因素。买方通过现货市场进行战略性采购，旨在锁定成本，避免未来更高的采购支出。这不仅显示了企业对供应链风险管理的重视，也间接预示了未来合约市场可能面临的价格压力。

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NAND Flash现货市场本周继续呈现强劲增长势头，市场整体情绪显著提升。受供应商提高报价的影响，各类容量的晶圆价格平均上涨了15%至20%。其中，512Gb和1Tb TLC晶圆的价格涨幅最为明显。尽管买方积极提高目标报价，但实际交易量仍相对有限。供应端普遍不愿出售，并严格控制库存，多数报价维持在高位，市场上几乎难以寻得低价货源。

由于现货供应量稀少，加之市场普遍预计2025年第四季度价格仍有上涨空间，买方当前倾向于积极抢购产品以补充库存。这种行为进一步加剧了现货市场的供应紧张局面。具体数据显示，512Gb TLC晶圆的现货价格本周上涨27.96%，达到4.576美元。

NAND Flash市场的这一动态，清晰地展示了在供应受限和市场预期一致的情况下，价格的快速上行趋势。供应商通过控制出货量和提升报价，旨在优化利润并调整市场供需结构。而买方在“买涨不买跌”的市场心理驱动下，积极囤货以规避未来更高的成本，这反过来又加剧了短期内的供需失衡，促使价格持续走高。这种市场行为反映了存储芯片供应链上下游在面对不确定性时，各自采取的策略性应对措施。

综观当前存储器现货市场，DRAM和NAND Flash均呈现出显著的价格上涨趋势和活跃的交易态势。DRAM方面，买方为规避未来价格上涨风险而积极囤货，导致交易量和价格同步上扬。NAND Flash方面，供应商的惜售和高报价，结合买方对未来价格上涨的预期，共同推动了晶圆价格的快速攀升。这表明，在当前全球经济环境中，存储器市场正经历一个由供需结构调整和市场情绪驱动的活跃阶段。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/memory-chips-hoarding-surge-nand-up-27-96.html