韩国巨头亮剑HBF！2027年冲刺AI存储，容量性能远超HBM。

随着全球范围内人工智能（AI）工作负载的持续增长，高带宽闪存（HBF）作为一种新兴存储技术，正受到业界越来越多的关注。有专家预测，HBF的商业化进程可能会比预期更快。

新媒网跨境获悉，外媒报道指出，韩国科学技术院（KAIST）教授金正镐（Joungho Kim）表示，三星电子和西部数据（SanDisk）计划在2027年末或2028年初，将HBF技术整合到英伟达（NVIDIA）、AMD以及谷歌（Google）的产品中。金正镐教授因其在HBM领域的卓越贡献，被业界誉为“HBM之父”。

金正镐教授进一步解释，虽然高带宽内存（HBM）的开发耗时超过十年，但HBF的商业化速度有望大幅加快。其主要原因在于，各大公司在HBM开发过程中积累的工艺和设计经验，可以直接应用于HBF的研发。金正镐教授还预测，HBF的普及应用将大致与HBM6的推出时间相近，甚至可能在2038年前后，HBF市场规模将超越HBM。他指出，HBM6将不再是单一的内存堆栈，而是像住宅区一样，由多个堆栈相互连接。鉴于基于DRAM的HBM在容量方面存在局限，他认为基于NAND堆叠的HBF有望填补这一空白。

HBF在AI推理与系统架构中的作用

在AI工作负载背景下，HBF的角色定位显得尤为关键。金正镐教授解释，图形处理器（GPU）在执行推理任务时，首先需要从HBM中检索变量数据，进行处理后生成输出。他相信，未来HBF将承担起这一角色，提供远超HBM的存储容量来支持相关任务。尽管HBM在速度上占据优势，但HBF能够提供约十倍的容量。

金正镐教授强调，HBF支持无限次读取循环，但写入循环次数大约限制在10万次。这意味着，OpenAI或谷歌等公司的软件需要进行优化，以适应HBF这种读取密集型的操作模式。他还提到，当前数据传输至GPU的过程需要经过存储网络、数据处理器和GPU管线等漫长路径。未来，他设想的架构将更为精简，数据可以直接在HBM背后进行处理。这种被部分业界人士称为“内存工厂”的结构，预计将伴随HBM7的出现而逐渐成型。

三星与SK海力士积极推进HBF研发

新媒网跨境了解到，SK海力士预计将在本月晚些时候展示HBF的试用版本。同时，三星电子和SK海力士已与西部数据签署了谅解备忘录（MOU），共同推进HBF的标准化工作，并通过一个联合联盟持续深化这些努力。

目前，这两家韩国存储巨头都在积极开发HBF产品，目标是在2027年将其推向市场。据外媒引述的行业消息，HBF的带宽有望突破1,638 GB/s，与当前通过NVMe PCIe 4.0接口提供约7,000 MB/s（约7 GB/s）带宽的标准固态硬盘（SSD）相比，这是一个显著的提升。在容量方面，HBF预计最高可达512 GB，远超HBM4提供的64 GB。新媒网跨境认为，这些进展预示着HBF技术在未来AI计算领域将扮演重要角色，对存储架构产生深远影响。

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本文来源：新媒网 https://nmedialink.com/posts/korean-giants-hbf-2027-ai-storage-hbm-killer.html